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夏奕东

作品数：52 被引量：24H指数：2
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 47篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学

主题

  • 11篇纳米
  • 10篇陶瓷靶材
  • 10篇介电
  • 10篇靶材
  • 10篇场效应
  • 9篇衬底
  • 8篇有机场效应晶...
  • 8篇晶体
  • 8篇晶体管
  • 8篇半导体
  • 8篇并五苯
  • 8篇场效应晶体管
  • 8篇存储器
  • 7篇SUB
  • 6篇有机半导体
  • 6篇铁电
  • 6篇介电系数
  • 6篇晶态
  • 5篇氧化物
  • 5篇脉冲

机构

  • 52篇南京大学
  • 3篇华为技术有限...
  • 1篇东南大学

作者

  • 52篇夏奕东
  • 39篇殷江
  • 38篇刘治国
  • 8篇国洪轩
  • 7篇汤振杰
  • 7篇徐波
  • 5篇高旭
  • 4篇高立刚
  • 3篇许含霓
  • 3篇陈亮
  • 3篇李爱东
  • 2篇李魁
  • 2篇胡安
  • 2篇于涛
  • 2篇吕仕成
  • 2篇王东生
  • 2篇季剑锋
  • 2篇卢伟
  • 2篇朱颢
  • 2篇李海涛

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 8篇2011
  • 9篇2010
  • 6篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2001
共 52 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN基MOSFET及其制备方法
本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub>x</Sub>(SiO<Sub>2</Sub>)<Sub>1-x</Sub>薄膜与GaN衬底之...
刘治国高立刚汤振杰夏奕东殷江
不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用
本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，形...
汤振杰刘治国殷江夏奕东李爱东
一种基于聚合物掺杂N-型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管
本发明公开了一种基于聚合物掺杂N‑型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管，用N‑型有机半导体与聚合物介质混合形成的薄膜替代原本单一的聚合物介质薄膜，通过混合物中N‑型有机半导体在界面处产生的感生电子降低并五苯/聚合物介质界...
刘珍良于天鹏殷江夏奕东刘治国
文献传递
一种用于仿神经器件阵列的主成分分析训练方法
本发明公开了一种用于仿神经器件阵列的主成分分析训练方法。具体包括以下步骤：S1，先在应用场景下收集数据，并整理为数据集A，对处于工作状态中在线收集到的数据进行处理，得到数据集B；S2，求解X<Sup>T</Sup>X的特...
夏奕东张伦强沈聪
非晶铟锡氧化物薄膜及其在制备阻变存储元件中的应用
本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻...
蒋坤夏奕东徐波国洪轩殷江刘治国
文献传递
基于铁电隧道结的编码、记忆固化与识别
铁电隧道结存储器是一类创新的纳米电子器件，通常采用金属/超薄铁电薄膜/金属三明治结构。几个纳米厚的铁电层作为电子隧穿势垒，其自发极化翻转使得势垒高度明显变化，从而在隧道结中获得高、低两个电阻态。铁电极化的快速翻转能力使得...
夏奕东
一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管
一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层及具有浅能级陷阱的电荷俘获层；器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/具有浅能级陷阱的电荷俘获介质层/隧穿层/...
于天鹏殷江夏奕东刘治国
一种高介电系数复合氧化物电荷存储介质薄膜及应用
一种高介电系数复合氧化物电荷俘获介质薄膜，其化学组分是两种或两种以上高介电系数氧化物的混合物；复合氧化物薄膜呈非晶状态；复合氧化物薄膜的化学组分用化学式(AO<Sub>m</Sub>)<Sub>x</Sub>(BO<Su...
魏春阳殷江徐波夏奕东刘治国
文献传递
非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用
本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿...
汤振杰夏奕东殷江刘治国
阻变氧化物材料的Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>薄膜和制备方法及其应用
一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>，薄膜厚度为200nm，其制备方法是：(1)CoO<Sub>x</Sub>(0＜x＜4/3)陶瓷靶材的制备；...
殷江高旭季剑锋夏奕东刘治国
文献传递
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