张大成
- 作品数：246 被引量：425H指数：10
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>
- 电子束斑的测量方法和设备
- 本发明提出了一种电子束斑的测量方法和设备。所述测量方法包括：准备第一基片，在所述第一基片上形成悬置的光刻胶层，并且在第一基片与光刻胶层相对的另一侧上形成检测窗口；准备第二基片，在所述第二基片上形成背腔结构；将第二基片的背...
- 刘鹏张大成王玮田大宇杨芳罗葵戴小涛李婷王颖李静时广轶
- 文献传递
- 压阻加速度计的Au-Si共晶键合被引量：16
- 2003年
- 通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三层键合 .测得的键合强度约为 2 30MPa.硅片 基体 /SiO2 /Cr/Au层和硅片之间键合时 ,SiO2 溶解而形成CrSi2 硅化物 .共晶反应因Cr层而被推迟 ,键合温度高出共晶温度 2 0℃左右 ,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染 ,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响 .试验还证明硅基体 SiO2 /Cr/Au/Poly Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论 .
- 王翔张大成李婷王玮阮勇李修函王小保杜先锋
- 关键词：金硅共晶键合封装
- 继电器及其制备方法
- 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅...
- 阮勇张大成郝一龙王阳元王丛舜李婷罗葵田大宇王玮王颖王兆江
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- 无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器及其制作方法
- 本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿<100>晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿<110>晶向排列。其制作...
- 黄贤张大成赵丹淇林琛何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
- 文献传递
- 一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法
- 本发明公开一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域，该传感器主要包括一玻璃底座和位于玻璃底座上的硅应变膜，该玻璃底座的一面含有一凹陷空腔，该硅应变膜的正面朝向该空腔；该硅应变膜包括位于正...
- 高程武张大成杨芳程垒健余润泽李凤阳刘鹏
- 文献传递
- 一种Au-Si键合强度检测结构与试验被引量：3
- 2003年
- 设计了一种Au Si键合强度检测结构。通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测 ,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度 ;采用同一结构尺寸 ,可以比较不同条件下键合强度的相对大小 ;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测试。通过压臂法检测了Au Si键合强度 。
- 王翔李婷王玮王颖田大宇张大成
- 关键词：共晶键合芯片金硅
- 基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法
- 本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在...
- 赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
- 文献传递
- CMOS电路与大量程流量计的单片集成
- 2005年
- 在CMOS标准工艺和压阻器件经典工艺的基础上,通过两者合理的工艺组合,将以大量程流量计为代表的压阻器件与相关的调理电路集成在一个硅片上.测试结果表明,在集成工艺流程下,CMOS的单管特性和放大电路的闭环特性均正常工作.
- 赵涛张大成王小保
- 关键词：流量计集成化
- 压力传感器在石化行业的应用与国产化探讨被引量：2
- 2008年
- 分析了石化行业对压力变送器的需求,得出石化行业对压力传感器的要求:测量精度、快速响应、温度特性和静压特性、长期稳定性。微压力传感器具有许多传统压力传感器不具备的优点,能够满足石化行业对压力传感器的要求。介绍了当前石化领域正在使用的MEMS压力传感器及其结构特点;对比国内外厂商生产的压力传感器性能,明确了压力传感器国产化问题的关键是如何提高传感器长期稳定性问题。
- 刘仁史创王晓浩唐飞张大成
- 关键词：压力传感器石化行业国产化
- 多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法
- 本发明涉及一种多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法。在深刻蚀之前就将各次深刻蚀掩膜制备完成，每进行一次深刻蚀后去掉一层掩膜再进行下一次深刻蚀的多层深台阶刻蚀。不仅能够在硅片表面(X－Y二维平面)内做出不同的图形结构，在垂直于硅片...
- 张大成李婷邓珂田大宇李静王玮王兆江王阳元
- 文献传递
