诸葛飞
- 作品数：78 被引量：49H指数：4
- 供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金宁波市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 全光控忆阻器、提升其光擦除性能的方法及制备方法
- 本申请提出一种提升全光控忆阻器光擦除性能的方法，根据中间介质层需要达到的内应力释放效果，确定顶电极层的材料可塑性。由于中间介质层一般采用氧化物，低温生长的氧化物半导体材料存在较大的内应力，会严重影响器件性能，通过这样的选...
- 诸葛飞李亚超胡令祥刘威王耀科
- 一种镀纳米氧化锌膜层的玻璃
- 本发明的镀纳米氧化锌膜层的玻璃是由玻璃和镀在玻璃表面的纳米氧化锌膜层组成。由于氧化锌能带结构(3.3eV)的本征特点，可透过太阳光的可见光，而吸收绝大部分的紫外光，因此本发明的镀氧化锌膜层玻璃具有很强的屏蔽紫外线功能，而...
- 叶志镇诸葛飞
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- 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法
- 本发明公开了一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法，所述氧化物忆阻器由下至上依次包括衬底、底电极层、中间介质层、以及顶电极层，其中所述底电极层的材料为AZO导电薄膜，厚度为50~300nm；所述中间介质层的材料为ZnO，厚度为...
- 王敬蕊诸葛飞郑秀曹鸿涛
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- 一种忆阻器及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种忆阻器，包括自下而上依次组成的底电极、介质层和顶电极，所述介质层选自绝缘材料，所述顶电极选自导电材料，所述介质层和顶电极分别独立选自硫化物、硒化物或碲化物。通过使用合适的顶电极与介质层薄膜组合，忆阻器件表...
- 诸葛飞陈炜东胡令祥曹鸿涛
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- 铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究被引量：6
- 2004年
- 本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当衬底温度为 5 0 0℃时 ,在纯N2 O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高 ,为 7 5 6× 10 17cm-3 ,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为 94 3Ω·cm和 0 0 9cm2 V-1s-1。
- 张正海叶志镇朱丽萍赵炳辉诸葛飞吕建国
- 关键词：ZNO薄膜掺氮载流子浓度衬底温度直流反应磁控溅射
- CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能
- 2021年
- 忆阻器突触可用于构建神经形态系统,进行类脑计算,而透明突触器件则有利于光电协同调控。本研究首次采用CuS薄膜作为电极,构筑了CuS/ZnS/ITO透明忆阻器,器件表现出稳定的忆阻性能与良好的均一性,在可见光范围内透过率高达82%。通过与Cu制电极的器件比较,采用CuS制电极可以抑制Cu离子向ZnS介质层中大量迁移,有利于提高器件稳定性。在此基础上,通过施加不同形式的电脉冲信号,可以调节忆阻器件的阻态,实现突触可塑性模拟。CuS/ZnS/ITO器件在未来透明神经形态器件领域具有重要的应用价值。
- 陈炜东骆军曹鸿涛梁凌燕张洪亮张莉诸葛飞
- 关键词：突触CUS
- 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法
- 本发明涉及一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法，该存储单元包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面上设置具有电阻转变特性材料制成的中间层，中间层的表面设置第二电极，其特征在于：所述中间层由类金刚石碳薄膜...
- 李润伟诸葛飞何聪丽汪爱英代伟
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- B-C-N三元化合物及其制备方法
- 本发明公开了一种B-C-N三元化合物，其化学式为B<Sub>4</Sub>CN<Sub>4</Sub>，为具有乱层结构的黑色粉末，层间距为3.42至3.44，禁带宽度为3.5eV至4.5eV，是一种宽带隙半导体材料，...
- 诸葛飞李润伟
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- 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法
- 本发明涉及一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法，该存储单元包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面设置中间层，中间层表面设置第二电极，在第一电极和第二电极之间施加电脉冲时该存储单元具有电阻转变特性，该中...
- 李润伟胡本林诸葛飞潘亮
- 硅衬底上氮掺杂ZnO薄膜的光致发光
- 用Al-N共掺方法在Si衬底上制备出了p型ZnO薄膜.光致发光谱表明其发光峰位于3.1eV附近,且随着生长温度升高发生红移.结合吸收谱分析表明,该发光峰起源于局域化的载流子.讨论了局域化载流子的形成原因.
- 何海平叶志镇诸葛飞朱丽萍王发展赵炳辉黄靖云
- 关键词：硅衬底氮掺杂ZNO薄膜光致发光
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