您的位置： 专家智库 > >

李朝友

作品数：4 被引量：4H指数：2
供职机构：云南师范大学物理与电子信息学院物理系更多>>
发文基金：云南省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇势垒
  • 2篇陶瓷
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导电
  • 1篇导电机制
  • 1篇导体
  • 1篇陶瓷介电
  • 1篇皮秒
  • 1篇皮秒激光
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇钛酸钡陶瓷
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇介质损耗
  • 1篇金属
  • 1篇激光
  • 1篇光电

机构

  • 4篇云南师范大学
  • 2篇北京大学

作者

  • 4篇李朝友
  • 4篇杨海
  • 3篇蔡武德
  • 3篇孔正坤
  • 1篇许梅
  • 1篇吴锦雷
  • 1篇余鸿飞

传媒

  • 3篇云南师范大学...
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
金属/n型半导体(Au/n-Ga N)肖特基势垒的研究(英文)
2001年
材料 Au/ n Ga N在 60 0℃温度淬火后 ,利用电流 -电压测量、XPS谱研究金 Au和 n型 Ga N半导体形成的接触势垒。电流 -电压测量得到肖特基势垒平均高度和理想因子分别为 1 .2 4 e V、1 .0 3,理想因子为 1 .1 2的势垒最大高度为 1 .35e V。 XPS数据表明 :60 0℃温度的淬火导致能带向上弯曲 0 .35e V,随着金的沉积在同一方向产生进一步的能带弯曲 0 .2 5e V。我们的结论可以用 Cowley-Sze模型来解释 ,结论表明 :在 Ga
杨海李朝友蔡武德许梅
关键词：肖特基势垒氮化镓
PTCBaTiO_3半导陶瓷介电迟豫特性
1999年
实验发现，掺Ｍｎ的ＰＴＣ钛酸钡样品损耗因子在样品的温度高于其居里点后，首先随温度缓慢变化，然后在某一温度处开始增大；其原因是：外场频率ω＜ω１（ε）时，ε１（ω）是ω的增函数，温度增加时，τ迅速下降，故Ｄ增加。由此可知，随着温度增加，Ｄ首先缓慢变化，然后在某一温度处，迅速增加。
孔正坤杨海蔡武德李朝友
关键词：PTC半导体陶瓷介质损耗介电常数钛酸钡陶瓷
新型NTC(金属PTC陶瓷)复合材料的导电机制被引量：2
2000年
报道了用传统固态烧结工艺制备的金属 PTC陶瓷复合材料的NTC现象 ,研究结果表明这种NTC现象是由于镜像力作用导致金属半导体肖特基势垒高度减低所致。
杨海李朝友余鸿飞蔡武德孔正坤
关键词：NTC肖特基势垒
应用于检测超快激光脉冲的薄膜研究进展及其应用前景被引量：2
1999年
应用于检测皮秒激光脉冲的薄膜（Ａｇ－ＢａＯ）是一种新型的光电薄膜。基于我们的研究综述了这种超微粒子薄膜的研究进展和应用前景。
杨海孔正坤李朝友吴锦雷
关键词：光电薄膜
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0