范利宁
- 作品数：4 被引量：25H指数：3
- 供职机构：江苏工业学院信息科学与工程学院功能材料实验室更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- Mg^(2+)掺杂对ZnO薄膜结构和光学性能的影响被引量：7
- 2007年
- 利用溶胶-凝胶法在(100)Si片和玻璃衬底上制备出Mg2+掺杂的ZnO(MgxZn1-xO)薄膜,研究了Mg2+掺杂对ZnO薄膜结构和光学性能的影响。XRD图谱表明,当x<0.30时,MgxZn1-xO薄膜为纤锌矿结构,随着x值的增加,晶格常数c逐渐减小,a逐渐增大,但晶胞体积V几乎不变;当0.3≤x<0.7时出现相分离;当x≥0.7时,MgxZn1-xO薄膜为MgO的立方相结构。紫外可见光透射光谱表明,Mg2+掺杂增大ZnO薄膜的禁带宽度,同时也提高可见光的透过率。
- 王秀琴袁宁一范利宁李金华
- 关键词：溶胶-凝胶法禁带宽度透过率
- 退火条件对ZnO薄膜结构和光学性能的影响被引量：1
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法在单晶硅Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO结构和光学性能的影响。实验发现,退火可以明显地改善ZnO薄膜的结构和光学性能。随着退火温度的升高,ZnO薄膜的晶粒增大,同时在室温下观察到明显的紫外发光现象,其紫外PL谱峰值变强,并有红移现象。
- 范利宁袁宁一李金华
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法光学性能退火温度
- 二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性被引量：9
- 2005年
- 掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质。研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性能的影响,介绍了用离子束增强沉积方法对二氧化钒薄膜掺杂改性的优点。综合分析表明,通过对二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性,将相变温度降至室温附近,可以大大提高薄膜的室温电阻温度系数。
- 谢太斌李金华谢建生但迪迪范利宁袁宁一
- 关键词：二氧化钒薄膜掺杂改性相变
- 离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究被引量：8
- 2006年
- 采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2atm%In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,并且为p型导电,电阻率最低为0.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火,对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析.
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- 关键词：氧化锌薄膜P型掺杂离子束增强沉积
