王胜利
- 作品数：58 被引量：76H指数：5
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺建筑科学理学更多>>
- 一种复合抑制剂在CMP中的应用
- 本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用，旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率，增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力，有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KO...
- 王辰伟田源张雪周建伟王胜利刘启旭
- 专用复合型表面活性剂在微电子技术中的应用
- FA/O活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛，尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料。本文主要对表面活性剂的作用机...
- 檀柏梅刘玉岭赵之雯郝子宇周建伟王胜利
- 关键词：硅片表面活性剂微电子技术
- 文献传递
- 铌酸锂晶片CMP中工艺参数对去除率的影响
- 采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铌酸锂晶片进行化学机械抛光研究,讨论了抛光压力、转速、流速等工艺参数对材料去除率的影响。结果表明,铌酸锂晶片化学机械抛光去除率与抛光工艺参数有着密切的关系。不降低表面质量,在抛光压力为140k...
- 王胜利武晓玲刘玉岭贾小欣
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光去除率
- 文献传递
- 砷化镓基半磁半导体及锰砷纳米粒子制备研究
- 杨瑞霞袁炳辉张富强刘力锋王胜利邓艺文
- 该项目通过不同注入和退火条件的组合，实现了对GaAs:MnAs磁性半导体中MnAs粒子生长过程、尺度、密度和分布的控制，制备出铁磁居里温度在320K左右，室温矫顽力在200-600Oe范围的GaAs:MnAs磁性半导体，...
- 关键词：
- H_2O_2基的碱性阻挡层抛光液对Co CMP的影响被引量：5
- 2016年
- 由于钴(Co)具有优良的化学物理特性成为下一代极大规模集成电路阻挡层材料之一。Co在碱性抛光液中易被氧化进而钝化其表面,导致Co的去除速率降低甚至低于Cu的去除速率。针对上述问题,研究了螯合剂和H2O2对Co去除速率的影响以及不同体积分数表面活性剂对Co粗糙度的影响。优化并确定了当抛光液p H值为9,Si O2磨料质量分数为4%,螯合剂、H2O2以及表面活性剂的体积分数分别为3.0%、0.05%和1.5%时,Co和Cu的去除速率分别为56.7 nm·min-1和38.3 nm·min-1。结果表明,螯合剂和H2O2协同作用提高了Co的去除速率并降低了Co和Cu之间的电位差,有效地控制了二者之间的电偶腐蚀。
- 潘辉王胜利张乐王辰伟高娇娇
- 关键词：H2O2阻挡层去除速率
- 锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法
- 本发明涉及一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法，包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计主要由下列原料组成：磨料粒径15‑110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7 Mohs的SiO<Sub>2</Sub>水溶胶磨料10...
- 牛新环檀柏梅王如孙鸣王胜利
- 文献传递
- 碱性抛光液中螯合剂对Cu/Ta电偶腐蚀的影响（英文）被引量：1
- 2017年
- 铜钽(Cu/Ta)界面在化学机械抛光(CMP)中易发生电偶腐蚀。研究了碱性抛光液中螯合剂对铜钽开路电位以及抛光速率的影响。利用静态与动态下的电化学方法,分别测得开路电压和动电位极化曲线,表征了铜钽分别在不同螯合剂体积分数的抛光液中的化学反应速率。CMP结果表明,随着螯合剂体积分数的增加,铜的去除速率不断增加,而钽的去除速率先增加后降低。同时,通过静态腐蚀实验和表面状态表明,随螯合剂体积分数增加,铜表面络合反应加快,而钽表面钝化加重。当螯合剂的体积分数为0.2%时,在动态情况下,铜钽之间腐蚀电位差降到0mV,表明螯合剂可以极大地降低Cu/Ta电偶腐蚀。
- 李月王胜利王辰伟李祥州刘玉岭
- 关键词：钽电偶腐蚀螯合剂
- 一种复合抑制剂在CMP中的应用
- 本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用，旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率，增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力，有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KO...
- 王辰伟田源张雪周建伟王胜利刘启旭
- pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响被引量：5
- 2007年
- 采用化学机械抛光方法,自制碱性抛光液对铌酸锂晶片进行抛光,通过试验得出适宜铌酸锂晶片抛光的pH值,配合压力、流量等外界参数可以得到较高的表面质量和较快抛光速率。分析了铌酸锂晶片在碱性条件下的去除机理和抛光液的pH值及抛光液中各个组分对抛光速率和表面质量的影响。
- 武晓玲刘玉岭王胜利刘长宇刘承霖
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光PH值
- 抛光液组成对LiNbO_3 CMP去除速率的影响被引量：4
- 2008年
- 影响LiNbO3化学机械抛光速率的因素很多,如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等。主要研究了抛光液对去除速率的影响,采用磨料+碱+活性剂的配方,首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理,然后结合各因素的部分相关实验,从机械、化学角度分析其性质特点,对LiNbO3晶片的去除速率进行了研究。结果表明,在保证获得较好抛光表面的前提下,采用的磨料质量分数越高越好,但活性剂体积分数不宜过高,溶液pH值采用无机碱进行调节,即可获得较高的去除速率。
- 侯丽辉刘玉岭王胜利孙薇时慧玲张伟
- 关键词：铌酸锂去除速率抛光液
