许顺生
- 作品数：9 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生更多>>
- 晶体表面畸变的X射线双晶衍射研究被引量：3
- 1990年
- 本文介绍了表面畸变的晶体中X射线动力学衍射分层模型的计算原理和通过计算机模拟双晶摇摆曲线获得畸变层信息的方法,讨论了不同的双晶排列方式对摇摆曲线和模拟计算的影响,分析了畸变层内应变、损伤分布与摇摆曲线的关系,并以B^+注入Si(100)晶片为例,给出了模拟结果。
- 朱南昌李润身陈京一许顺生
- 关键词：晶体X射线双晶衍射
- KTP晶体中一种特殊缺陷的研究被引量：3
- 1991年
- 研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=<010>。
- 田亮光姜小龙李润身许顺生刘耀岗
- 关键词：KTP晶体倍频效率激光
- 高完整Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究
- 1991年
- 本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的Ge_xSi(1-x)/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整Ge_xSi(1-x)/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。
- 田亮光朱南昌陈京一李润身许顺生周国良
- 关键词：超晶格双晶衍射SI
- 半导体应变超晶格结构与界面的X射线双晶衍射研究被引量：6
- 1991年
- 本文应用X射线在畸变晶体中的动力学衍射理论,分析了超晶格衍射峰强度分布的规律,计算了应变超晶格中界面变化,层厚波动对双晶摇摆曲线的影响,并初步探讨了超晶格衍射峰之间的小峰消失以及衍射峰宽化的原因,研究表明,衍射峰强度分布依赖于超晶格周期中层厚、成份及应变的综合效果,界面和层厚波动将对摇摆曲线产生一定影响,而晶格弯曲是使衍射峰宽化的主要原因。
- 朱南昌李润身许顺生
- 关键词：超晶格X射线双晶衍射
- X射线学的现状与展望
- 1983年
- 许顺生
- 关键词：磁轫致辐射轫致辐射EXAFS衍射强度电子态晶形
- GaAs中Si^+注入的X射线双晶衍射研究被引量：2
- 1992年
- 本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙位上,使点阵产生膨胀,在退火过程中逐渐进入替代位,但这一替代过程进行得并不彻底.当剂量高于 1×10^(13)cm^(-2)时,注入态就显著地产生了间隙Si原子进入替代位的过程.当剂量达到 1×10^(15)cm^(-2)时,经 800℃ 0.5 小时的炉退火仍然不能消除离子注入所引起的损伤和应变,大量Si原子留在间隙位上,使激活率难以提高.分析表明,空位和应力在Si原子从间隙位到替代位的过程中起了很大的作用,是GaAs中Si离子注入产生饱和现象的.主要原因.
- 朱南昌陈京一李润身许顺生夏冠群胡素英
- 关键词：砷化镓X射线双晶衍射
- 液相外延(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)石榴石单晶薄膜的X射线双晶衍射仪研究被引量：4
- 1989年
- 本文用X射线双晶衍射仪和光学偏光显微镜对不同液相外延温度生长的(BiTm)(FeGa)_5O_(12)石榴石单晶薄膜进行了研究。发现随着生长温度的下降,薄膜的点阵常数增加,比法拉第旋转角θ_F增大。同时发现液相外延单晶石榴石薄膜是由点阵常数或取向略有差别的两层组成。当薄膜的晶格失配大于10^(-3)时薄膜将破裂。
- 田亮光刘湘林许顺生韩效溪
- 关键词：液相外延单晶薄膜X射线衍射仪
- 外延层组分界面状况的X射线双晶衍射测定被引量：10
- 1995年
- 本文介绍了一种用Ｘ射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法，只需测量三个衍射，并考虑了晶体表面偏离对称轴的影响．同时，引入了表征界面状态的界面共格因子，讨论了它的意义．实验结果表明：在测定大失配体系外延材料的组分时，同时测定外延层与衬底之间以及外延层与外延层之间的界面关系是必要的．
- 朱南昌李润身陈京一许顺生
- 关键词：外延层X射线双晶衍射
- 单晶外延层厚度的X射线双晶衍射测定被引量：1
- 1992年
- 本文在利用X射线动力学和运动学衍射理论对单晶外延层材料的双晶摇摆曲线进行计算分析的基础上,给出了测定单晶外延层厚度和质量的方法.当外延层的厚度较薄时,外延层衍射峰的衍射强度正比于厚度的平方,半峰宽反比于厚度.当厚度较厚时,衍射峰的强度增加逐渐趋于饱和,而半峰宽趋于材料的本征半峰宽.外延层的干涉小峰间距反比于外延层的厚度.通过测量样品的双晶摇摆曲线上干涉峰间距,峰强比和半峰宽可以求得外延层的厚度,并对外延层的质量做出评价.
- 朱南昌李润身陈京一许顺生
- 关键词：衍射单晶外延层X射线
