王建新
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- MBE GaAs/Si材料应力性质的研究被引量：1
- 1991年
- 用光致发光谱及高分辨率的X射线双晶衍射对 MBE GaAs/Si异质结材料进行研究,发现GaAs外延层和Si衬底存在一定的晶向偏离,整个GaAs外延层呈现双轴张应力,这是GaAs和Si的晶格失配导致的双轴压应力和热膨胀系数失配导致的双轴张应力的总结果.本文根据一定的物理假设,推导出GaAs外延层中的平均应力,表明应力与材料所处的温度相关.据此,本文进一步用光致发光谱测量了25K至 260K温度范围内的应力,发现应力随温度的增大而下降,与理论公式反映的规律吻合.
- 胡福义李爱珍王建新
- 关键词：GAAS/SIMBE外延层应力
- 三毫米砷化镓梁式引线混频二极管研究
- 1991年
- 毫米波段介于微波波段和红外波段之间,兼有这两个波段的一些固有特点,其优点是抗干扰能力强、精度高、信息容量大,全天侯能力较强。在射电天文、等离子物理、遥感和国防工程上具有广泛的应用前景。毫米波混频管是毫米波系统中关键的元器件,国内对触须式混频管研究较多,但它的可靠性差,不能应用于实践之中,本文报导了能适合于机、弹、星载上应用的高可靠性三毫米GaAs梁式引线混频管的研究工作。现已研究制出具有介质加强框架的梁式引线混频管样品,初步结果为:在64GHz下,NF=10.4～10.5dB,在37GHz下双边带噪声系数包括中放NF=3.1dB。
- 夏冠群李爱珍郭方敏王建新施健杨悦非
- 关键词：毫米波砷化镓混频二极管
- 分子束外延Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱
- 1992年
- 报道了(100)半绝缘GaAs衬底和(100)掺Te GaSb衬底上分子束外延法生长的Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱特性,分析解释了引起两种衬底上Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y外延材料红外光谱差异的原因.实验确定了这种材料的带隙和相应波长,与内插法计算的结果进行了比较,发现所有样品的实验值均偏大于理论值,对此进行了理论探讨.
- 毕文刚李爱珍郑燕兰王建新李存才
- 关键词：红外光谱多元合金合金
- 用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料被引量：1
- 1991年
- 本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10^(14)～1.2×10^(19)cm^(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10^(14)cm^(-3),μ_(77)=8.47×10~4cm/V.s。深入研究了Be反扩散所引起的E-B结和B-C结偏位的抑制。并给出了用该材料研制出的HBT单管(β=50,f_T=7.5GHz,在2GHz下,G=13dB)和NTL及CML倒相器逻辑单元电路(其中NTL在电流电压2V下,逻辑摆幅为20mV)的结果。
- 王建新郑燕兰邱建毕李存才陈自姚朱福英谭文玲李爱珍
- 关键词：分子束外延砷化镓双极晶体管
