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王言虹

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇电阻
  • 4篇体效应
  • 4篇自加热
  • 4篇自加热效应
  • 4篇浮体效应
  • 4篇半导体
  • 4篇串联电阻
  • 3篇衬底
  • 2篇增益
  • 2篇输出信号
  • 2篇图像
  • 2篇图像传感器
  • 2篇转换增益
  • 2篇像素
  • 2篇劣化
  • 2篇漏极
  • 2篇介质隔离
  • 2篇沟槽隔离
  • 2篇硅衬底
  • 2篇感器

机构

  • 7篇上海集成电路...

作者

  • 7篇王言虹
  • 4篇范春晖
  • 4篇奚鹏程
  • 2篇周伟
  • 1篇肖慧敏

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元及方法
本发明的一种用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元及方法，通过增加一辅助测量单元，其包括与悬浮漏极相并联的一个或多个附加电容，在同样条件下，对第一像素单元和第二像素单元进行光响应测量，根据两种像素单元相对应的输出信...
顾学强周伟王言虹
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用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元及方法
本发明的一种用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元及方法，通过增加一辅助测量单元，其包括与悬浮漏极相并联的一个或多个附加电容，在同样条件下，对第一像素单元和第二像素单元进行光响应测量，根据两种像素单元相对应的输出信...
顾学强周伟王言虹
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一种有效收集衬底电流的LDMOS制备方法
本发明公开了一种有效收集衬底电流的LDMOS的制备方法，该方法采用标准的LDMOS的制备工艺，仅仅需要通过如下的版图设计来实现可以有效收集衬底电流的LDMOS，即用有源区版，N型漂移区，P型体区以形成LDMOS器件的漏区...
顾学强肖慧敏王言虹
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一种半导体器件的结构和形成方法
本发明公开了一种半导体器件的结构，使用常规半导体衬底进行半导体器件的制造，通过堆叠工艺和背面沟槽工艺，使得无需使用SOI衬底，就可制造出全隔离的NMOS和PMOS器件；同时，通过背面N+注入和P+注入、背面接触孔和背面金...
顾学强范春晖王言虹奚鹏程
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一种半导体器件结构和制备方法
本发明公开了一种半导体器件结构，使用常规半导体衬底进行半导体器件的制造，通过背面沟槽隔离与浅沟槽隔离相连，实现了器件之间完全的介质隔离；背面沟槽隔离底部与N+源漏和P+源漏接触，消除了N+源漏与P阱、P+源漏与N阱之间的...
顾学强范春晖王言虹奚鹏程
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一种半导体器件结构和制备方法
本发明公开了一种半导体器件结构，使用常规半导体衬底进行半导体器件的制造，通过背面沟槽隔离与浅沟槽隔离相连，实现了器件之间完全的介质隔离；背面沟槽隔离底部与N+源漏和P+源漏接触，消除了N+源漏与P阱、P+源漏与N阱之间的...
顾学强范春晖王言虹奚鹏程
一种半导体器件的结构和形成方法
本发明公开了一种半导体器件的结构，使用常规半导体衬底进行半导体器件的制造，通过堆叠工艺和背面沟槽工艺，使得无需使用SOI衬底，就可制造出全隔离的NMOS和PMOS器件；同时，通过背面N+注入和P+注入、背面接触孔和背面金...
顾学强范春晖王言虹奚鹏程
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