蔡兴民
- 作品数：37 被引量：57H指数：5
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：深圳市科技计划项目广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- 一种ZnSnN<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种ZnSnN<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：在流动的氮气及氩气气氛中，将金属锌经射频溅射并将金属锡经直流溅射，通过共溅射法沉积在衬底上，即得到ZnSnN<Sub>2</Su...
- 蔡兴民叶凡王博范平张东平
- 文献传递
- 薄膜太阳能电池吸收层CuInSe<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种薄膜太阳能电池吸收层CuInSe<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法，采用离子束溅射沉积法，通过精确调整离子束溅射的参数等，先后溅射Cu、In和Se靶制备三元叠层或三元周期叠层薄膜，在同一高真空环境下，...
- 范平梁广兴郑壮豪张东平蔡兴民
- 文献传递
- 氮流量对掺氮氧化亚铜薄膜性能的影响
- 2019年
- 氧化亚铜在光伏及光催化等领域有潜在应用,掺氮能增加其空穴浓度从而提高电导率,但氮在氧化亚铜的状态仍未被深入研究.在溅射压强等参数不变的条件下,逐步增加氮气流量,制备了一系列纯相的氮掺杂的氧化亚铜,并用X射线衍射、台阶仪、扫描电子显微镜、能量色散谱仪、拉曼光谱、X射线光电子能谱仪、霍尔效应及分光光度计等方法对所得样品进行分析.霍尔效应测试结果表明,氮掺杂能使氧化亚铜薄膜空穴浓度提高1个数量级.禁带宽度随氮气流量的增加而逐渐减小,氮在氧化亚铜中以β-N(氮原子)、α-N 2(分子态氮,—N N—)及γ-N 2(分子态氮,N≡N)3种形式存在,随着氮流量的增加,β-N的结合能的峰强不断增强,而α-N 2的结合能的峰强不断减弱.氮流量为2标准立方厘米每分钟(sccm)时所得样品的电阻率最小.
- 邱奕斌陈倩倩叶凡蔡兴民蔡兴民范平
- 关键词：凝聚态物理学氧化亚铜氮掺杂磁控溅射光电性能
- 应用Ti掺杂提高VO_(2)薄膜太阳光红外能量调制能力
- 2022年
- 二氧化钒薄膜独特的半导体-金属相变特性使其在智能窗等领域有着广阔的应用前景。该研究采用直流反应共溅射技术沉积二氧化钒薄膜,通过调节Ti靶的放电电流,实现了VO_(2)薄膜不同量的Ti掺杂。并用X射线衍射仪、微区拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、分光光度计与四探针测量系统对样品微结构及相变特性进行表征,分析不同Ti掺杂量对VO_(2)薄膜微结构、表面形貌、相变温度、红外调制率的影响。研究结果表明,在Ti靶15 mA放电电流下掺杂的样品,太阳能调制能力有明显提高,达13.8%,但是过高的Ti掺杂则会使VO_(2)薄膜相变性能弱化甚至消失。
- 曾蓝萱李慧戚家华刘毅叶凡蔡兴民范平张东平
- 关键词：二氧化钒相变
- 一种n型氧化亚铜薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种n型氧化亚铜及其制备方法，其中，所述制备方法采用反应性双靶共溅射的方法，以铜靶材和铟靶材作为溅射靶材，以硅片或K9玻璃作为衬底，以高纯氧气和氩气作为溅射气体；所述溅射铜靶材的纯度为99.99%，铟靶材的纯...
- 叶凡蔡兴民王欢苏小强范平张东平罗景庭郑壮豪梁广兴
- 基底温度对离子束溅射法制备AZO透明导电薄膜的影响
- 以ZnO(掺杂2%AlO)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在玻璃基底上成功制备了AZO薄膜透明导电薄膜。研究不同基底温度对AZO薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,沉积过程中基底温度对AZO薄膜的结构和光电性能有显著影...
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- 一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法
- 本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中，采用热扩散方法将Cu...
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- 一种二氧化钒薄膜低温沉积方法
- 本发明公开了一种低温沉积二氧化钒薄膜的方法，采用磁控溅射技术，以金属钒或钒合金为靶材，以氧气为反应气体，氩气为溅射气体；制备薄膜前，先将真空室抽至低于1×10<Sup>-3</Sup>Pa本底真空，然后通入氧气和氩气混合...
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- 一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法
- 本发明提供一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法，包括步骤：首先，将采用物理或化学方法在清洁后的基底上沉积二氧化钒薄膜；对所制备的二氧化钒薄膜进行光电性能和微结构表征，得到薄膜的化学计量比和微结构信息；将上述制备得到的二氧化...
- 张东平杨凯朱茂东秦晓楠关天锐范平蔡兴民罗景庭钟爱华
- 文献传递
- 离子束溅射制备Bi2Te3热电薄膜被引量：6
- 2011年
- 采用离子束溅射技术,溅射不同面积比例的Bi/Te二元复合靶,制备Bi2Te3热电薄膜,所制备的薄膜Bi∶Te原子比接近2∶3.X射线衍射测量结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3标准衍射峰相同,在(015)晶面上择优选向明显,存在少量的Bi和[Bi,Te]杂质峰.霍尔系数测试及Seebeck系数测量结果表明,薄膜都为n型半导体薄膜,电导率量级为105Sm-1,电学性能良好.在不同条件下制备的薄膜Seebeck系数最大值为-168μVK-1,最小值为-32μVK-1.其中,Bi∶Te原子比为0.69,退火温度为300℃的薄膜功率因子最大,达1.1×10-3Wm-1K-2.
- 范平郑壮豪梁广兴张东平蔡兴民
- 关键词：凝聚态物理离子束溅射热电材料电学性能
