王昱琳
- 作品数：37 被引量：47H指数：5
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术环境科学与工程更多>>
- 单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法
- 本发明提供的单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法，它是通过采用功率密度很高的激光束照射半导体表面需要退火的区域，在照射区将产生温度随时间的变化率很大、持续时间短的骤冷、骤热过程；将该温度骤变过程控制在合适的变化...
- 叶玉堂吴云峰焦世龙张雪琴赵爱英刘霖王昱琳
- 文献传递
- 湿法腐蚀的红外热像对比研究被引量：5
- 2006年
- 提出了一种研究半导体湿法腐蚀进程的红外热像法。将半导体基片浸泡于化学试剂中,利用红外热像仪探测红外腐蚀信号,并由计算机进行处理,得到热像图。对GaAs在不同配比溶剂中的腐蚀进程进行了红外热像的对比研究,结果表明:红外热像法可以观测到对比实验的显著差异,并直观地表征了基片、腐蚀剂以及腐蚀时间的相互关系。
- 范超叶玉堂焦世龙刘霖陈镇龙吴云峰王昱琳田骁
- 关键词：红外热像湿法腐蚀半导体
- 双次曝光积分效应实现杂质浓度分布均匀化
- 2006年
- 激光诱导扩散中,当入射激光光强为高斯分布甚至均匀分布时,微小扩散区的温度分布不均匀。由于扩散系数是温度的函数,必将导致扩散后杂质浓度分布的均匀性较差,无法制作出高性能的p-n结。提出采用多次激光诱导扩散的积分效应来实现杂质浓度分布的均匀化整形。对于InP衬底的CO2激光诱导Zn扩散,利用温度闭环测控系统测得的基片表面热斑温度场分布,分析计算了两次激光诱导扩散重叠区域的浓度分布积分效应。在此基础上模拟计算出,用双次曝光积分效应做杂质浓度分布的均匀化整形时,基片上两次激光照射位置的最佳间隔为20μm。这为改进激光诱导扩散工艺,用多次曝光实现面均匀的杂质浓度分布奠定了理论基础。
- 王昱琳叶玉堂吴云峰赵爱英焦世龙范超
- 关键词：激光诱导扩散
- 短波长OEIC光接收机前端设计及制作被引量：2
- 2008年
- 基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。
- 范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂
- 关键词：光电集成电路光接收机前端跨阻放大器
- 一种探测器－光纤耦合的全方位自对准方法
- 本发明提出了一种探测器-光纤耦合的全方位自对准方法，它是利用激光辅助腐蚀技术在半导体衬底背面生成腐蚀孔，制作圆孔型探测器。光纤插入圆孔中，即与正面的探测器光敏面精确对准，实现探测器-光纤全方位自对准耦合，不仅提高尾纤-探...
- 叶玉堂刘霖吴云峰赵素英杨先明范超王昱琳
- 文献传递
- 基于均值去噪与图像增强的方差滤波器被引量：10
- 2008年
- 为了使图像既能去除噪声又获得增强,基于平滑低通滤波器、中值滤波器去除图像噪声原理和改进的巴特沃斯高通滤波器的图像对比度增强与边缘保持的原理,提出了一种新的均值去噪与图像增强的方差滤波器。实验结果表明,该方差滤波器无论在噪声去除、对比度增强、边缘保持等方面都优于上述3种滤波器。
- 乔闹生叶玉堂刘霖黄永林陈镇龙王昱琳方亮
- 关键词：图像复原图像增强
- 杂质Zn在InP中的扩散机制被引量：1
- 2005年
- 介绍了杂质Zn在InP中的两种扩散机制,间隙-替代机制和Kick-out机制。InP为n型时,扩散机制为间隙-替代式;InP为p型时,扩散机制为Kick-out式。重点介绍了三种不同模型,解释Zn在InP中通过间隙原替代机制进行扩散时,空穴浓度与Zn浓度不同的原因,并评价了三种模型。
- 赵爱英叶玉堂吴云峰王昱琳张雪琴范超焦世龙
- 关键词：INPINPZNP型
- 激光化学诱导液相腐蚀新方法被引量：4
- 2005年
- 提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法——抗蚀膜掩蔽法。抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀中,用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制。理论分析和实验结果都表明,抗蚀膜掩蔽法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状;因不需要对激光光束进行聚焦,光传播垂直于基片表面,制作出的腐蚀孔侧壁可以具有很高的垂直度;利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点,使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等,腐蚀面内各点没有明显的高度差。因为以上优点,抗蚀膜掩蔽法能克服现有激光腐蚀方法的诸多弊端,简化激光腐蚀工艺,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。
- 刘霖叶玉堂赵素英刘娟秀范超吴云峰王昱琳
- 关键词：光电子半导体化合物
- 一种单片光电集成回路的制作方法
- 本发明公开了一种单片光电集成回路的制作方法，它是利用激光辅助微细加工技术制作单片光电集成回路，即在制作光器件过程中，利用激光的高度定域性，在扩散、合金等高温工艺中使得高温区域严格限制在光器件所在区域，从而避免对基片上已做...
- 叶玉堂吴云峰焦世龙赵爱英张雪琴王昱琳
- 文献传递
- 激光化学腐蚀孔直径控制与横向腐蚀特性被引量：11
- 2005年
- 提出了一种激光诱导液相腐蚀的抗蚀膜掩蔽法。理论分析和实验结果表明,该方法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状;因不需要对激光光束进行聚焦,光传播垂直于基片表面,制作出的腐蚀孔侧壁具有很高的垂直度;利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点,使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等,腐蚀面内各点没有明显的高度差;避免了激光对腐蚀孔侧壁的直接照射,横向腐蚀由激光化学腐蚀变为轻微化学腐蚀,大大降低了横向腐蚀对腐蚀孔形状的影响。为说明抗蚀膜掩蔽法的横向腐蚀问题,专门对GaAs基片的轻微腐蚀性能进行了研究并报道了有价值的实验结果。
- 刘霖赵素英刘娟秀范超吴云峰王昱琳叶玉堂
- 关键词：光电子半导体化合物
