张雷
- 作品数：15 被引量：61H指数：5
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- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- NbN/MoSi_2/Si_3N_4陶瓷复合材料氧化性能的研究
- 2007年
- 以NbN/MoSi2/Si3N4复合材料作为研究对象,研究了其在不同温度下的氧化性能。利用X射线衍射分析、扫描电镜分析和X光能谱分析,对复合材料的氧化产物进行了测定。结果表明试样在1150～1400℃温度范围内氧化出现了2个阶段,即0～15h线形快速氧化阶段,A、B氧化活化能分别为98kJ/mol和132kJ/mol,而15h以后为抛物线缓慢氧化阶段,A、B氧化活化能分别为426kJ/mol和492kJ/mol;气孔率越高,氧化越严重,快速氧化阶段持续时间越长。
- 沈建兴李传山张雷董金美
- 关键词：NBNMOSI2SI3N4复合材料
- PMS-PNN-PT压电厚膜陶瓷材料的研究
- 2008年
- 利用丝网印刷的方法制备了一种新型复合添加Pb（Mn1/3Sb2/3）O3、Pb（Ni1/3Nb2/3）O3、碱土金属CaCO3、Bi2O3改性PbTi O3压电厚膜陶瓷材料。制得的厚膜膜厚为50-80μm,并具有高压电活性、大压电各向异性、低介电常数及小的介质损耗。分析了预烧粉末和厚膜样品的相结构组成,研究了烧结温度对厚膜陶瓷材料的密度ρ、压电常数d33、厚度机电耦合系数Kt、相对介电常数εr和介质损耗tgδ的影响,结果表明,预烧粉末在850℃下出现了焦绿石相;随着烧结温度的升高,ρ、d33、Kt和εr都是先增大后减小,tgδ先减小后增大。制得了ρ=4.0g/cm3、d33=63.5pC/N、Kt=0.52、εr=143、tgδ=0.009的压电厚膜陶瓷材料。
- 董金美沈建兴李传山张雷
- 关键词：压电厚膜烧结温度
- 块体非晶合金制备方法的研究进展被引量：2
- 2009年
- 对大块非晶合金的制备方法进行了总结和归纳,阐述了不同制备方法的基本原理,并对各种制备方法的优缺点进行了讨论。最后根据对不同制备方法的分析及探讨,对大块非晶合金制备方法的研究方向进行了展望。
- 闫春蕾沈建兴马元张雷
- 关键词：块体非晶合金
- 幼儿服装上应用的新型按扣
- 本实用新型涉及一种服装按扣，尤其涉及一种幼儿服装上应用的新型按扣，包括幼儿服装本体，其特征在于：所述新型按扣属于嵌合式的按扣，选用PP聚丙烯塑料材质；扣型厚大，简单的几何形状；同一款服装上选用的按扣形状完全不同；每款幼儿...
- 张雷
- 文献传递
- 烧结工艺对PMS-PNN-PZT压电厚膜性能的影响被引量：10
- 2008年
- 采用丝网印刷法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了压电厚膜的烧结温度、烧结气氛对其压电、介电等性能及微观结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及显微结构,结果表明,在密封埋粉的PbO气氛中,烧结温度1060℃,保温时间2 h,制得一种性能良好的压电厚膜陶瓷材料。其中,该压电厚膜压电常数d33为240 pC/N,相对介电常数rε为1 112,机械品质因数Qm为1250,机电耦合系数kp为0.52。
- 沈建兴李传山张雷董金美武红霞
- 关键词：压电厚膜烧结温度
- 原位反应制备NbN/MoSi_2/Si_3N_4复合材料
- 2007年
- 用Si,Mo和Nb作为起始原料通过预烧结、氮化反应和N2气氛下的热压烧结制备出Si3N4/MoSi2/NbN复合材料,借助扫描电镜和X射线衍射等分析手段对各阶段样品的相组成和显微组织进行了表征,结果表明:在预烧结阶段获得了NbN,MoSi2和未反应的Si相;随着温度的提高,氮化反应生成了α-Si3N4和少量β-Si3N4;最后经热压烧结制备了Si3N4/MoSi2/NbN复合材料。
- 沈建兴李传山张雷
- 关键词：SI3N4原位反应复合材料
- PZT压电厚膜的研究现状与进展被引量：10
- 2006年
- PZT压电厚膜材料具有良好的压电性能,它兼顾了块体材料和薄膜的优点,近年来得到了广泛的研究与应用。本文简述了制备PZT压电厚膜的制备方法及基板、电极材料的研究情况,讨论了目前制造PZT压电厚膜所存在的基板与厚膜之间的高温扩散以及丝网印刷用厚膜浆料难以分散均匀等共性问题,同时,就如何解决这些问题进行了评述。
- 李传山沈建兴张雷董金美
- 关键词：PZT压电厚膜浆料扩散缓冲层
- PZT压电厚膜的发展及其应用被引量：5
- 2007年
- PZT压电厚膜材料是20世纪90年代发展起来的一种新型功能材料,它兼顾了块体材料和薄膜材料的优点,具有良好的压电、介电和热释电性能。简述了PZT压电厚膜的国内外研究进展,对PZT压电厚膜的制备方法做了简短的介绍,并对其改性研究做了较为详细的总结,最后,阐述了PZT压电厚膜在国内外的应用并展望了其前景。
- 董金美沈建兴李传山张雷
- 关键词：PZT压电厚膜
- PMS-PZN-PZT压电陶瓷材料的性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用传统的陶瓷制备工艺制备了PMS-PZN-PZT四元系压电陶瓷,探讨了不同烧结温度对材料性能的影响,以期获得材料的最佳制备工艺。实验结果表明,此四元系材料具有较宽的烧结温度范围;在1200℃烧结工艺条件下,材料的机电耦合系数与压电常数最大,介电损耗最小,介电常数适中。
- 张雷沈建兴董今美闫春蕾马元
- 缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜材料性能的影响被引量：4
- 2007年
- 采用丝网印刷的方法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了基板、下电极和PMS-PNN-PZT厚膜层三者之间的高温扩散作用,及SiO2缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜的压电性能以及显微结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及压电层的显微结构。结果表明,缓冲层有效地阻止了三者之间的相互扩散,样品的d33、εr等都有所提高,所制得的压电厚膜d33为285pC/N,εr为1210,Qm为1330,kp为0.54。
- 沈建兴李传山董金美张雷武红霞
- 关键词：无机非金属材料压电厚膜缓冲层
