董正超
- 作品数：96 被引量：121H指数：7
- 供职机构：南通大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 照明区域色温选择性分布的方法
- 本发明公开了一种照明区域色温选择性分布的方法，将灯具光源设置为中心光源和外环光源，中心光源位于灯具光源的中心位置，外环光源均匀对称地分布在中心光源的四周；外环光源内侧与中心光源外侧距离大于等于10毫米；中心光源为全半角宽...
- 宋国华缪建文董正超方靖淮仲崇贵
- 文献传递
- 铁磁-超导隧道结中的散粒噪声被引量：9
- 2001年
- 考虑到铁磁层中的自旋极化效应与粗糙界面散射效应 ,利用散射理论 ,讨论铁磁 超导隧道结中的散粒噪声 .计算表明 :磁交换作用可以抑制隧道结系统的平均电流与散粒噪声功率 。
- 董正超邢定钰董锦明
- 关键词：铁磁超导隧道结散粒噪声
- 一种基于应变调控实现单侧半氢化硅烯铁电性的结构设计
- 本发明公开了一种基于应变调控实现单侧半氢化硅烯铁电性的结构设计，通过对二维单原子层单侧半氢化硅烯（Si<Sub>2</Sub>H）进行应变调控，在不影响铁电极化的前提下降低极化翻转势垒，试图实现单侧半氢化硅烯由单纯的极化...
- 张诗俊耿成铎仲崇贵董正超
- 文献传递
- 正常金属-绝缘体-d波超导隧道结中的微分电导和束缚态
- 1999年
- 在正常金属 绝缘体 ｄ 波超导隧道结中，考虑到绝缘体中的体杂质散射以及粗糙界面散射，运用Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖ－ ｄｅ Ｇｅｎｎｅｓ （ＢｄＧ）方程和Ｂｏｌｏｎｄｅｒ－ Ｔｉｎｋｈａｍ － Ｋｌａｐｕｉｊｋ （ＢＴＫ）理论模型，计算系统的微分电导。计算表明：（１）我们的理论能充分地展现高Ｔｃ 氧化物超导体中零偏压电导峰的实验结果；（２）当绝缘层厚度具有几个相干长度时，隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰，并在超导能隙内形成一些束缚态；（３）粗糙界面散射和绝缘体中的杂质散射都能抹平和压降零偏压电导峰。
- 董正超陈贵宾边秋平李晓薇
- 关键词：D波超导微分电导束缚态超导隧道结
- 正常金属-d波超导隧道结中的准粒子寿命效应
- 1999年
- 考虑到准粒子的有限寿命和粗糙界面散射效应，运用Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖ－ ｄｅ Ｇｅｎｎｅｓ （ＢｄＧ）方程和Ｂｌｏｎｄｅｒ－ Ｔｉｎｋｈａｍ － Ｋｌａｐｗ ｉｊｋ（ＢＴＫ）理论模型，计算正常金属 ｄ 波超导隧道结中的微分电导和态密度。
- 董正超
- 关键词：隧道结D波超导微分电导
- 一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计
- 本发明公开了一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计，其设计方案包括：基材选取‑键合设计‑Fe原子插层结构设计‑应变，其中，氧化石墨烯实现铁电信息存储的简单结构，不仅维度低，尺度小，通过对设计的结构施加双轴应变调控能...
- 张诗俊仲崇贵耿晨铎董正超
- 多层磁性纳米线结构中巨磁电阻的量子解析理论
- 董正超陈贵宾边秋平
- 关键词：巨磁电阻
- f波超导体/绝缘层/f波超导体结中势垒散射对直流Josephson电流的影响
- 2009年
- 通过计算界面势垒散射强度对直流Josephson电流的影响,研究了f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流与温度T和结两侧晶轴方位角之间的关系.我们发现:f波超导体/绝缘层/f波超导体结界面的势垒强度总是抑制结中准粒子的Andreev反射,降低流过f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流.当结两边晶轴方位角相同时,Josephson电流的振荡周期是2π;特别地,当结两边晶轴方位角不同时,其振荡周期不再是2π,而是会随着势垒强度的增大,振荡周期变小.
- 梁志鹏董正超廖艳华
- 应变作用下EuTiO_3材料磁性的格林函数理论研究
- 2017年
- 基于自旋波和格林函数理论,研究了低温下二维应变诱导的EuTiO_3在铁电四方相下的磁性性质,主要讨论了在铁电四方相下Eu离子在铁磁性和反铁磁性有序时系统沿不同高对称性方向的自旋波散射和磁化.我们发现施加外加应变不仅可改变晶格结构的对称性,还可以通过改变电子自旋之间的交换耦合作用,进而改变该材料的磁性散射和磁化等.
- 王歆钰镇思琦李剑锋董正超仲崇贵
- 关键词：格林函数
- 磁性半导体/磁性d波超导结中的自旋极化输运被引量：1
- 2008年
- 通过求解磁性d波超导中的能隙与磁交换能的自恰方程,利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk理论研究磁性半导体/磁性d波超导结中自旋极化准粒子输运系数与微分电导.计算表明:1)磁性d波超导结中的磁交换能h0可导致零偏压电导峰与能隙电导峰劈裂,劈裂的宽度为2h0;2)磁性半导体中的磁交换能hFS可使零偏压电导峰劈裂的峰值变低.而由能隙电导峰劈裂的两个子峰,当两种磁性材料的磁化方向平行时,右边的峰值随着hFS的变大而变高,左边的峰值变低,当两磁性材料的磁化方向反平行时,随hFS变大右边的峰值变低,左边的峰值变高.
- 董正超
- 关键词：磁性半导体自旋极化输运
