张立辉
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究被引量：4
- 2009年
- 对100kV高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究,针对正性电子束抗蚀剂ZEP520A进行了工艺参数的优化,在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获得了占空比为1:1,线宽为50nm的光栅图形.针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为100nm,占空比为1:1,深度为900nm的光栅图形,光栅的边壁波纹起伏小于5nm.100nm以下深硅刻蚀技术的发展,有利于工作区域在可见光范围的纳米光学器件的制备.
- 李群庆张立辉陈墨范守善
- 关键词：电子束光刻反应离子刻蚀
- 室温纳米压印制备中的共性关键工艺问题被引量：1
- 2017年
- 纳米压印光刻技术具有低成本、高效率、大面积、高分辨、多尺度、良好的工艺兼容性等特点,可用于亚波长光电子器件的研究。提出了硅水合物(HSQ)/聚丙烯酸甲酯(PMMA)双层胶室温纳米压印工艺方法,研究并解决了有关压印光刻胶剩余底膜和纳米图形保真性刻蚀转移的两个关键工艺技术问题。以制备特定需求的石英纳米光栅器件为目标,经过工艺优化,成功地实现了周期200 nm、占空比0.5、深宽比5∶1、栅线侧壁垂直且粗糙度小于3 nm的高分辨率亚波长光栅的制备。所提出的双层胶刻蚀方法,有望拓展到纳米标准物质和芯片级光学频率梳器件等对侧壁陡直和粗糙度有严格要求的应用领域。
- 朱振东施玉书李伟高思田李适李琪张立辉李群庆范守善
- 关键词：纳米刻蚀亚波长光栅
- 室温纳米压印制备多尺度金碗-金豆纳米天线阵列
- 2017年
- 金属纳米结构表现出独特的光电效应,在表面等离激元器件、超分辨光学成像、全光集成等领域有广泛应用。针对一种有实际需求的金碗-金豆(PIC)高分辨纳米腔的研制,提出了基于室温纳米压印技术,结合多参数各向异性刻蚀技术,研究并解决金碗-金豆多尺度纳米结构加工中关键工艺技术问题。利用双层抗刻蚀剂硅水合物(HSQ)/聚丙烯酸甲酯-聚苯乙烯嵌段共聚物(PMMA-b-PS)在刻蚀工艺中的物化性能转变和差异,发展了多参数刻蚀技术,构造出了直径120 nm渐变的碗形金属结构,同步制备了每个碗中只含一个直径约20 nm金豆,有效避免了刻蚀工艺中纳米颗粒的侧向堆积,提高了器件实际应用品质。
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- 关键词：微相分离
- 纳米压印制备微纳结构
- 探讨纳米压印刻蚀(nanoimprint lithography, NIL)技术研究及应用背景,交流已开展的四种压印技术,如热压印(thermal nanoimprint lithography, T-NIL)、紫外光纳...
- 朱振东李群庆张立辉陈墨范守善
