李亭亭
- 作品数：4 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术机械工程电子电信更多>>
- Gd/_2O/_3高K栅介质薄膜的生长及表征
- 本论文主要介绍了高K栅介质Gd/_2O/_3薄膜的生长以及表征,其次还对国家同步辐射实验室的红外与远红外实验站的线站改造进行了一定的介绍。
1.随着集成电路的迅速发展,补偿性金属氧化物半导体的尺寸也在迅速的减...
- 李亭亭
- 关键词：高介电常数红外光谱
- 文献传递
- 同步辐射红外光源和NSRL红外光束线站被引量：5
- 2008年
- 本文介绍了同步辐射红外辐射的基本特征及其最新进展,以及国家同步辐射实验室红外光束线和实验站改造的设计、性能和科学研究方向。国家同步辐射实验室原红外光束线和实验站主要是针对中红外波段的谱学研究,未能发挥同步辐射红外光源的优势,随着同步辐射红外光源在显微和远红外谱学方面应用的快速发展,为了满足红外谱学和成像研究的需要,我们对光束线光学元件参数重新进行模拟计算和优化设计,将光束线光谱范围扩展到约10cm?1,同时建立了新的红外光谱和显微实验站。对线站性能的测试结果显示同步辐射红外辐射具有明显的亮度优势,为开展同步辐射显微谱学和成像研究提供了一个有力的工具。
- 戚泽明李承祥洪义麟殷明程学瑞李亭亭
- 关键词：光束线亮度红外光谱
- 硅基氧化钆薄膜的生长及结构(英文)被引量：1
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积方法(PLD)在不同温度的Si(100)衬底上制备了Gd2O3栅介质薄膜,利用X射线衍射、X射线反射率以及光电子能谱等方法对它的结构、组成以及价带偏移等进行了研究.结果表明:衬底温度为300℃时,Gd2O3薄膜呈非晶态;当衬底温度为650℃时,形成单斜相的Gd2O3薄膜.XPS和XRR结果确定其界面主要是由于界面反应形成的钆硅酸盐.通过XPS分析得到Gd2O3与Si之间的价带偏移为(-2.28±0.1)eV.
- 李亭亭戚泽明程学瑞张文华张国斌周洪军潘国强
- 关键词：高介电常数
- HfO_2栅介质薄膜的结构和介电性质研究被引量：1
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si(100)衬底上生长了HfO2栅介质薄膜.利用X射线衍射(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)对其结构进行了表征,利用远红外光谱对其声子振动模式和介电性质进行了研究.结果表明,室温下制备薄膜为非晶,衬底温度400℃时已经形成单斜相的HfO2薄膜,1000℃退火后薄膜更趋向于(1-11)晶面取向,且结晶质量改善.薄膜的局域结构研究显示低衬底温度下生长的样品具有更短的Hf-O键长和更高的无序度.薄膜结构和薄膜质量影响其远红外声子模式,使得一些低频红外声子模式消失,造成其介电常数相对体材料有所降低,但由于影响介电常数的主要远红外声子模式依然存在,晶态薄膜仍然能保持一定的介电常数值.
- 程学瑞戚泽明张国斌李亭亭贺博尹民
- 关键词：HFO2薄膜脉冲激光沉积声子
