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晏学飞

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院新型电子器件与应用研究所更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金浙江省教育厅科研计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇射频磁控
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射法
  • 2篇溅射法制备
  • 2篇磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇器用
  • 1篇精度控制
  • 1篇环形器
  • 1篇YIG
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 2篇杭州电子科技...

作者

  • 2篇晏学飞
  • 1篇郑辉
  • 1篇郑梁
  • 1篇秦会斌
  • 1篇邓江峡

传媒

  • 1篇电子世界

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
射频磁控溅射法制备环形器用YIG薄膜
环形器是一种广泛的应用于微波通信中的器件。随着微波通信系统的快速发展,制备出轻量化、小型化、高性能及低成本的环形器是环形器发展的必然趋势。采用铁氧体薄膜制备的微带薄膜环形器能满足这一要求,因此世界各国的研究人员进行了广泛...
晏学飞
关键词：环形器射频磁控溅射法精度控制
文献传递
退火条件对射频磁控溅射法制备YIG薄膜性能的影响
2014年
本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远大于YIG块材的Ms(139emu/cm3)。此外,其磁性与Fe2+相关。
晏学飞邓江峡郑辉郑梁秦会斌
关键词：YIG
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