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王乃明

作品数：10 被引量：13H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金苏州市国际科技合作项目更多>>
相关领域：电气工程电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 4篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇电池
  • 6篇太阳能
  • 6篇太阳能电池
  • 6篇晶格
  • 6篇超晶格
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇太阳电池
  • 2篇叠层
  • 2篇太阳光
  • 2篇太阳光谱
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇膜层
  • 2篇晶格结构
  • 2篇键合
  • 2篇光谱
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇MBE生长
  • 2篇层结构

机构

  • 10篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 2篇北京科技大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 10篇王乃明
  • 10篇郑新和
  • 7篇甘兴源
  • 7篇王海啸
  • 6篇吴渊渊
  • 4篇杨辉
  • 3篇陈曦
  • 2篇杨辉
  • 2篇文瑜
  • 2篇李宝吉
  • 1篇王建峰
  • 1篇夏宇

传媒

  • 3篇中国科学：物...
  • 2篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
太阳能电池及其制作方法
本申请公开了一种太阳能电池，包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了...
王乃明郑新和吴渊渊甘兴源王海啸杨辉
文献传递
碲和镁掺杂的新型GaAs隧道结的MBE生长与器件特性被引量：1
2014年
本文采用分子束外延(MBE)的生长方法,研究了单质碲(Te)和单质镁(Mg)分别作为n型和p型掺杂剂时在III-V族半导体GaAs中的掺杂行为,并且实现了以Te和Mg为掺杂剂的新型GaAs隧道结的生长.通过对生长温度、As4与Ga束流强度V/III比和掺杂剂束流强度的优化调节,获得了载流子迁移率较高且晶体质量良好的重掺杂的GaAs样品;在此基础上生长的新型n-GaAs(Te)/p-GaAs(Mg)隧道结的峰值电流密度高达21 A/cm2.
甘兴源郑新和吴渊渊王海啸王乃明
关键词：砷化镓分子束外延隧道结
基于量子点超晶格结构的太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种基于量子点超晶格结构的太阳能电池，包括有源区，该有源区包括第一i-GaAs层、第一GaNAs/InGaAs超晶格结构、第二InGaAs超晶格结构、第二i-GaAs层，其中第二InGaAs超晶格结构设于第一G...
卢建娅陈曦郑新和王乃明
基于量子点超晶格结构的太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种基于量子点超晶格结构的太阳能电池，包括有源区，该有源区包括第一i‑GaAs层、第一GaNAs/InGaAs超晶格结构、第二InGaAs超晶格结构、第二i‑GaAs层，其中第二InGaAs超晶格结构设于第一G...
卢建娅陈曦郑新和王乃明
文献传递
高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为被引量：5
2013年
采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,Ga束流超过N的等效束流时,In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.
吴渊渊郑新和王海啸甘兴源文瑜王乃明王建峰杨辉
关键词：晶体质量
1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计被引量：2
2013年
使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.为在实验上较好地控制所需带隙,我们利用传输矩阵方法从理论上计算了实现1eV带隙下超晶格的周期数、垒层厚度以及In,N的浓度,并进一步讨论分析1eV带隙下的多个相关参数的对应关系以及超晶格的应变状态.
王海啸郑新和文瑜吴渊渊甘兴源王乃明杨辉
关键词：太阳能电池
GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性被引量：2
2015年
采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。
郑新和夏宇刘三姐王瑾侯彩霞王乃明卢建娅李宝吉
关键词：超晶格太阳电池分子束外延生长
1eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计被引量：4
2013年
使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一.为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸收带边为1 eV的GaInAs/GaNAs超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态.结果表明:GaNAs与GaInAs作为超晶格阱层材料在实现1 eV的吸收带边时具有不同的考虑和要求;在固定1 eV的吸收带边时,GaNAs材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿,将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能电池有源区.
王海啸郑新和吴渊渊甘兴源王乃明杨辉
关键词：KRONIG-PENNEY模型太阳能电池
不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性
2015年
本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复性和界面品质变好,然而当继续增加周期厚度至30 nm时,超晶格品质劣化.上述生长现象通过简单模型进行了分析讨论.同时,通过退火优化,实现了周期厚度为20 nm的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池,短路电流密度超过10 mA/cm2.
王乃明郑新和陈曦甘兴源王海啸李宝吉卢建娅杨辉
关键词：分子束外延太阳电池快速退火
太阳能电池及其制作方法
本申请公开了一种太阳能电池，包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了...
王乃明郑新和吴渊渊甘兴源王海啸杨辉
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