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柯博

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇等离子体
  • 2篇等离子体装置
  • 2篇电极
  • 2篇电极系统
  • 2篇直流辉光
  • 2篇直流辉光放电
  • 2篇金刚石
  • 2篇均匀等离子体
  • 2篇辉光
  • 2篇辉光放电
  • 2篇刚石
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇射频
  • 1篇离子
  • 1篇离子束
  • 1篇离子源
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅基

机构

  • 4篇中国科学技术...

作者

  • 4篇柯博
  • 3篇丁芳
  • 3篇朱晓东
  • 2篇詹如娟
  • 2篇倪天灵
  • 1篇陈牧笛
  • 1篇周海洋
  • 1篇温晓辉
  • 1篇倪添灵
  • 1篇汪磊

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
直流辉光等离子体装置及金刚石片的制备方法
本发明实施例公开了一种直流辉光等离子体装置，包括：电极系统、水冷真空系统和电源控制系统，所述电源控制系统包括脉冲直流电源。本发明提供的装置可以在高气压条件下采用放电的脉冲运行，有效地抑制辉光向弧放电转移，能够得到稳定的高...
朱晓东丁芳詹如娟倪天灵柯博
文献传递
ECR等离子体/离子束平台建设与硅基纳米材料的调控生长
高密度等离子体在包括离子注入、等离子体刻蚀和沉积在内的等离子体工艺中有着重要的应用。微波电子回旋共振等离子体(ECR)是典型的高密度等离子体之一，迄今已发展多种形式的ECR等离子体源及基于ECR放电的离子源，它们具有结构...
柯博
关键词：ECR等离子体离子源硅基纳米材料
直流辉光等离子体装置及金刚石片的制备方法
本发明实施例公开了一种直流辉光等离子体装置，包括：电极系统、水冷真空系统和电源控制系统，所述电源控制系统包括脉冲直流电源。本发明提供的装置可以在高气压条件下采用放电的脉冲运行，有效地抑制辉光向弧放电转移，能够得到稳定的高...
朱晓东丁芳詹如娟倪天灵柯博
电子回旋共振-射频双等离子体沉积氧化硅薄膜过程中的射频偏压效应被引量：1
2010年
本文利用六甲基乙硅氧烷(HMDSO)和氧气(O2)为反应气体,利用微波电子回旋共振-射频双等离子体化学气相沉积法沉积氧化硅薄膜,并利用发射光谱对等离子体特性进行原位诊断.研究表明,RF偏压对氧化硅薄膜沉积速率和薄膜中的化学键结构产生有意义的影响.小的直流自偏压会略微提高沉积速率;但随着直流自偏压的增加,离子轰击效应及刻蚀作用加强,薄膜的沉积速率下降.在13.56MHz和400kHz两个不同射频频率条件下所沉积的薄膜中,O和Si的比例基本相同,均超过2∶1;但400kHz射频偏压下薄膜中的碳成分比例比13.56MHz条件下的要高得多.这可以归因为高的射频偏压的应用不仅可增强离子轰击效应,而且与体等离子体相互作用,使高活性的氧原子增多;而低频偏压的作用主要是增强离子轰击效应.
柯博汪磊倪添灵丁芳陈牧笛周海洋温晓辉朱晓东
关键词：氧化硅薄膜
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