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姜树森

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：辽宁大学物理系更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇杂质浓度分布

机构

  • 1篇辽宁大学

作者

  • 1篇姜树森
  • 1篇张宏
  • 1篇韩宇

传媒

  • 1篇辽宁大学学报...

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较
2004年
用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10^(13)～5×10^(15)ion/cm^2的N_2^+/As^+组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N_2^+/As^+组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰.
韩宇张宏姜树森
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