秦国刚
- 作品数：144 被引量：226H指数：9
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法
- 本发明涉及一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体掺杂技术领域。该方法首先将硅样品抛光并清洗；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部放置连接射频电源的极板，在极板上放置大硅片；将杂质源和硅样品置于大硅片上，杂质源...
- 秦国刚李磊臧之昊张黎莉徐万劲张健
- 文献传递
- 大气中Pd-H(D)系中H(D)的释放及其表面附近H的分布被引量：1
- 1991年
- 将经过950℃热处理后缓慢冷却及淬火处理的Pd样品,分别作为阴极在重水(D_2O)和轻水(H_2O)中进行150h电解,以引入H和D。用X射线衍射方法测量Pd-H(D)系存放于大气中经过不同时间后的衍射图及β相晶格常数的变化,并用~1H(^(19)F,ar)^(16)O核反应测量H在各Pd-H(D)系表面层中的分布。淬火Pd与退火Pd相对比,在电解吸H(D)后,前者初始含H(D)百分比较高而H(D)的释放速度较快。H的浓度在Pd-H合金的表面处达到极大值而在离表面深度为数百埃处达到极小值。
- 秦国刚彭清智傅济时张丽珠张伯蕊
- 关键词：金属晶格
- 一种有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，属于光电技术领域。该有机电致发光器件的阳极由一个或多个p型多晶硅层和金属硅化物层组成，该阳极采用电子束蒸发沉积等方法淀积金属薄膜和p型非晶硅薄膜，利用金属诱导非晶硅晶化制得。...
- 秦国刚罗剑兴魏峰徐万劲
- 文献传递
- 发可见光多孔硅的电子顺磁共振研究被引量：1
- 1993年
- 本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧化制成多孔硅薄膜,其光致发光峰在可见光范围,其EPR信号(标记为PK6)来自三角轴对称的自旋中心,对称轴方向是衬底晶格的〈111〉晶向。该结果说明多孔硅中保留着单晶硅成份。分析PK6的对称性及其g张量主值发现它很可能是硅悬键。多孔硅粉末的EPR信号表现为PK6信号的无规取向平均谱。
- 贾勇强傅济时毛晋昌吴恩张伯蕊张丽珠秦国刚
- 关键词：多孔硅顺磁共振发光
- 以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件
- 本发明公开了一种以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件。在铜箔上利用化学气相淀积方法生长石墨烯薄膜，将所得的铜/石墨烯复合材料应用作半导体光电器件的阳极，例如作为顶发射有机电致发光二极管的阳极，能够简化工艺流程，提高...
- 秦国刚孟虎戴伦徐万劲
- 文献传递
- 一种顶出光电极及其制备方法
- 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素...
- 秦国刚马国立冉广照徐爱国乔永平
- 文献传递
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子
- 1991年
- 用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.
- 张树霖金鹰秦国刚盛篪周国良周铁成
- 关键词：GESI/SI应变层超晶格声学声子
- 一种图形化石墨烯的制备方法
- 本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶...
- 叶堉戴伦代宇秦国刚
- 发光多孔硅研究进展
- 1994年
- 发光多孔硅研究进展ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｉｎＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ￥／／秦国刚（北京大学物理系，教授北京１００８７１）硅是最重要的半导体材料，它在微电子领域有十分重要而广泛的应用。室温下硅的禁带宽度为１．...
- 秦国刚
- 关键词：硅多孔硅发光机制
- 富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究被引量：3
- 1998年
- 以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．以上实验结果与量子限制模型矛盾，却可用量子限制－发光中心模型解释．
- 马书懿秦国刚马振昌宗婉华吴正龙姚光庆孟祥提
- 关键词：氧化硅薄膜光致发光
