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谢吉鹏

作品数:8 被引量:7H指数:2
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇场效应
  • 5篇电流比
  • 4篇光敏
  • 4篇场效应管
  • 3篇酞菁
  • 3篇酞菁铜
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基接触
  • 3篇沟道
  • 2篇有机半导体
  • 2篇响应度
  • 2篇光电
  • 2篇光电流
  • 2篇光响应度
  • 2篇半导体
  • 2篇衬底
  • 1篇电池
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷传输
  • 1篇异质结

机构

  • 8篇兰州大学

作者

  • 8篇谢吉鹏
  • 7篇杨汀
  • 7篇彭应全
  • 5篇吕文理
  • 5篇姚博
  • 2篇马朝柱
  • 2篇陈德强
  • 1篇汪润生
  • 1篇范国莹
  • 1篇谢宏伟
  • 1篇王颖
  • 1篇高鹏杰
  • 1篇李荣华

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
基于酞菁铜的有机光敏场效应管被引量:4
2012年
制备了基于酞菁铜(CuPc)的有机光敏场效应晶体管,对器件的光敏特性进行了研究。实验结果表明,基于金源漏电极的器件,在波长655 nm,光强100 mW/cm2的光照下,明/暗电流比约为0.4,光响应度约为2.55 mA/W;而铝为源漏电极的器件,可以获得高达104的明/暗电流比,但光响应度降低为0.39 mA/W。
谢吉鹏吕文理杨汀姚博彭应全
关键词:酞菁铜光响应度
基于酞菁铜的有机光敏场效应晶体管的研究
随着有机场效应晶体管(organic field-effect transistor, OFET)的研究逐渐深入,有机光敏场效应晶体管(photoresponsive organic field-effect trans...
谢吉鹏
关键词:酞菁铜场效应肖特基接触光响应度
文献传递
一种肖特基接触有机光敏场效应管
本发明公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构及其制备方法。其制备方法是,对于p-型有机光敏沟道材料,选用低功函数金属作为漏极和源极,以使源极-有机光敏沟道材料,以及漏极-有机光敏沟道材料形成空穴肖特基接触;对于n-型...
彭应全吕文理谢吉鹏杨汀姚博陈德强
文献传递
开路状态下平面异质结有机太阳能电池的数值模型
2011年
运用数值方法,系统研究了开路状态下平面异质结有机太阳能电池受体层的最低未占据分子轨道(LUMO)能级和阴极Fermi能级之间的势垒、给体层厚度和受体层厚度对器件内部载流子浓度、电场和电势分布的影响,得到了载流子浓度、电场和电势分布随受体层的LUMO能级和阴极Fermi能级之间的势垒、给体层厚度和受体层厚度变化的定量关系,这为以后的平面异质结有机太阳能电池开路状态下的实验研究提供了理论基础.
马朝柱彭应全汪润生李荣华谢宏伟王颖谢吉鹏杨汀
关键词:载流子浓度异质结太阳能电池
有机场效应晶体管最新实验研究进展被引量:2
2012年
介绍了近两年新报道的有机半导体材料,列举了其场效应性能参数;综述了有机场效应晶体管(OFET)在器件结构上的改进,重点阐述了基于常见有机功能层材料富勒烯及其衍生物、并五苯、聚3-己基噻吩的OFET对栅介质层及有机功能层与电极的界面的改进,讨论了器件结构改进对OFET阈值电压、开关比、载流子迁移率的影响;介绍了衬底温度、退火处理对OF-ET性能的影响。最后,针对有机场效应晶体管研究现状,指出未来研究中应注重开发高迁移率、高薄膜稳定性的有机功能材料和高介电常数、高成膜质量的有机栅介质材料,继续优化器件结构,改进制备工艺以提高器件性能。
谢吉鹏马朝柱杨汀姚博彭应全
关键词:有机半导体材料衬底温度退火处理
一种双极型有机光敏场效应管
本发明公开了一种双极型有机光敏场效应管的设计与制备方法。在常规结构有机光敏场效应管的源极-有机半导体沟道和漏极-有机半导体沟道之间加入一层载流子阻挡层,有效地提高了光电流,降低了暗电流。载流子阻挡层分为电子阻挡层和空穴阻...
彭应全姚博谢吉鹏吕文理杨汀高鹏杰
文献传递
一种肖特基接触有机光敏场效应管
本实用新型公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构。其技术要点在于,它的源极和漏极与有机光敏沟道材料形成肖特基接触。其结构可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触。对于p-型有机光敏沟道材料,选用低功函数...
彭应全吕文理谢吉鹏杨汀姚博陈德强
文献传递
衬底对PTCDA薄膜结构与电荷输运特性的影响被引量:1
2012年
在不同导电衬底(Au,Al和ITO)上制备了PTCDA薄膜,用XRD和AFM技术研究了PTCDA薄膜的结构和表面形貌。结果表明,薄膜中的大部分PTCDA分子平面与衬底不平行,这表明薄膜垂直方向的电流传导将以电子传输为主;在ITO和Au衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列规则,在薄膜垂直方向呈现出较好的电子传输性能;而在Al衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列无序,电子传输性能差。通过制备单层结构有机薄膜器件,研究了PTCDA薄膜垂直方向的电子迁移率。综合应用金属-有机界面的热电子发射理论和有机层体内空间电荷限制传导理论,并考虑电场强度对迁移率变化的影响,对ITO/PTCDA/Al器件的电流密度-电压曲线进行拟合,得到ITO衬底上生长的PTCDA薄膜在垂直方向随电场强度变化的电子迁移率数值。
杨汀谢吉鹏范国莹吕文理彭应全
关键词:有机半导体迁移率电荷传输
共1页<1>
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