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王长安
作品数:
31
被引量:52
H指数:4
供职机构:
华中理工大学电子科学与技术系
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
电气工程
化学工程
机械工程
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合作作者
徐重阳
华中科技大学
赵伯芳
华中科技大学
周雪梅
华中理工大学电子科学与技术系
邹雪城
华中科技大学
张少强
华中理工大学电子科学与技术系
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相关作者
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机构
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文献类型
31篇
中文期刊文章
领域
26篇
电子电信
3篇
电气工程
1篇
化学工程
1篇
机械工程
主题
15篇
非晶硅
9篇
晶体管
9篇
薄膜晶体
9篇
薄膜晶体管
8篇
硅薄膜
6篇
非晶
5篇
多晶
5篇
多晶硅
5篇
液晶
5篇
液晶显示
5篇
液晶显示器
5篇
显示器
4篇
多晶硅薄膜
4篇
非晶硅薄膜
4篇
半导体
4篇
TFT
3篇
导体
3篇
电池
3篇
异质结
3篇
有源矩阵
机构
30篇
华中理工大学
1篇
华中科技大学
1篇
香港科技大学
作者
31篇
王长安
30篇
徐重阳
23篇
赵伯芳
20篇
周雪梅
17篇
邹雪城
14篇
张少强
8篇
曾祥斌
4篇
戴永兵
4篇
符晖
3篇
李兴教
3篇
饶瑞
2篇
于天洪
2篇
张洪涛
2篇
丁晖
2篇
陈斌
2篇
墙威
1篇
熊智斌
1篇
李楚容
1篇
李强
1篇
周雪梅
传媒
4篇
光电子技术
4篇
半导体光电
3篇
微电子学
2篇
太阳能学报
2篇
仪器仪表学报
2篇
电子学报
2篇
功能材料
2篇
微细加工技术
2篇
压电与声光
2篇
电子元件与材...
2篇
华中理工大学...
1篇
陶瓷工程
1篇
电源技术
1篇
半导体杂志
1篇
液晶通讯
年份
1篇
2001
6篇
2000
2篇
1999
3篇
1998
4篇
1997
4篇
1996
7篇
1995
2篇
1994
1篇
1993
1篇
1992
共
31
条 记 录,以下是 1-10
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被引量排序
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16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺
被引量:1
1995年
研究一种新型的非晶硅PIN异质结荧光探测器的结构和制备工艺,详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性。实验表明,采用α-SiC/α-Si异质结构,提高淀积非晶硅基薄膜的本底真空度,优化制备工艺,可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。
王长安
徐重阳
周雪梅
张少强
赵伯芳
邹雪城
关键词:
非晶半导体
异质结
PIN光电二极管
具有双层背电极的非晶硅太阳电池热稳定性研究
1995年
提出一种采用铬的硅化物/铝的双层背电极的新型非晶硅PIN太阳电池结构。研究了铬的硅化物的特性和具有双层背电极非晶硅PIN太阳电池的热稳定性。金属硅化物能有效地阻挡两侧铝原子和硅原子的相互热扩散,从而可大大改善非晶硅太阳电池的热稳定性。
王长安
徐重阳
周雪梅
邹雪城
赵伯芳
关键词:
太阳电池
热稳定性
硅化物
a-Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究
被引量:2
1997年
对a-Si:HTFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行了研究。研究了Ta2O5/a-SiNx双绝缘层的制备技术,提出了一种新的双有源层结构a-Si:HTFT来降低背光源对器件特性的影响,研制的a-Si:HTFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。
张少强
徐重阳
王长安
周雪梅
邹雪城
赵伯芳
关键词:
有源矩阵
液晶显示器
光敏性
非晶硅薄膜晶体管矩阵的计算机辅助测试(英文)
被引量:1
1995年
本文提出了一种通过外接电容的耦和电压推算出晶体管特性的矩阵器件测试方法。利用本系统可以对晶体管进行逐个扫描,并推算出缺陷的类型和分布、矩阵板的均匀性及器件特性。同时文中引入了统计分析以确定标准值的范围。
符晖
徐重阳
邹雪城
张少强
袁奇燕
赵伯芳
周雪梅
王长安
关键词:
非晶硅
薄膜晶体管
计算机辅助测试
a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响
被引量:7
1997年
介绍了测定a-Si:HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a-SiNx:H薄膜淀积时反应气体NH3/SiH4流速比以及a-SiNx:H膜厚对a-Si:HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明:a-Si:HTFT的阈值电压随a-SiNx:H的膜厚增加而增大;增大X-SiNx:H薄膜淀积时NH3/SiH4气体流速比,可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。
王长安
熊智斌
张少强
赵伯芳
徐重阳
关键词:
阈值电压
氢化非晶硅
薄膜晶体管
薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究
被引量:5
1997年
本文研究了薄a-Si:H有源层结构的a-Si:HTFT的特性,实验结果表明,当a-Si:H层的厚度小于一个临界值时,a-Si:H厚度的变化对a-Si:HTFT静态特性的影响明显增大.文中详细分析了有源层背面空间电荷层对a-Si:HTFT特性的影响,从表面有效空间电荷层的概念出发,从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系,计算的临界有源层厚度为130nm,这与实验结果基本一致.
张少强
徐重阳
邹雪城
赵伯芳
周雪梅
王长安
戴永兵
关键词:
非晶硅
薄膜晶体管
有源层厚度
铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究
被引量:4
2001年
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响 ,确定了所制备的是多晶硅薄膜。
饶瑞
徐重阳
王长安
赵伯芳
周雪梅
曾祥斌
关键词:
金属诱导
非晶硅薄膜
低温晶化
多晶硅薄膜
PECVD法制备纳米硅薄膜材料
被引量:5
1999年
采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD) 法制备了纳米硅薄膜材料, 研究了工艺参数, 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。
曾祥斌
徐重阳
王长安
墙威
周雪梅
赵伯芳
戴永兵
关键词:
PECVD法
Sol-gel法制备纳米硅碳膜的研究
被引量:4
2000年
以长链甲基三甲氧基硅烷[CnH_(2n)+1Si(OCH_3)]和正硅酸乙脂(TEOS)两种有机物为起始原料,用溶胶-凝胶法制备出SiC凝胶膜,在Ar气氛下烧结,制备出了SiC膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中红键、酸及碱的作用。利用Raman光谱和透射电镜(TEM)结合XPS等测试方法对制得的膜进行了结构、颗粒尺寸及化学成分等的研究,根据分析和观察结果,膜由颗粒尺寸在直径为2nm-4nm,长度为20nm-40nm左右的SiC纳米晶须构成,纯度高,且膜为不均匀孔膜。
张洪涛
徐重阳
邹雪城
曾祥斌
王长安
赵伯芳
周雪梅
关键词:
纳米晶须
溶胶凝胶法
碳化硅
Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究
1998年
研究Al2O3/SiNX双层绝缘栅对a-Si∶HTFT性能的影响,介绍Al2O3/SiNX双层绝缘栅的制作方法.双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应,改善了短接现象,提高了有效介电常数,从而可减小膜厚,提高栅电容,使得阈值电压降低、开态电流上升,获得了107的开关电流比.
陈斌
徐重阳
王长安
赵伯芳
关键词:
栅电容
氢化非晶硅
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