您的位置: 专家智库 > >

田杰

作品数:5 被引量:11H指数:2
供职机构:西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇沿面闪络
  • 5篇真空
  • 5篇闪络
  • 4篇陶瓷
  • 3篇可加工
  • 3篇可加工陶瓷
  • 2篇闪络特性
  • 2篇冲击电压
  • 1篇电子发射
  • 1篇沿面闪络特性
  • 1篇氧化铝
  • 1篇氧化铝陶瓷
  • 1篇陶瓷表面
  • 1篇体硅
  • 1篇二次电子
  • 1篇二次电子发射
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体硅
  • 1篇ICCD
  • 1篇掺杂

机构

  • 5篇西安交通大学
  • 1篇埼玉大学

作者

  • 5篇田杰
  • 5篇张冠军
  • 4篇郑楠
  • 4篇于开坤
  • 2篇刘国清
  • 1篇黄学增
  • 1篇赵文彬
  • 1篇李光新
  • 1篇马新沛

传媒

  • 1篇高电压技术
  • 1篇绝缘材料
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇电工电能新技...
  • 1篇中国电机工程...

年份

  • 1篇2011
  • 4篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
表面粗糙处理对可加工陶瓷冲击闪络特性研究被引量:3
2009年
长期以来,复合绝缘系统的耐电性能受制于其绝缘材料表面的沿面闪络,尤以真空闪络最为严重,大大限制了电真空器件的整体性能。以一种具有良好耐电性能的低熔点可加工陶瓷引入真空绝缘,通过不同砂纸打磨研究不同表面粗糙度对其闪络性能的影响。结果发现,在冲击电压作用下,随着材料表面粗糙程度的增加其闪络电压有上升的趋势,打磨方向垂直于电极连线方向的效果要优于打磨方向平行于电极连线方向。
田杰于开坤郑楠张冠军
关键词:沿面闪络真空可加工陶瓷
氢氟酸腐蚀对可加工陶瓷表面耐电的影响被引量:1
2009年
为了解决真空中的沿面闪络现象制约真空绝缘系统的整体性能的问题,提出将一种具有优良的可加工性能及表面耐电性能的微晶玻璃(又称可加工陶瓷)引入真空绝缘领域,研究了氢氟酸的体积分数φ(HF)不同时处理可加工陶瓷样品前后其电学特性的变化。利用X射线衍射(XRD)技术,定性分析了φ(HF)不同时处理样品后表面的玻璃相的体积分数φ(GP);采用光电结合的方法,测量了φ(HF)不同时处理样品在真空高压脉冲下的沿面闪络特性。φ(HF)不同时处理可加工陶瓷后,其表面φ(GP)和真空表面耐电性能均改变;φ(HF)越高,则样品表面的φ(GP)越低,真空耐电特性越好。通过氢氟酸处理可以腐蚀掉样品表面的玻璃相,从而改变了脱陷电子的"爬电高度",进而影响了可加工陶瓷的真空表面耐电性能。
刘国清于开坤田杰张冠军
关键词:可加工陶瓷沿面闪络真空
不同掺杂对可加工陶瓷二次电子发射及沿面闪络特性的影响被引量:5
2011年
固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空设备的发展进程。本文针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景,在不明显降低可加工性能的前提下,通过在可加工陶瓷原材料内掺杂不同的低二次电子发射系数金属氧化物Cu2O以及Cr2O3,研究掺杂之后材料的二次电子发射系数的变化,对不同掺杂工艺下试品的沿面闪络电压进行研究。结果发现:掺杂低二次电子发射系数金属氧化物能够相应降低可加工陶瓷材料的二次电子发射系数,通过研究不同加工工艺条件下材料的闪络电压,发现试样的闪络电压随其二次电子发射系数的降低而提高。
于开坤张冠军田杰郑楠黄学增马新沛李光新山纳康小林信一
关键词:沿面闪络可加工陶瓷真空
表面腐蚀对半导体真空闪络特性的影响
由于半导体材料的卓越特性,半导体器件逐渐向高电压,大功率方向发展。半导体材料在高电压及脉冲功率等领域的应用中,其沿面闪络现象已成为发展的过程中一个不可回避的重要问题。本文采用光电同步测量的方法,针对真空条件下(约4×10...
郑楠赵文彬田杰张冠军
关键词:半导体硅沿面闪络冲击电压
文献传递
真空冲击电压下氧化铝陶瓷沿面闪络现象的发展过程被引量:2
2009年
真空沿面闪络的发生与发展的过程是电气与电子领域众多学者长期以来所关注的问题,这一复杂的放电现象至今还不能完全从机理上给予说明。本文采用电气、光学联合检测的方法,利用增强型电荷耦合器件(ICCD)对真空冲击电压下氧化铝陶瓷沿面闪络现象的动态发展过程进行了研究,考察了在试样表面溅射金属薄膜电极对闪络发光现象的影响。从闪络的电压、电流和发光波形看出,闪络发生时的电流和发光峰值出现时间一致,并滞后于电压截断点。从ICCD图像可以发现,在试样表面发生完全闪络之前其表面已经出现预闪络发光通道,而沿面闪络发光的最强阶段出现在闪络发生之后的几十纳秒,此时电流出现最大值,能够发现在电极的边缘位置发光最为强烈;溅射电极之后试样的沿面闪络电压有所降低,闪络发生时的发光强度提高,在闪络发生时电极之间的材料内部可能出现体内的复合过程。
于开坤张冠军郑楠田杰刘国清
关键词:真空氧化铝陶瓷沿面闪络ICCD
共1页<1>
聚类工具0