苏艺菁
- 作品数：10 被引量：16H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 后栅型场发射显示器窜压现象的研究被引量：1
- 2011年
- 提出后栅型场发射显示器（FED）测试过程中的窜压现象,解释该现象的产生原因。阴极电极侧壁场发射电子轰击栅极导致电压表示数发生变化。针对此问题设计一种具有沟槽状介质层结构的后栅型FED从而避免阴极电极侧壁的电子发射。采用全印刷技术制作场发射显示阵列。实验表明此器件具有良好的发射稳定性及栅压调控特性,有效杜绝窜压现象的发生。阳极电压为600 V,栅极电压在100~250 V范围内对阳极电流有良好的调控作用。
- 吴朝兴胡利勤苏艺菁李昱郭太良
- 关键词：二次电子发射场致发射
- ZnO-Ni壳核丝状阴极的制备及其场发射性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用水热法在金属镍(Ni)丝表面生长氧化锌(ZnO)纳米材料。通过改变生长条件,制备出花状、锥状、管状、棒状四种形貌的ZnO-Ni壳核丝状阴极。采用扫描电子显微镜(SEM)观察所制备丝状阴极的表面形貌,采用X射线衍射(XRD)分析仪进行物相分析,结果表明所生长的纳米ZnO具有(002)晶面择优取向。测试比较了这四种形貌ZnO-Ni壳核丝状阴极的场发射性能,结果表明管状ZnO纳米材料能较好地改善阴极表面的微观形貌,提高了阴极的场增强效应。
- 苏艺菁胡利勤郑旭丹许亚红郭太良
- 关键词：水热法氧化锌场发射
- 碳纳米管场致发射平面背光源被引量：1
- 2010年
- 通过酸化、球磨、超声分散等工艺制备碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)悬浮液,利用电泳沉积技术制备CNT阴极,并真空封装制备成25.4cm(10in)的CNT场致发射平面背光源器件。采用扫描电子显微镜对CNT阴极样品的表面形貌进行表征,并对器件的场致发射性能进行测试。结果表明,当电场为1.76V/μm时,CNT场致发射平面背光源器件的亮度为6500cd/m2,亮度均匀性为89%,可应用于液晶显示器的背光源。
- 游玉香苏艺菁叶芸汤巧治张杰张永爱郭太良
- 关键词：碳纳米管背光源电泳场致发射
- 平行栅型场发射背光源器件的研究
- 苏艺菁
- 关键词：碳纳米管厚膜工艺
- 基于CNT-Ni丝状阴极的场发射荧光灯被引量：2
- 2010年
- 采用电泳法在金属镍(Ni)丝表面沉积碳纳米管(CNT)材料,制备成CNT-Ni丝状阴极,并在圆柱形玻璃灯管中对其进行二极结构的场发射性能测试。结果表明,CNT材料呈网状结构均匀平铺于Ni丝表面,CNT-Ni丝状阴极具有良好的场发射性能,开启场强为0.82V/μm;当阳压为3400V时,电流为2.3mA,发光亮度达到7500cd/m2;阳压为4000V时,丝状阴极场发射电流连续测试10h变化不大。
- 苏艺菁游玉香胡利勤汤巧治张杰张永爱郭太良
- 关键词：碳纳米管
- 衬底电极对SnO_2纳米材料场发射性能的影响被引量：3
- 2011年
- 采用高温气相氧化法分别在Si、Au、Cr和不锈钢等不同的衬底上生长氧化锡(SnO2)纳米材料,并对SnO2的表面形貌进行表征和场致发射性能测试。研究结果表明,以Si、Au、Cr、不锈钢为衬底,其场致发射的开启电场分别为3.6、2.3、2.45、1.7V/μm。不锈钢衬底电极SnO2阴极的场致发射性能最好,硅衬底电极SnO2阴极的场发射能力最差。
- 王灵婕林金阳苏艺菁游玉香郭太良
- 关键词：氧化锡场发射纳米材料
- 一种动态调光大面积场致发射背光源
- 本发明涉及一种动态调光大面积场致发射背光源，其包括若干个场致发射背光单元，所述若干个场致发射背光单元相互独立设于一平面上并排列组合成为大面积场致发射背光源。本发明解决了采用CCFL作为背光源时存在的色域窄、亮度均匀度不够...
- 郭太良叶芸张永爱林志贤林金堂游玉香苏艺菁
- 文献传递
- 薄膜衬底电极CNT阴极制备及场发射性能研究被引量：8
- 2011年
- 采用电泳沉积(EPD,electrophoretic deposition)法在不同薄膜衬底电极上制备碳纳米管(CNT,carbon nanotube)场发射阴极。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对其进行表面形貌表征,结果表明,EPD可以制得CNT均匀分布的场发射阴极。场发射测试结果表明衬底电极对CNT阴极的场发射性能有影响,分别选取CrCuCr金属复合薄膜和ITO透明导电薄膜作为衬底电极,其CNT阴极的开启电场分别为0.51和0.81 V/m;当阳流密度达到0.7 mA/cm2时,其阳极屏的发光亮度分别为995和834 cd/m2;CrCuCr-CNT阴极的开启电场较低,其电流密度可以稳定地达到0.9 mA/cm2以上,场发射性能相对较好。根据CNT与衬底电极接触的双势垒模型,对CNT阴极场发射性能进行了原因分析。
- 汤巧治叶芸游玉香苏艺菁张杰郭太良
- 关键词：场发射双势垒
- 一种动态调光大面积场致发射背光源
- 本发明涉及一种动态调光大面积场致发射背光源，其包括若干个场致发射背光单元，所述若干个场致发射背光单元相互独立设于一平面上并排列组合成为大面积场致发射背光源。本发明解决了采用CCFL作为背光源时存在的色域窄、亮度均匀度不够...
- 郭太良叶芸张永爱林志贤林金堂游玉香苏艺菁
- 具有边缘增强效应的前栅型场发射阴极结构及其制备方法
- 本发明涉及一种具有边缘增强效应的前栅型场发射阴极结构及其制造方法，其将在阴极基板上设有条状的阴极电极，在阴极电极边缘设有场发射体，在有场发射体的阴极电极上设有条状绝缘介质层，在绝缘介质层上设有条状的栅极电极，这样将发射体...
- 郭太良叶芸张永爱胡利勤苏艺菁林贺
- 文献传递
