樊玉薇
- 作品数：14 被引量：25H指数：3
- 供职机构：东南大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 微间隙击穿性能的研究
- 1993年
- 本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P的关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响,对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。
- 吴冲若樊玉薇
- 关键词：微机械加工硅集成电路电击穿
- 功能薄膜电化学沉积技术的新进展被引量：3
- 1996年
- 电化学技术被广泛用于新型材料和结构的制备研究中。本文结合作者正在开展的研究工作，综述近年来电化学技术在半导体薄膜、氧化物超导薄膜、导电聚合物以及复合功能材料制备中的应用。该技术及其所制备的材料在光电转换、光开关和量子激光器等方面将获得广泛的应用。
- 李永祥樊玉薇吴冲若
- 关键词：电化学沉积半导体复合功能材料
- 陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究
- 1996年
- 陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究樊玉薇，贾连娣，吴冲若（东南大学电子工程系，南京２１００１８）为使钛酸钡系陶瓷正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）的电阻率在一定范围内，一般方法是通过控制原材料纯度、微量元素分布均匀性与工艺过程一致性来减小阻值分散［１］，而对烧...
- 樊玉薇贾连娣吴冲若
- 关键词：陶瓷热敏电阻氢处理降阻正温度系数PTCR
- CdTe半导体薄膜的电化学原子层外延技术及其机理研究
- 该课题研究一种低成本外延沉积化合物半导体CdTe材料的新方法--电化学原子层外延(ECALE)技术.从其关键基础一欠电势沉积(UPD)技术出发,对ECALE的沉积机理及过程进行了探讨.运用自行设计的小体积、易于溶液交换的...
- 樊玉薇
- 关键词：原子层外延CDTE薄膜性能表征
- 钛酸钡基热敏电阻器低温调阻法
- 1998年
- 通过陶瓷与酸的相互作用，使钛酸钡基ＰＴＣＲ陶瓷材料烧成样品的阻值上升。酸处理工艺条件对阻值上升幅度有一定影响。酸处理后的样品的综合电性能的变化，确定了用酸处理升高阻值的可行性。运用复阻抗分析法对样品阻值上升前后晶粒、晶界电阻的变化进行了研究。分析了酸处理过程中阻值变化的规律。运用叠加势垒模型分析了酸处理使阻值升高的机理。
- 樊玉薇陈后胜吴冲若
- 关键词：钛酸钡基PTCR热敏电阻器酸处理
- PTCR阻值的控制与调整被引量：6
- 1995年
- 从晶粒电阻、晶界电阻以及陶瓷基体与金属电极接触电阻三方面详细讨论了材料配方及工艺对PTCR阻值的影响规律.烧结后样品阻值可通过后续处理调整到所需的数数.
- 孙平樊玉薇贾连娣吴冲若陈后胜
- 关键词：正温度系数热敏电阻器
- 微间隙击穿性能的研究
- 1993年
- 本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响。对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。
- 吴冲若樊玉薇
- 关键词：集成电路硅
- Si_3N_4膜绝缘与击穿特性的研究被引量：3
- 1993年
- 论述以SiH_4+Ar+N_2为源气体的PECVD氮化硅膜层绝缘与击穿特性。通过改变沉积温度、反应气体比、沉淀时间等因素,系统研究了这些沉积工艺参数对Si_3N_4膜绝缘耐压性能的影响。在一定的沉积条件下,得到了耐压性能可与LPCVD工艺所沉漠层相比拟的优质Si_3N_4介质膜。在用AES对膜层微观成份分析的基础上,对Si)3N_4膜的三步沉膜机理进行了一些有益探讨。
- 吴冲若樊玉薇
- 关键词：氮化硅膜电击穿绝缘电性质
- 电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究被引量：5
- 1998年
- 阐述了一种外延沉积化合物半导体的新方法———电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ），并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论．着重研究了Ⅱ、Ⅳ族元素Ｃｄ、Ｔｅ的电化学欠电势沉积，根据电化学循环伏安曲线，研究了Ｔｅ与Ｃｄ在ＳｉＡｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值．由此确定了在ＳｉＡｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ、Ｃｄ原子层的方法．在此基础上，初步进行了多次交替沉积，并用ＡＦＭ与ＡＥＳ研究了所得样品表面形貌与成分．
- 樊玉薇李永祥吴冲若
- 关键词：ECALECDTE
- 功能电子陶瓷PTCR性能的研究
- 樊玉薇
