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偶联剂对Mn-Zn铁氧体颗粒分散性及磁性能的影响被引量：7: 2013年; 本研究采用沸腾回流共转化法制备锰锌铁氧体纳米颗粒的基础上,分别采用TC-114(钛酸酯)、KH-151(硅烷)、TC-114与KH-15复配对铁氧体颗粒进行包覆。结果表明:包覆后的锰锌铁氧体纳米颗粒均是尖晶石结构,偶联剂包覆使纳米锰锌铁氧体颗粒尺寸变小,其中TC-114与KH-151复配后包覆得到的锰锌铁氧体纳米颗粒粒径最小(17.7 nm),比未包覆的颗粒减少10.9 nm。经TC-114、KH-151包覆后的锰锌铁氧体颗粒FT-IR光谱中分别出现了Ti-O-Fe,Si-O-S两个新的吸收峰。Zeta电位测试结果表明其有最低电位-46.1 mV,在所测pH范围最稳定(绝对值均大于30 mV),分散效果最佳。烧结后包覆颗粒的饱和磁化强度大幅提高,其中经TC-114与KH-151复配包覆的颗粒比未包覆提高了29.5%,矫顽力降低了32.3%。; 侯强李兴华王桂新张玉孟彭会芬王新; 关键词：钛酸酯硅烷 ZETA电位

一种制备MnZn铁氧体的方法: 本发明为一种制备MnZn铁氧体的方法，该方法采用碳酸氢铵和氨水为沉淀剂进行回流转化，成型前用硅烷和钛酸酯偶联剂复合进行包覆改性，制备具有单原子包覆层的MnZn铁氧体纳米粉体，利用偶联剂水解基团与纳米粉体表面有较好的反应性...; 王新王桂新侯强李兴华; 文献传递

快中子辐照直拉硅的退火机制: 文章用FTIR和金相显微镜研究了快中子辐照对直拉硅氧化诱生缺陷的影响.快中子辐照直拉硅经两步退火后体内产生了大量氧沉淀诱生体层错、位错以及位错环.在500～700℃低温预退火过程中,辐照缺陷的变化直接影响到后续高温退火后...; 李兴华李养贤陈贵锋刘丽丽蔡莉莉杨帅李洪涛; 关键词：FTIR 快中子辐照直拉硅辐照缺陷空位退火; 文献传递

中子辐照缺陷的机理研究: 高能粒子辐照硅单晶,入射粒子会与硅原子发生库仑作用、电磁作用或核反应,引起粒子能量的损失.晶格位受碰撞的原子获得的能量大于硅原子的位移能量阀值时,就会在晶体中产生空穴和自间隙原子对.他们会与硅单晶中的氧、氮、磷等杂质发生...; 李兴华; 关键词：硅单晶辐照缺陷; 文献传递

预烧温度对锰锌铁氧体微观结构和磁学性能的影响被引量：2: 2012年; 采用硫酸盐与氢氧化钠沸腾回流共沉淀法制备的锰锌铁氧体纳米粉体,通过XRD、VSM和激光粒度分析对不同温度预烧粉体进行了物相、磁学性能、粉体粒度的研究,同时研究了这些粉体经过成型,烧结,所得到环形烧结体的磁感应强度和微观结构。结果表明:预烧温度为600℃时,饱和磁化强度为59.36 emu/g,而600℃预烧的粉体经过成型,在1000℃烧结所得到的环形烧结体,室温时饱和磁感应强度Bs为0.417 T,微观结构匀称,缺陷较少,空洞较少,晶粒大小在3μm左右。; 李兴华侯强王桂新张玉孟彭会芬王新; 关键词：锰锌铁氧体预烧磁感应强度微观结构

一种制备MnZn铁氧体的方法: 本发明为一种制备MnZn铁氧体的方法，该方法采用碳酸氢铵和氨水为沉淀剂进行回流转化，成型前用硅烷和钛酸酯偶联剂复合进行包覆改性，制备具有单原子包覆层的MnZn铁氧体纳米粉体，利用偶联剂水解基团与纳米粉体表面有较好的反应性...; 王新王桂新侯强李兴华; 文献传递

快中子辐照直拉硅的退火机制: 文章用FTIR和金相显微镜研究了快中子辐照对直拉硅氧化诱生缺陷的影响。快中子辐照直拉硅经两步退火后体内产生了大量氧沉淀诱生体层错、位错以及位错环。在500～700℃低温预退火过程中,辐照缺陷的变化直接影响到后续高温退火后...; 李兴华李养贤陈贵锋刘丽丽蔡莉莉杨帅李洪涛; 关键词：快中子辐照辐照缺陷空位; 文献传递

快中子辐照直拉硅辐照缺陷的研究: 本文对快中子辐照直拉硅的辐照缺陷在退火过程中的转化机制和辐照缺陷对高温退火后氧化诱生缺陷的影响进行了研究。实验结果表明对快中子辐照直拉硅进行100℃-700℃短时热处理以后，间隙氧含量([Oi])随温度增长出...; 李兴华; 关键词：快中子辐照直拉硅辐照缺陷; 文献传递

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李兴华