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张小秋
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院西安光学精密机械研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
王力鸣
中国科学院西安光学精密机械研究...
侯洵
中国科学院西安光学精密机械研究...
李晋闽
中国科学院西安光学精密机械研究...
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王力鸣
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真空科学与技...
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1篇
1992
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超高真空条件下NEAⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的工艺与性能的研究
被引量:1
1992年
介绍对GaAs及1.25μm InGaAsPⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的激活工艺及其性能的初步研究结果。全部采用国产超高真空系统,真空度优于8×10^(-8)Pa。在真空系统中激活的GaAs(Cs,O)光电阴极的积分灵敏度约为550μA/lm,InGaAsP(Cs,O)光电阴极在1.06μm处的量子效率为0.4%。用2.06μm波长(禁带宽度E_(?)=1.25μm)、ns量级脉宽的Er,Tm,Ho:YLF激光作激发源在GaAs(Cs,O)光电阴极中实现了三光子光电发射。在液氮温度下测得的数据与室温下测得的数据相吻合,证明热发射相对于三光子光电发射可以忽略。
王力鸣
张小秋
李晋闽
侯洵
关键词:
超高真空
半导体
光电阴极
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