娄辉
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：河南大学物理与电子学院微系统物理研究所更多>>
- 发文基金：河南省杰出人才创新基金河南省高校创新人才培养工程项目河南省高等学校创新人才培养工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- ZnO薄膜的生长及相关器件的制作与研究
- ZnO是一种宽带隙半导体材料,室温下它的能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。目前,ZnO由于在紫外光辐射、变阻器、透明高功率电子器件、表面声波器件、压电传感器、气敏传感器及作为显示器件和太阳能电池窗口材...
- 娄辉
- 关键词：ZNO薄膜光学光电性质肖特基二极管薄膜晶体管电学性质
- 文献传递
- 溶胶-凝胶法制备的BaTiO_3薄膜表面态
- 2006年
- 用溶胶-凝胶法和快速退火工艺在SiO2/Si(111)基片上生长了钙钛矿结构BaTiO3薄膜.用X射线光电子能谱技术(XPS)和角分辨X射线光电子能谱技术(ARXPS)研究了薄膜的表面化学态以及最顶层的原子种类和分布状况,结果显示在热处理过程中薄膜表面形成一层富含BaO的非计量钛氧化物层,并且钡-钛原子浓度比随着探测深度的增大而逐渐减小.
- 陈海涛胡界博娄辉蔡洪涛丁玲红张伟风
- 关键词：溶胶-凝胶法表面态XPSARXPS
- 厚度对溶胶-凝胶法生长的ZnO薄膜光学性质的影响被引量：1
- 2007年
- 利用sol-gel旋涂法在普通盖玻片上生长了ZnO薄膜,用光学透射谱、光致发光谱和原子力显微术研究了ZnO薄膜的光学性质和表面形貌.结果发现,在一定薄膜厚度范围内,紫外发光带和光学吸收边均随着薄膜厚度的减小而单调蓝移,且紫外发光强度递增,峰宽变大.综合光致发光谱、光学透射谱和薄膜表面形貌,对薄膜中晶粒尺寸、应力、缺陷等对光学性质的影响进行了讨论.
- 吴颖超张松海娄辉张伟风
- 关键词：ZNO薄膜厚度光学性质应力
- 热处理温度对溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜晶体结构和发光特性的影响被引量：2
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂法在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、扫描电子显微镜(SEM)等手段分析制得的ZnO薄膜的晶体结构和发光特性。着重考察了热分解温度对ZnO薄膜晶体结构和发光特性的影响。结果表明,溶胶-凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜样品厚度约为220nm,属六方纤锌矿结构,其c轴取向度与热分解温度有很大关系;ZnO薄膜在室温下均有较强的紫外带边发射峰,且紫外带边发射峰与样品c轴取向度没有直接关系,与缺陷有关的可见发射带很弱。
- 胡界博王晓娟娄辉陈海涛张伟风
- 关键词：ZNO薄膜晶体结构光致发光
- L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管被引量：2
- 2006年
- 采用激光分子束外延法(L- MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO -TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s).
- 张新安张景文杨晓东娄辉刘振玲张伟风侯洵
- 关键词：激光分子束外延ZNO薄膜薄膜晶体管
