李月霞
- 作品数：14 被引量：31H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院院长基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析被引量：5
- 1998年
- 采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿．
- 彭英才刘明余明斌余明斌奚中和李月霞
- 关键词：半导体量子点
- (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究被引量：4
- 2000年
- 采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺 ,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源和PH3 作为磷原子的掺杂剂 ,在 p型 ( 10 0 )单晶硅 ( (p)c -Si)衬底上 ,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜 ( (n)nc Si:H) ,进而制备了 (n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结 ,并在 2 30— 42 0K温度范围内实验研究了该异质结的I V特性 .结果表明 ,(n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结为一典型的突变异质结构 ,具有良好的温度稳定性和整流特性 .正向偏压下 ,该异质结的电流输运机理为复合 隧穿模型 .当正向偏压VF<0 .8V时 ,电流输运过程由复合机理所支配 ;而当VF>1.0V时由隧穿机理决定 .反向偏压下 ,该异质结具有良好的反向击穿特性 .
- 彭英才徐刚毅何宇亮刘明李月霞
- 关键词：载流子输运性质
- 3～5.3μmIn_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As非对称台阶量子阱红外探测器被引量：2
- 1998年
- 本文报道我们率先研制出的３～５．３μｍＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能．该探测器具有光伏特征，７７Ｋ温度、±７Ｖ外偏压下的５００Ｋ黑体探测率达到约１．０×１０１０ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，并且，与１→２子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外（３～５．３μｍ）波段作适当调谐．运用平面波展开法，依据样品的阱、垒结构参数，计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ非对称台阶量子阱１→２子带间跃迁的Ｓｔａｒｋ效应。
- 吴文刚常凯江德生李月霞郑厚植
- 关键词：红外探测器
- GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应
- 1994年
- 在ＧａＡｓ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结中，我们观察到二维热电子的负磁阻效应，随着电场强度的增加，负磁阻效应增强，对我们的样品而言，Δσ／σ（０）的幅度可达２０％以上．一个简单的理论分析表明：实验结果能够被弱磁场中的电子能量弛豫率的增加导致二维热电子的磁冷却所解释．
- 程文超朱景兵李月霞宋爱民郑厚植
- 关键词：异质结负阻效应热电子
- 光子存储单元的光伏效应被引量：3
- 2004年
- 报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ Ⅴ特性上的响应 .当单元偏置在光存储模式下 ,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃 .利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应 ,验证了“开关”光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程 .其时间常数是光存储时间的一种度量 ,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ
- 卞松保李桂荣唐艳胡冰李月霞杨富华郑厚植
- 关键词：光伏效应Ⅰ-Ⅴ特性禁带宽度瞬态响应
- 利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度被引量：2
- 1994年
- 利用双势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度．采用高斯型朗道态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好，由此得到朗道能级模型态密度．根据拟合自洽地给出了二维浓度、费密能级、子带能量和有效Ｌａｎｄｅ因子随磁场振荡变化的规律．
- 宋爱民郑厚植杨富华李月霞李承芳
- 关键词：朗道能级态密度二维电子双势垒
- 掺杂nc-Si∶H膜的电导特性被引量：6
- 2000年
- 采用常规 PECVD工艺 ,以高纯 H2 稀释的 Si H4 作为反应气体源 ,以 PH3作为 P原子的掺杂剂 ,在 P型 ( 1 0 0 )单晶硅 ( c- Si)衬底上 ,成功地生长了掺 P的纳米硅膜 ( nc- Si( P)∶ H)膜 .通过对膜层结构的 Raman谱分析和高分辨率电子显微镜 ( HREM)观测指出 :与本征 nc- Si∶H膜相比 ,nc- Si( P)∶ H膜中的 Si微晶粒尺寸更小 (～ 3nm) ,其排布更有秩序 ,呈现出类自组织生长的一些特点 .膜层电学特性的研究证实 ,nc- Si( P)∶ H膜具有比本征 nc- Si∶ H膜约高两个数量级的电导率 ,其 σ值可高达 1 0 - 1～ 1 0 - 1Ω- 1· cm- 1.这种高电导率来源于 nc- Si( P)∶H膜中有效电子浓度 ne的增加、Si微晶粒尺寸的减小和电导激活能 ΔE的降低 .采用 nc- Si( P)∶H膜和 P型 c- Si制备了异质结二极管 ,其反向击穿电压值可高达 75V,而反向漏电流却仅有几个 n A。
- 彭英才刘明何宇亮李月霞
- 关键词：掺杂半导体薄膜
- GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As短周期超晶格中负微分电导效应的观察
- 1995年
- 1970年,Esaki和Lsu提出了半导体超晶格的概念,旨在获得一个全新物理范畴的电子性质.由于超晶格中电子态之间的耦合,导致微带形成,载流子在这些微带中的输运将展现出新的物理现象,例如,Esaki和Lsu所预言的负微分电导效应.然而,后来在超晶格中载流子纵向输运实验上所观察到的低温条件下的负微分电导效应是由于高场畴或者级连共振隧穿引起的.最近,Sibille等人在GaAs/AlAs短周期超晶格中在室温条件下观察到Esaki-Lsu所预言的负微分电导效应.在本文中,我们给出了GaAs/Al_0.3Ga_0.7As短周期超晶格在300K和77K温度下的微带输运实验结果,两个温度下的实验数据均表现出清楚的负微分电导效应,而且77K温度下的微带电导明显地大于300K下的微带电导,这与理论的预言是相符的.
- 徐士杰刘剑郑厚植李月霞李承芳郑海群
- 关键词：ALGAAS超晶格砷化镓
- 异质结电荷注入晶体管被引量：1
- 1996年
- 通过对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究，以及对器件工作特性的测量分析，在理论上给出了器件过程的物理机制，并对器件结果提出了进一步的改进措施．
- 李桂荣郑厚植李月霞郭纯英李承芳张鹏华杨小平
- 关键词：异质结电荷注入晶体管
- GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的热电子磁声子共振测量
- 1990年
- 在4.2K,我们测量了GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的二维热电子的磁声子共振。高电场下,SdH振荡消失以后,在二维系统中,除清楚地观察到LO声子振荡外,还观察到X点双TA声子振荡。
- 程文超李月霞梁基本
- 关键词：GAAS-ALGAAS异质结
