臧和贵
- 作品数：51 被引量：73H指数：5
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 双有机取代基TGS系列晶体生长与性能的研究
- 2000年
- 采用水溶液缓慢降温生长了一系列双有机取代基TGS晶体。系统地研究了此一系列晶体的生长形态 ,并分别与纯TGS的作了对比。测定了所生长晶体的单位晶胞参数、热释电性能参数 (热释电系数、介电常数、介电损耗、居里温度、自发极化强度及品质因子等 )、电滞回线和内偏压场。实验结果发现 :双有机取代基均成功地进入了晶体。晶体的生长形态、热释电性能、铁电性能均随双有机取代基种类以及浓度的变化而发生变化。探讨了双有机取代基对晶体生长形态、晶体热释电和铁电性能的影响机制 ,提出了掺质分子本身的特性和掺质中的功能基团是影响TGS晶体生长形态与性能的两大主要因素。晶体性能测试结果表明 ,多种双有机取代基TGS系列晶体性能较纯TGS晶体的有显著的提高 ,诸如 :掺质为 5 %L α 丙氨酸 + 5 %正丙醇和掺质为 5 %L α 丙氨酸 + 5 %异丙醇胺的TGS晶体的介电常数很小 ,品质因子约为纯TGS晶体的 3倍 ;5 %L α 丙氨酸 + 5 %正丙醇和掺 5 %L α 丙氨酸 + 5 %乳酸的TGS晶体的热释电系数是纯TGS晶体的 2倍左右 ,品质因子也变大。可见双有机取代基TGS系列晶体是一类有应用前景的热释电晶体材料 ,值得进一步更深入地研究。
- 李波王希敏臧和贵肖卫强常新安江少林张克从
- 关键词：TGS晶体溶液晶体生长
- 生长方式对DKDP晶体质量的影响研究被引量：1
- 2010年
- 本文进行了片状籽晶c向生长、点状籽晶全方位生长和锥头籽晶c向生长等不同方式的DKDP晶体生长研究。通过对不同生长方式分析、对比,认为锥头籽晶c向生长为最佳生长方式,以此方式在体积为10L的育晶器中顺利地生长出了c向尺寸达145mm的DKDP晶体。通过{100}晶面和{101}晶面面网密度和生长基元在不同晶面上成键的键能估算,结合晶体生长的Bravais法则和PBC理论对DKDP晶体生长习性进行了理论解释,同时对全方位生长晶体质量问题的成因进行了讨论。
- 常新安臧和贵陈学安肖卫强
- 关键词：DKDP晶体晶体质量键能
- Nb^(5+)对KTNP单晶生长的影响研究
- 2000年
- KTP晶体是一种优良的非线性光学晶体 ,若掺入激活离子Nd3 +可望其成为激光自倍频晶体。我们的前期工作表明 ,采用高温溶液籽晶降温法生长单掺Nd3 +的KTP(即KTNP)晶体时 ,Nd3 +的分配系数极小 ,且当溶液中Nd3 +浓度≥ 1 2 % (mol% )时即会析出紫红色NdPO4晶相 ,故无法进一步提高KTNP晶体中的Nd3 +浓度而达到激光自倍频的要求。为此 ,我们选择Nd5 +作为协同离子掺入KTNP晶体中部分取代Ti4+,以期补偿由于Nd3 +取代Ti4+时带来的电荷不平衡。结果发现这种协同作用非常显著。例如 ,掺Nd5 +1 %后 ,Nd3 +的分配系数比单掺Nd3 +增大了一个数量级以上 (约 1 2倍 ) ,同时NdPO4在体系中的溶解度也略有增大。掺Nd5 +后晶体生长习性变化很大 ,a向生长速率几乎为零 ,同属 [0 1 0 ]晶带的所有晶面均被平行于 [0 1 0 ]方向的细密台阶所代替 ,经细致观测这些台阶发现 ,每个台阶均由 {1 0 0 }、{6 0 1 }和 {2 0 1 }面族窄细的相应晶面组成。根据以上结论 ,我们采用a向尺寸较大的籽晶 ,在Nb5 +浓度达 1 %～ 3% ,Nd3 +浓度达1 0 %～ 1 3%的KTP溶液中生长了优质厘米级掺Nb5 +KTNP系列晶体。晶体的掺杂浓度和晶体性能测试工作正在进行中。
- 常新安张克从臧和贵肖卫强江少林王希敏
- 关键词：倍频晶体掺杂
- 非线性光学晶体多功能测试系统被引量：8
- 1998年
- 采用现代激光技术和光电子技术，根据晶体光学原理与非线性光学晶体的习性，设计了非线性光学晶体多功能测试系统。本系统具有结构紧凑，稳定可靠，一机多能的测试功能。
- 臧和贵张红肖卫强常新安王希敏张克从
- 关键词：测量系统
- 异价双掺KTP型系列晶体生长与性能研究
- 2000年
- 采用高温溶液缓慢降温籽晶法生长了一系列异价双掺KTP系列晶体。所选用的异价双掺离子分别为三价稀土离子 (Tm3 +、Yb3 +)和协同离子Nb5 +Ge4+。我们系统地研究了异价双掺KTP系列晶体的生长习性与其变化规律 ,发现掺Nb5 +系列的异价双掺KTP晶体都存在 ( 1 0 0 )晶面楔化现象 ;掺Ge4+系列的异价双掺KTP晶体均有利于提高 [1 0 0 ]方向的生长速率 ,对生长优质完整晶体有利。同时测定了异价双掺KTP系列晶体中各种掺质离子的浓度 ,并计算出相应的分配系数 ,发现各种掺质离子掺入晶体的能力各不相同 ,Nb5 +、Ge4+的掺入能力明显地高于Tm3 +、Yb3 +,Nb5 +的掺入能力高于Ge4+;Yb3 +的掺入能力高于Tm3 +;而且Nb5 +有利于提高Yb3 +、Tm3 +掺入晶体中的能力 ,起到了协同的作用 ,而Ge4+对此作用不大。测定了异价双掺KTP系列晶体的晶胞参数与激光Raman光谱 ,并与纯KTP晶体的作了对比均变化不大 ,此况说明了各种掺质离子均进入了KTP晶格格位 ,同时也说明了所生长的系列晶体均为KTP型晶体。测量了异价双掺KTP系列晶体的粉末倍频效应 ,测量结果表明 :Nb :Yb :KTP、Nb :Tm :KTP系列晶体的SHG效应均比纯KTP晶体的有所提高 ,但Ge :Yb :KTP、Ge :Tm :KTP系列晶体的SHG效应却均有明显的下降。今后拟进一步研究这些掺质离子进?
- 姚文生张克从常新安臧和贵江少林王希敏
- 关键词：掺杂
- KTNNP晶体的倍频效应研究
- 1999年
- 采用激光粉末倍频法，对掺入相同浓度Ｎｂ５＋ 离子（１％ ）和不同浓度Ｎｄ３＋ 离子的ＫＴＰ－ Ｋ６体系中生长的ＫＴＮＮＰ晶体进行了倍频效应测试。结果发现，ＫＴＮＮＰ晶体的倍频效应较ＫＴＰ晶体增强了４％ ～５％
- 臧和贵常新安肖卫强江少林王希敏张克从
- 关键词：倍频效应
- 新的NLO化合物Ce(MoO_2)(OH)(IO_3)_4的合成和晶体结构被引量：1
- 2005年
- 新的NLO化合物Ce(MoO2)(OH)(IO3)4由水热法在170℃下制备得到。X射线单晶结构分析表明,该化合物以极性空间群P21结晶,晶体学参数为:a=0.70144(8)nm,b=1.41554(10)nm,c=0.70969(6)nm,β=115.318(7),°V=0.6369(1)nm3,Z=2。Ce(MoO2)(OH)(IO3)4的晶体结构是由八配位的Ce3+阳离子,高度畸变的MoO66-八面体,和碘酸根阴离子基团组成的复杂三维网所构成。分析其结构表明,含有I(3)和I(4)的碘酸根基团的孤电子对的合成方向指向极化轴b,从而导致晶体结构具有非中心对称性。此外,红外光谱进一步证实了MoO6-6,IO-3基团和Mo-OH作用的存在。
- 张莉陈学安常新安臧和贵肖卫强
- 优质DKDP晶体的点状籽晶生长及其表征研究被引量：7
- 2003年
- 本文在研究DKDP溶液稳定性的基础上 ,采用Z切点状籽晶 (5mm× 5mm× 3mm)生长了多块DKDP晶体 ,在2 5 0ml和 10 0 0ml生长瓶中分别获得了在 [10 0 ]和 [0 0 1]向生长速度可达到 3mm/d和 4 5mm/d的点状籽晶生长优质DKDP晶体的生长条件。通过等离子体发射光谱 (ICP)和紫外可见光谱分析发现DKDP晶体柱面的金属离子含量比锥面高 ,柱面的紫外可见吸收比锥面大。性能测试结果表明 ,点状籽晶全方位生长的DKDP晶体的激光损伤阈值约为 5GW/cm2 、半波电压约为 4kV、动态消光比约为 16 0 0∶1。
- 刁立臣常新安臧和贵
- 关键词：DKDP晶体点状籽晶晶体生长
- 生长方式对DKDP晶体质量的影响研究
- DKDP晶体是一常用的电光与非线性光学材料,如何较快地生长出优质晶体材料一直是人们研究的课题。本研究室在这方面作了不少工作,先进行了片状籽晶c向快速生长研究[1],又进行点状籽晶全方位生长研究[2],发现在高纯溶液中,在...
- 常新安臧和贵陈学安肖卫强
- 文献传递
- 两个非心结构硼酸盐Bi2ZnB2O7和CaBiGaB2O7的合成、晶体结构和光学性质研究
- 两个非心结构硼酸盐Bi2ZnB2O7和CaBiGaB2O7由固相反应法在低于700°C下制备得到。X-射线单晶结构分析表明:前者以正交空间群Pba2结晶,晶体学参数为:a=1.0819(2)nm,b=1.1023(2)n...
- 陈学安杨纯艳常新安臧和贵肖卫强
- 文献传递
