王祥
- 作品数：34 被引量：11H指数：3
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- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信经济管理一般工业技术更多>>
- 下转换发光材料的制造方法
- 本发明公开了一种下转换发光材料的制造方法，形成步骤包括：步骤一、提供多靶磁控溅射设备；步骤二、安装多个靶材，靶材根据所要形成的稀土掺杂氧化物进行选取，稀土掺杂氧化物的基质材料为稀土钒酸盐或稀土铌酸盐，靶材包括：基质材料对...
- 宋超郑桦黄锐郭艳青王祥宋捷林圳旭张毅李洪亮
- 文献传递
- 硅基太阳能电池及其制造方法
- 本发明公开了一种硅基太阳能电池，包括：硅基电池本体，设置在入射光路径上的光子转换发光材料层，光子转换发光材料层包括上或下转换发光材料层；上转换发光材料层将光子进行由低到高的能量转换且发射到硅基电池本体中；下转换发光材料层...
- 宋超郑桦黄锐王祥郭艳青宋捷张毅林圳旭李洪亮
- 文献传递
- 高密度纳米硅结构的低温构筑与发光特性研究
- 在硅基发光材料的研究当中，低维的硅基材料由于具有神奇的物理特性而备受关注.目前硅基发光材料的研究已取得很大的进展，其中，令人鼓舞的突破性进展是2000年在镶嵌纳米硅晶粒的二氧化硅系统中光增益的实现[1].尽管镶嵌纳米硅晶...
- 黄锐王祥宋捷郭艳青丁宏林
- 控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响被引量：3
- 2008年
- 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2.eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.
- 丁宏林刘奎王祥方忠慧黄健余林蔚李伟黄信凡陈坤基
- 关键词：二氧化硅纳米硅
- 下转换发光材料的制造方法
- 本发明公开了一种下转换发光材料的制造方法，形成步骤包括：步骤一、提供多靶磁控溅射设备；步骤二、安装多个靶材，靶材根据所要形成的稀土掺杂氧化物进行选取，稀土掺杂氧化物的基质材料为稀土钒酸盐或稀土铌酸盐，靶材包括：基质材料对...
- 宋超郑桦黄锐郭艳青王祥宋捷林圳旭张毅李洪亮
- 一种在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上直接快速制备单层石墨烯的方法
- 本发明公开了一种在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上直接快速制备单层石墨烯的方法，主要步骤为：先在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上淀积一层晶化金属催化材料薄膜，然后将固态碳源均匀涂于金属催化材料薄膜表面...
- 郭艳青黄锐宋捷宋超王祥李洪亮林圳旭张毅
- 文献传递
- 一种氧化锆复合生物陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种氧化锆复合生物陶瓷的制备方法，包括以下步骤：A、准备如下质量份数的原料，100～120份的氧化锆、10～15份的氧化钇、3～5份的氧化镁、1～2份的氧化铝、1～2份的碳酸钙；B、将步骤A准备的原料混合后进...
- 宋超王祥张博栋宋捷黄锐林少敏董建宏刘汉旭
- 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管及制备方法
- 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4－20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a－SiN<Sub>x</Sub>薄膜，薄膜厚度在40－100nm之间，在a－SiN<Sub>x</Sub>薄膜上再镀有薄...
- 黄锐陈坤基钱波韩培高李伟徐骏王祥马忠元黄信凡
- 文献传递
- 金字塔形ε-FeSi颗粒的制备及磁性研究
- 硅基自旋电子学发展中遇到的一个瓶颈就是缺乏可以实际应用的硅基半导体磁性材料。ε-FeSi是一种立方结构窄带隙半导体，单晶ε-FeSi体材通常被认为是一种顺磁材料。不同于体材，ε-FeSi薄膜以及ε-FeSi纳米线呈现出了...
- 王祥
- 关键词：磁学性质化学气相沉积法
- 热力学第二定律的教学体会
- 2012年
- 本文介绍了热力学第二定律的教学方法、效果和体会。结合生活中的热现象讲授热力学第二定律,便于学生弄懂热力学第二定律的原理,既能激发学生的学习兴趣,又能提高教学质量。
- 王祥
- 关键词：热力学第二定律教学体会
