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周炳卿

作品数:82 被引量:150H指数:6
供职机构:内蒙古师范大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 71篇期刊文章
  • 11篇会议论文

领域

  • 35篇理学
  • 13篇电子电信
  • 11篇电气工程
  • 10篇动力工程及工...
  • 9篇化学工程
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇文化科学
  • 2篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 24篇硅薄膜
  • 19篇化学气相
  • 18篇化学气相沉积
  • 16篇电池
  • 16篇溶胶
  • 15篇微晶硅
  • 13篇溶胶-凝胶法
  • 13篇微晶硅薄膜
  • 12篇太阳电池
  • 11篇光电
  • 9篇表面形貌
  • 8篇热丝
  • 8篇微结构
  • 8篇纳米
  • 8篇光学
  • 8篇发光
  • 7篇氮化硅
  • 7篇凝胶法制备
  • 7篇热丝化学气相...
  • 6篇等离子体增强

机构

  • 69篇内蒙古师范大...
  • 9篇内蒙古教育学...
  • 8篇中国科学院研...
  • 5篇中国科学院
  • 3篇内蒙古大学
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  • 1篇包头医学院
  • 1篇内蒙古科技大...
  • 1篇鄂尔多斯应用...

作者

  • 82篇周炳卿
  • 23篇张林睿
  • 13篇那日苏
  • 12篇韩兵
  • 12篇郝丽媛
  • 11篇张丽丽
  • 11篇王立娟
  • 10篇金志欣
  • 9篇李海泉
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  • 6篇李力猛
  • 6篇张娜
  • 6篇高爱明
  • 5篇乌仁图雅
  • 5篇刘金龙
  • 5篇周玉琴

传媒

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年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
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  • 3篇2018
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  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
82 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用镜像法通过矢势计算无限长载流直导线的磁场强度被引量:2
1999年
用镜像法计算了无限大平面附近的载流长直导线的磁场强度和磁化电流密度 .结果表明 ,毕奥 -萨伐尔定律或磁标势法不易求解的问题 ,用镜像法很容易求解 .
周炳卿
关键词:镜像法矢势磁场强度
预热温度对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜性能的影响
2022年
通过溶胶凝胶法研究不同预热温度(140℃、170℃、200℃、230℃)对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜性能及其太阳电池转化效率的影响,利用XRD、Raman、SEM、UV、光电化学测试对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜结构与光电性能进行表征,并对制备的薄膜器件进行I-V特性曲线表征。由XRD衍射和Raman散射测试表明,硒化后的样品均掺入了Se原子。预热温度为200℃时,Sb_(2)(S,Se)_(3)的(120)、(130)、(230)衍射峰相对强度最大,表明晶体结晶质量提升的同时,具有一定取向。SEM表征发现,Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的形貌以及薄膜表面平整度与前驱体的预热温度密切相关;合适的衬底预热温度(200℃)可以快速将有机溶剂分解挥发,使Sb_(2)S3前驱体薄膜迅速沉积在衬底表面。200℃时Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜光电性能最好,暗电流相对最平稳,此时带隙值为1.37 eV,制备出的太阳电池效率为0.386%。
崔晓荣白晓彤周炳卿张林睿
关键词:溶胶凝胶法预热温度光电性能
一种新型腐蚀剂--醋酸钠溶液对单晶硅太阳电池表面织构化的作用
2011年
对晶向为(100)的p型单晶硅片进行表面刻蚀,制作减反射绒面。选用了一种新型的腐蚀剂,即醋酸钠(CH3COONa)溶液,用来腐蚀单晶硅太阳电池。通过分别改变醋酸钠溶液的浓度、温度以及腐蚀时间对硅片表面进行腐蚀发现,经醋酸钠溶液腐蚀后在硅片表面形成腐蚀坑大小适中、分布均匀的绒面结构。在醋酸钠溶液的质量分数为20%、温度为95℃、时间为40min的条件下腐蚀单晶硅片,在波长为700~1000nm之间获得较低的平均表面反射率,且最佳平均反射率为12.14%。从实验结果和成本因素考虑,这种腐蚀剂的成本很低,不易污染环境且重复性好,有利于大规模工业化制绒。
王立娟周炳卿那日苏金志欣
关键词:单晶硅表面形貌织构醋酸钠
空气和氮气气氛中热处理温度对ITO薄膜性能影响被引量:1
2008年
以InCl_3·4H_2O和SnCl_4·5H_2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺。在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO),采用x-射线粉末衍射、紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了在空气和氮气气氛中,不同热处理温度对ITO薄膜的微结构、光学和电学性能的影响。
潘洪涛周炳卿陈霞李力猛
关键词:X-射线衍射分析方块电阻透过率
a-Si:H薄膜太阳电池最佳i层厚度的分析与计算被引量:1
2003年
用自洽法计算了p i n型a-Si:H薄膜太阳电池中p i和i n两个分立势垒区中的电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)和耗尽层厚度XD.减少i层厚度使两个分立势垒区部分重叠,用电场叠加原理计算耗尽层中的电场分布,在此基础上,根据光生载流子的全收集条件Lpmin=μpτpεmin,计算出a-Si:H薄膜太阳电池的最佳i层厚度Xb.
周炳卿
关键词:电荷密度分布电场分布
氮气对PECVD制备氮化硅薄膜结构与性质的影响被引量:3
2017年
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气体,研究氮气对制备氮化硅薄膜及其结构与性质影响.研究结果表明,利用PECVD沉积非晶SiNx薄膜时,薄膜中含有大量以Si-H和N-H键存在的H+离子,当其键合断裂时,大量H从膜中扩散出来并与其他杂质和缺陷发生反应,在沉积SiNx薄膜的过程中形成H空位,H以氢-空位对方式迅速扩散,完成钝化过程,导致薄膜致密性降低.适当增加氮流量,导致薄膜中N/Si比增大,Si-Si键浓度减少,Si-N键浓度增加,并出现轻微的蓝移;继续增加氮流量,薄膜逐渐呈富N态,伴随缺陷态增多,辐射增强,导致光学带隙迅速展宽,带尾态能量逐渐减小;当氮流量较高时,薄膜中形成了包埋在非晶SiNx中的Si_3N_4晶粒,实现了从非晶SiNx薄膜向包含Si_3N_4小晶粒薄膜材料的演变过程.
部芯芯周炳卿丁德松
关键词:PECVD光学带隙
锐钛矿型TiO_2纳米棒薄膜的溶胶-凝胶法制备研究被引量:3
2011年
以钛酸丁酯Ti(OC_4H_9)_4、冰醋酸、去离子水和聚乙二醇(PEG)1000为原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃衬底上制备出锐钛矿型TiO_2纳米棒。利用X射线衍射仪(XRD)、SEM和紫外可见光谱(UV/Vis)对TiO_2纳米棒薄膜进行了表征。结果表明,实验制备的TiO_2纳米棒为锐钛矿晶型,在TiO_2反应体系中,胶体粒子在加热过程中偶联在一起,1h后形成了TiO_2纳米棒,其直径为30~50nm,长度为100~200nm。同时,在42mL钛的胶体溶液中添加0.30g PEG(1000)后,纳米TiO_2薄膜的可见光透射峰值降低,TiO_2薄膜表面孔径为20~50nm。
那日苏周炳卿郝丽媛王立娟韩兵
关键词:纳米二氧化钛纳米棒溶胶-凝胶法
纳米TiO_2薄膜的制备及其光催化性能研究
2010年
采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在玻璃衬底上制备了纳米TiO_2薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见-光谱(UV/vis)和原子力显微镜(AFM)对纳米TiO_2进行表征。结果表明,经300~700℃退火得到的TiO_2粉体呈锐钛矿相,经800℃退火得到了锐钛矿相与金红石相的混合晶相,经900℃退火完全转化为金红石相。薄膜表面粒子分布均匀,表面平均粗糙度为1.54nm,该薄膜具有较高的光催化活性,可直接用于光催化降解有机物等领域,具有广阔的应用前景。
郝丽媛周炳卿陈霞韩兵那日苏王立娟
关键词:TIO2薄膜
RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜被引量:1
2005年
利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选择优化的沉积参数,在非晶到微晶的过渡区得到了沉积速率为0.3~0.4nm/s的μc-Si:H薄膜.薄膜的暗电导在10-7S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,薄膜结构致密,达到了器件级质量.
周炳卿朱美芳刘丰珍刘金龙谷锦华张群芳李国华丁琨
关键词:微晶硅薄膜PECVD
TiO_2薄膜和多孔薄膜的溶胶-凝胶法制备与表征被引量:1
2013年
本文以钛酸丁酯[Ti(OC4H9)4]、去离子水、盐酸和聚乙二醇(PEG)1000为原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基底上制备纳米TiO2薄膜和TiO2多孔薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见光谱仪(UV-Vis)对薄膜进行分析表征。结果表明,实验制备的TiO2粉体为锐钛矿晶型,纳米TiO2薄膜的平均粗糙度为17.2nm,TiO2多孔薄膜平均粗糙度为1.55 nm。TiO2多孔薄膜有较高的透射性和光催化活性,可直接用于光催化降解有机物等领域。
陈霞周炳卿计晶晶陆改玲罗丽霞周澐
关键词:纳米二氧化钛溶胶-凝胶法表面形貌光催化
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