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程远超

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:北京航空航天大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金北京市科技新星计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电压激励
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机存储
  • 2篇交流磁化率
  • 2篇测量方法
  • 2篇超导
  • 2篇超导材料
  • 2篇磁化
  • 2篇磁化率
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇微磁传感器
  • 1篇膜制备
  • 1篇巨磁阻
  • 1篇巨磁阻抗
  • 1篇胶凝
  • 1篇感器
  • 1篇高灵敏
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 3篇北京航空航天...

作者

  • 3篇王三胜
  • 3篇程远超
  • 2篇褚向华
  • 1篇郭恺

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
4 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种超导交流磁化率测量装置及测量方法
本发明公开一种超导交流磁化率测量装置及测量方法,属于超导电子学领域。通过将被测超导材料放置初级线圈和次级线圈之间,然后一并固定在密闭真空室内,通过压缩制冷机对被测超导材料制冷,通过锁相放大器提取次级线圈感应的电压信号,同...
王三胜褚向华程远超
用于高灵敏微磁传感器的LMO膜制备与分析被引量:1
2011年
采用溶胶凝胶法制备了LaMnOx(LMO)薄膜,系统研究了不同烧结温度、纵向直流磁场后退火和生长膜层数对LMO薄膜的巨磁阻抗效应的影响。结果表明,烧结温度、膜的层数以及纵向磁场后退火处理均有效提高了LMO的巨磁阻抗比,其中纵向直流磁场后退火处理提高薄膜阻抗比效果最显著,经过10Oe、400℃恒温1h磁场后退火处理后,在频率5MHz、100Oe外磁场下其磁阻抗比达15.8%,相比未后处理样品磁阻抗比提高了一倍,其对应的磁场灵敏度为0.16%/Oe。同时,实验发现磁场后退火不仅影响薄膜的巨磁阻抗比,也会改变阻抗比极大值所对应的激励频率,这一现象目前仍在探究中。
郭恺王三胜程远超
关键词:磁传感器巨磁阻抗溶胶凝胶
一种超导交流磁化率测量装置及测量方法
本发明公开一种超导交流磁化率测量装置及测量方法,属于超导电子学领域。通过将被测超导材料放置初级线圈和次级线圈之间,然后一并固定在密闭真空室内,通过压缩制冷机对被测超导材料制冷,通过锁相放大器提取次级线圈感应的电压信号,同...
王三胜褚向华程远超
文献传递
共1页<1>
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