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李维聪

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇NLDMOS
  • 2篇SOI
  • 2篇铂
  • 2篇催化
  • 2篇催化剂
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电池
  • 1篇电路
  • 1篇电阻
  • 1篇直接甲醇
  • 1篇直接甲醇燃料...
  • 1篇三元合金
  • 1篇铜催化
  • 1篇铜催化剂
  • 1篇前驱体
  • 1篇驱动芯片
  • 1篇燃料电池
  • 1篇芯片
  • 1篇耐压

机构

  • 6篇东南大学

作者

  • 6篇李维聪
  • 2篇钱钦松
  • 2篇徐谦
  • 1篇孙伟锋
  • 1篇易扬波
  • 1篇李海松
  • 1篇宋慧滨

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2022
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
三元合金铂钌铜催化剂的制备方法及应用于甲醇催化
本发明属于燃料电池催化剂技术领域，涉及一种三元合金铂钌铜催化剂的制备方法，包括：将铂/钌/铜前驱体溶于溶剂搅拌均匀；用溶剂溶解表面活性剂和还原剂得还原剂溶液；将配好的还原剂溶液在磁力搅拌下加入到前驱体溶液中，密封0～20...
苏华能李维聪张玮琦刘会园徐谦
500V耗尽型NLDMOS器件研究被引量：1
2008年
基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法。分析了沟道注入工艺对器件阈值电压和表面电场分布的影响,综合利用RESURF技术和线性漂移区技术,改善耗尽型NLDMOS的表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。在漂移区长度L≤50μm下,器件击穿电压达到600 V以上,可以应用于LED驱动芯片整流器电路等各种高压功率集成电路。
李维聪李海松孙伟锋
关键词：耗尽型高压LDMOS
PDP扫描驱动芯片用高压器件研究
SOI（Silicon-on-Insulator）高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）器件具有寄生电容和隔离面积较小，与体硅工艺兼容以及完全介质隔离等优点，由其组成的高压驱动电路...
李维聪
关键词：高压驱动电路
文献传递
二元金属铂钯棱柱状催化剂的制备方法及其应用于直接甲醇燃料电池
本发明属于燃料电池催化剂技术领域，涉及一种二元金属铂钯棱柱状催化剂的制备方法，包括：将铂前驱体和钯前驱体溶于含有还原剂的溶剂中，搅拌均匀，加入表面活性剂分散后，再加入碳载体，超声混合均匀得到前驱体溶液；然后将前驱体溶液转...
苏华能李维聪彭凯张玮琦徐谦
文献传递
PDP行驱动芯片用高压SOI NLDMOS研究
文章提出了一种适合于PDP行驱动芯片用的高压SOI NLDMOS器件结构，分析了SOI LDMOS的击穿电压与SOI层厚度、埋氧层厚度的关系，并对器件饱和电流大小和开态耐压进行了优化。经过TSUPREM-4和MEDICI...
易扬波李维聪钱钦松
关键词：驱动芯片绝缘体上硅
文献传递
200V高压SOI PLDMOS研究被引量：1
2009年
提出了一种200V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8μm埋氧层、10μmSOI层材料上设计得到了关态耐压248V、开态饱和电流2.5×10-4A/μm、导通电阻2.1(105Ω*μm的SOI PLDMOS,该器件可以满足PDP扫描驱动芯片等的应用需求。
宋慧滨李维聪钱钦松
关键词：击穿电压导通电阻SOI
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