李运超
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：内蒙古民族大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区教育厅科研基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 斜入射离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的分子动力学模拟
- 2009年
- 采用分子动力学(MD)模拟方法,从原子尺度上研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)薄膜过程中离子束入射角对薄膜结构的影响.重点讨论了不同的离子束入射角所对应的薄膜表面模型,平均密度和sp3键含量.结果表明,离子束斜入射加强了入射原子的水平动能,从而加强了原子水平迁移;Ar离子斜入射时C原子迁移率均比垂直入射大,薄膜密度和sp3键含量都比垂直入射小.不同的离子束入射角随着到达比和入射能的变化,对薄膜结构的影响不同.离子束斜入射时可以得到不同结构的膜.
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- 关键词：类金刚石薄膜入射角离子束辅助沉积分子动力学模拟
- 金刚石缺陷表面吸附和类金刚石离子束辅助沉积的计算机模拟
- 本文的主要研究工作如下：
(1)本文用MD方法在原子层次模拟研究了(不同入射能量的)C2分子在金刚石(001)-(2×1)表面的吸附过程，重点讨论了无缺陷衬底和缺陷衬底上多个对应位置对C2分子的吸附过程，并作出...
- 李运超
- 关键词：类金刚石薄膜碳团簇
- 文献传递
- CH_4在再构的金刚石(001)-(2×1)表面吸附的计算机模拟研究被引量：1
- 2008年
- 用分子动力学模拟方法,研究了甲烷(CH4)在金刚石(001)-(2×1)表面的碰撞动力学过程与化学吸附构型的关系.观察到了甲烷分子表面碰撞产生的5种化学吸附结构,主要讨论了入射位置以及甲烷入射时的空间取向和入射能量对吸附结构的影响,并分析了单次碰撞过程和CH4分子与表面的能量交换关系.
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- 关键词：甲烷分子金刚石表面
- C_2分子在有缺陷和无缺陷两种不同金刚石表面吸附的计算机模拟比较
- 2008年
- 本文用分子动力学方法在原子层次模拟研究了(不同入射能量的)C2分子在金刚石(001)-(2×1)表面的吸附过程,重点讨论了无缺陷衬底和缺陷衬底上多个对应位置对C2分子的吸附过程,并作出比较,结果表明,有缺陷底靶对C2分子的吸附效果要好于无缺陷底靶对C2分子的吸附效果.
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- 关键词：分子动力学模拟
- Ar离子辅助沉积对含氢类金刚石薄膜结构影响的计算机模拟被引量：1
- 2009年
- 选C2分子和一定量的H原子作为沉积源,Ar离子作为辅助沉积粒子,采用分子动力学(MD)方法模拟研究离子束辅助沉积(IBAD)生长类金刚石(DLC)膜的物理过程.给定Ar的入射能量并改变Ar的到达比(Ar/C),研究辅助沉积对DLC膜结构的影响;重点讨论Ar辅助沉积引起表面原子的瞬间活性变化对薄膜结构产生的影响.结果表明,由于Ar离子轰击引起的能量和动量的传递,增加了合成薄膜的SP3键含量,增大了合成薄膜的密度,加宽了沉积粒子和衬底的结合宽度,研究结果和实验观察一致,并从合成机理上给出一些定量解释.
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- 关键词：离子束辅助沉积分子动力学模拟
