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王长安

作品数：31 被引量：52H指数：4
供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程化学工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇中文期刊文章

领域

  • 26篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 15篇非晶硅
  • 9篇晶体管
  • 9篇薄膜晶体
  • 9篇薄膜晶体管
  • 8篇硅薄膜
  • 6篇非晶
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇液晶
  • 5篇液晶显示
  • 5篇液晶显示器
  • 5篇显示器
  • 4篇多晶硅薄膜
  • 4篇非晶硅薄膜
  • 4篇半导体
  • 4篇TFT
  • 3篇导体
  • 3篇电池
  • 3篇异质结
  • 3篇有源矩阵

机构

  • 30篇华中理工大学
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 31篇王长安
  • 30篇徐重阳
  • 23篇赵伯芳
  • 20篇周雪梅
  • 17篇邹雪城
  • 14篇张少强
  • 8篇曾祥斌
  • 4篇戴永兵
  • 4篇符晖
  • 3篇李兴教
  • 3篇饶瑞
  • 2篇于天洪
  • 2篇张洪涛
  • 2篇丁晖
  • 2篇陈斌
  • 2篇墙威
  • 1篇熊智斌
  • 1篇李楚容
  • 1篇李强
  • 1篇周雪梅

传媒

  • 4篇光电子技术
  • 4篇半导体光电
  • 3篇微电子学
  • 2篇太阳能学报
  • 2篇仪器仪表学报
  • 2篇电子学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇微细加工技术
  • 2篇压电与声光
  • 2篇电子元件与材...
  • 2篇华中理工大学...
  • 1篇陶瓷工程
  • 1篇电源技术
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇液晶通讯

年份

  • 1篇2001
  • 6篇2000
  • 2篇1999
  • 3篇1998
  • 4篇1997
  • 4篇1996
  • 7篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺被引量：1
1995年
研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性。实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高淀积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。
王长安徐重阳周雪梅张少强赵伯芳邹雪城
关键词：非晶半导体异质结PIN光电二极管
具有双层背电极的非晶硅太阳电池热稳定性研究
1995年
提出一种采用铬的硅化物／铝的双层背电极的新型非晶硅ＰＩＮ太阳电池结构。研究了铬的硅化物的特性和具有双层背电极非晶硅ＰＩＮ太阳电池的热稳定性。金属硅化物能有效地阻挡两侧铝原子和硅原子的相互热扩散，从而可大大改善非晶硅太阳电池的热稳定性。
王长安徐重阳周雪梅邹雪城赵伯芳
关键词：太阳电池热稳定性硅化物
a-Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究被引量：2
1997年
对a-Si:HTFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行了研究。研究了Ta2O5／a－SiNx双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构a－Si:HTFT来降低背光源对器件特性的影响，研制的a-Si:HTFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。
张少强徐重阳王长安周雪梅邹雪城赵伯芳
关键词：有源矩阵液晶显示器光敏性
非晶硅薄膜晶体管矩阵的计算机辅助测试(英文)被引量：1
1995年
本文提出了一种通过外接电容的耦和电压推算出晶体管特性的矩阵器件测试方法。利用本系统可以对晶体管进行逐个扫描,并推算出缺陷的类型和分布、矩阵板的均匀性及器件特性。同时文中引入了统计分析以确定标准值的范围。
符晖徐重阳邹雪城张少强袁奇燕赵伯芳周雪梅王长安
关键词：非晶硅薄膜晶体管计算机辅助测试
a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响被引量：7
1997年
介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。
王长安熊智斌张少强赵伯芳徐重阳
关键词：阈值电压氢化非晶硅薄膜晶体管
薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究被引量：5
1997年
本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致．
张少强徐重阳邹雪城赵伯芳周雪梅王长安戴永兵
关键词：非晶硅薄膜晶体管有源层厚度
铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究被引量：4
2001年
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响 ,确定了所制备的是多晶硅薄膜。
饶瑞徐重阳王长安赵伯芳周雪梅曾祥斌
关键词：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化多晶硅薄膜
PECVD法制备纳米硅薄膜材料被引量：5
1999年
采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ） 法制备了纳米硅薄膜材料， 研究了工艺参数， 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。
曾祥斌徐重阳王长安墙威周雪梅赵伯芳戴永兵
关键词：PECVD法
Sol-gel法制备纳米硅碳膜的研究被引量：4
2000年
以长链甲基三甲氧基硅烷[CnH_(2n)＋1Si（OCH_3）]和正硅酸乙脂（TEOS）两种有机物为起始原料，用溶胶－凝胶法制备出SiC凝胶膜，在Ar气氛下烧结，制备出了SiC膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中红键、酸及碱的作用。利用Raman光谱和透射电镜（TEM）结合XPS等测试方法对制得的膜进行了结构、颗粒尺寸及化学成分等的研究，根据分析和观察结果，膜由颗粒尺寸在直径为2nm－4nm，长度为20nm－40nm左右的SiC纳米晶须构成，纯度高，且膜为不均匀孔膜。
张洪涛徐重阳邹雪城曾祥斌王长安赵伯芳周雪梅
关键词：纳米晶须溶胶凝胶法碳化硅
Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究
1998年
研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低、开态电流上升，获得了１０７的开关电流比．
陈斌徐重阳王长安赵伯芳
关键词：栅电容氢化非晶硅
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