岑展鸿
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高密度纳米硅的形成与发光特性研究
- 随着超大规模集成电路技术的不断发展,以硅为代表的半导体微电子器件的特征尺寸日益缩小,目前已进入纳米尺度范围,因而对纳米硅材料的制备与光电性质的研究已成为国际上的一个研究热点。其中最为关键的一步是如何采用与当今的微电子工艺...
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- 文献传递
- 激光诱导单层纳米硅薄膜的制备及其光电性质
- 随着微电子技术在近几十年内的快速发展，芯片的集成度不断提高，硅基功能器件正朝着更快，更小，更冷的方向发展。当硅尺寸减小到纳米尺度时，纳米硅(nc-Si)表现出许多与硅体材料所不同的物理特性。这些新的物理特性将发展出许多基...
- 岑展鸿
- 关键词：激光诱导纳米硅薄膜光电子器件
- 激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性被引量：1
- 2006年
- 结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样品中观察到在660nm左右范围内光致发光峰,初步的分析表明其发光与纳米硅晶粒的形成有关.
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- 关键词：纳米硅激光晶化光致发光
- 等离子体表面氮掺杂对非晶碳膜场发射特性的影响
- 2006年
- 氢化非晶碳膜作为一种场致阴极电子发射材料已被广泛研究,通过对薄膜进行掺杂以提高其场发射特性已被证明是行之有效的方法之一.利用常规等离子体化学气相淀积技术制备了氢化非晶碳薄膜材料,在原位利用氮等离子体对碳膜表面进行N型掺杂.通过不同手段研究了氮表面掺杂前后非晶碳膜的微结构和化学键的变化,对表面掺杂前后的薄膜的场电子特性的测量表明,在氮表面掺杂后其场电子发射特性有了明显改善,特别是场发射的阈值电场从掺杂前的3.2 V/μm下降到掺杂后的1.0 V/μm.初步实验分析表明:由于氮表面掺杂后,在碳膜表面形成N-H键,从而导致碳膜表面的有效功函数降低使场电子发射特性得以提高.
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- 关键词：场发射
