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谭超元

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇可靠性
  • 3篇集成电路
  • 1篇电路可靠性
  • 1篇多芯片
  • 1篇多芯片组件
  • 1篇载流子
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子效应
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片组件
  • 1篇裸芯片
  • 1篇模拟软件
  • 1篇可靠性分析
  • 1篇混合集成电路
  • 1篇集成电路可靠...
  • 1篇MOS器件
  • 1篇超大规模集成
  • 1篇超大规模集成...
  • 1篇大规模集成电...

机构

  • 4篇信息产业部电...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 4篇谭超元
  • 2篇罗宏伟
  • 2篇钟征宇
  • 1篇孔学东
  • 1篇庄奕琪
  • 1篇恩云飞
  • 1篇杜磊

传媒

  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇第九届全国可...

年份

  • 1篇2001
  • 3篇2000
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种集成电路可靠性的综合模拟方法
该文介绍了一种集成电路可靠性的综合模拟方法。将电路模拟分析中常用的蒙特卡罗分析方法应用于集成电路可靠性的模拟分析，得到了一种可以模拟多种失效机理的可靠性模拟软件。该软件只需要经过一次模拟就可以得到描述两种失效机理的失效率...
谭超元钟征宇
关键词：集成电路可靠性分析
文献传递
TH-E:MOS器件可靠性寿命综合模拟软件
该文中描述了一种典型的MOSFET可靠性模拟软件，软件中不仅包括针对N型和P型MOSFET器件中热载流子效应、TDDB效应以及电迁移效应的单一机理软件件模块，而且还包括热载流子效应和TDDB效应的综合模拟以及上述三种失效...
罗宏伟孔学东钟征宇谭超元
关键词：MOS器件热载流子效应
文献传递
电迁移物理模型参数统计特性提取新方法被引量：1
2000年
随着ＶＬＳＩ技术的发展，电迁移已成为集成电路最主要的失效原因之一，其可靠性评估技术也显得愈加重要。要改进该技术，不仅需要确定可靠性物理模型参数，而且要求掌握参数的统计分布特性。基于电迁移物理模型，提出一种提取参数统计分布特性的新方法。与传统方法相比，此方法不仅所需实验样品少、实验次数少，能真正得到反映样品离散性的物理模型参数的统计分布特性，而且也可用于其它失效机理（如栅氧击穿）物理模型中。
杜磊庄奕琪谭超元
关键词：超大规模集成电路可靠性
KGD技术发展动态
裸芯片在国内有着广泛的用途和市场,尤其是在军用HIC和MCM应用领域,裸芯片质量和可靠保证一直是人们关注的热点.本文论述了已知良好芯片(KGD)保证的主要技术要求,国外KGD技术发展现状,以及国内发展KGD技术面临的机遇...
恩云飞罗宏伟谭超元
关键词：裸芯片可靠性混合集成电路多芯片组件
文献传递
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