汪波
- 作品数：40 被引量：335H指数：12
- 供职机构：中国人民解放军海军工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划创新研究群体科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程天文地球理学更多>>
- 焊料层空洞对IGBT芯片温度分布影响分析被引量：5
- 2015年
- 基于IGBT七层结构,建立三维有限元模型,模拟研究焊料层空洞对芯片温度场的影响,讨论空洞对芯片结温作用机理。研究表明:焊料层空洞改变芯片散热途径,影响芯片温度分布;单个空洞越大,芯片结温越高,在中心和外边缘位置结温升高更加显著;对于多个空洞,分布越密集,结温越高。
- 夏燕飞罗毅飞汪波刘宾礼
- 关键词：有限元模型温度分布
- IGBT断态下瞬时开通机理与模型预测研究
- 2009年
- 针对IGBT断态下由外加dv/dt引起的瞬时开通现象,基于IGBT的工作机理与物理模型进行分析并建立预测模型,并且实现了模型所需参数的准确提取。并针对某型器件采用该模型进行仿真计算,计算结果与实验测量值具有较好的一致性,证明了该模型方法的准确性。该模型对于指导IGBT的工程应用具有实际价值。
- 唐勇陈明汪波
- 关键词：IGBT
- IGBT极限功耗与热失效机理分析被引量：24
- 2016年
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最大功耗是安全工作区的重要组成部分,与外部散热装置、内部热阻以及使用工况等有关,而器件手册给出的最大功耗是理想值,难以反映实际工况,若设计不当会造成IGBT热击穿失效。基于对IGBT功耗以及结-壳稳态热阻的温度特性分析,通过联立IGBT功耗的温度曲线和结-壳传热功耗的温度曲线进行热平衡分析,得到了结温的热稳定点、非稳定点以及临界点,由此得到了在临界点处的IGBT极限功耗,对在非稳定点时IGBT结温和功耗间的正反馈关系分析了IGBT热失效机理,最后进行了实验验证。
- 汪波罗毅飞张烁刘宾礼
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管热平衡
- 基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法研究被引量：9
- 2017年
- 提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学,对IGBT电气特征量——集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能退化机理进行详细分析,查明了其随性能退化应力水平和施加时间的变化规律。在此基础上,通过将理论分析与解析描述相结合,建立针对IGBT芯片性能退化的集电极漏电流健康状态监测方法。仿真和实验结果验证了该方法的正确性与准确性。该方法对于实现IGBT芯片性能退化进程监控具有一定的理论意义和应用价值。
- 刘宾礼肖飞罗毅飞汪波熊又星
- 关键词：阈值电压
- 一种FS型IGBT开关瞬态模型建立方法
- 本发明提供了一种FS型IGBT开关瞬态模型的建立方法，通过采用一些新的模型方法与假设条件，建立了一种FS型IGBT的新型开关瞬态仿真模型，该模型根据FS型IGBT的结构特点和工作机理，在FS层内采用了大注入假设和双极输运...
- 唐勇孙驰胡安陈明汪波肖飞刘宾礼揭桂生
- 文献传递
- 一种提高电能变换装置功率密度的方法
- 一种提高电能变换装置功率密度的方法。本发明公开了一种基于热平衡分析的IGBT参数尽限使用设计方法，根据IGBT热击穿失效机理，采用建立的IGBT电热模型仿真得到在给定参数条件下的导通功耗、开关功耗和断态功耗的温度曲线，相...
- 唐勇汪波孙驰胡安陈明肖飞刘宾礼罗毅飞
- 文献传递
- IGBT结温及温度场分布探测研究被引量：13
- 2011年
- 绝缘栅双极型晶体管I(GBT)采用传统的集总参数热路法只能得到一个平均结温,不能获得芯片表面的温度场分布,因此有必要开展结温探测及温度场分布研究。先在数值仿真软件ANSYS热仿真分析环境里采用有限单元法(FEM)得到模块温度场分布,利用红外热成像仪探测IGBT模块芯片表面结温,获得了结温瞬态温度场分布,分析了结温温升及温度场分布特征,可知高温区域出现在芯片边缘及引线键合焊点处。以上分析对研究该类电力电子器件工作结温温升和芯片表面温度分布及散热设计具有较高的指导价值。
- 陈明胡安唐勇汪波
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管结温温度场分布
- 基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法
- 本发明属于电力电子器件与装置可靠性技术领域，具体涉及一种基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法。安装调试完毕后，投入使用之前，在一定条件下测试IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率并标记初始值；器...
- 刘宾礼罗毅飞肖飞汪波夏燕飞陶涛熊又星王钰
- IGBT关断瞬态过压击穿特性研究被引量：5
- 2011年
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)过压击穿是一种常见的失效方式,由于线路和器件内部分布杂散电感,关断瞬态时会产生过大的电压尖峰从而引起过压击穿,通常误认为一旦发生过压击穿IGBT就会发生破坏性失效。针对此问题,基于IGBT结构和PN结雪崩电压击穿特性,从理论和实验出发研究了IGBT发生过压击穿时的工作特性和失效机理,说明了过压击穿引起的失效本质仍然是结温过高的热失效,最后通过实验证明IGBT可承受短时过压击穿。
- 汪波胡安唐勇陈明
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管电压击穿
- 电力电子器件短时脉冲工作的结温特性研究被引量：11
- 2010年
- 绝缘栅双极晶体管(IGBT)等全控型电力电子器件是激光发射、电磁轨道炮等新概念武器中电能变换装置的核心部件,这些装置通常处在短时脉冲工作状态下,需要在非常短的时间内对储存的能量进行处理并将其释放,因而其中的电力电子器件具有导通电流大,工作结温高且波动范围大的特点。由于电力电子器件的工作性能与可靠性等均与其工作结温直接相关,因此掌握器件的结温特性对于确保其安全、可靠与优化使用意义重大。从理论上分析了短时脉冲下结温上升和波动过程的特殊性,采用仿真软件对不同工作条件下的结温特性进行了对比分析,使用一种高速红外测温设备对某型IGBT芯片工作结温进行了实际测量。
- 唐勇陈明汪波
- 关键词：电力电子器件
