赵武
- 作品数：198 被引量：201H指数：7
- 供职机构：西北大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- ＳＥＭ在非晶硅薄膜生长机理研究中的应用
- 张志勇王雪文赵武周水仙
- 一种W<Sub>18</Sub>O<Sub>49</Sub>包覆碳纤维复合材料及其制备方法
- 本发明公开了一种W<Sub>18</Sub>O<Sub>49</Sub>包覆碳纤维复合材料及其制备方法，包括以碳纤维为反应源，采用溶剂热法生长W<Sub>18</Sub>O<Sub>49</Sub>包覆碳纤维复合材料，通...
- 张志勇任晓瀛许曼章赵武翟春雪陈诚闫军锋贠江妮刘成贾仕隆
- 文献传递
- 一种电化学抛光方法及石墨烯薄膜制备方法
- 本发明公开了一种电化学抛光方法，包括以待抛光衬底为阳极，以不溶性金属为阴极，通电搅拌进行电解，电解采用的电解液包括磷酸、硫酸、去离子水和聚乙二醇的混合液。本发明还提供一种电化学抛光平台，包括直流电源、电解容器及搅拌器；本...
- 张志勇陈诚闫军锋赵武许曼章王英楠刘成
- 文献传递
- 一种用于土遗址保护的微损夯土盐分测量前端结构
- 本发明涉及一种用于土遗址保护的微损夯土盐分测量前端结构，其包括盐分测量探针、温湿测量探针以及安装盒，其中，在所述盐分测量探针、温湿测量探针以及安装盒上均设置两组电极；所述盐分测量探针，用来测量夯土内部盐分，在测量时插入夯...
- 张万绪张志勇刘成赵武汪霖李祥楠廖富友袁永德时鹏胜
- 文献传递
- 一种基于FPGA架构手机模块及其与手机的连接方法
- 本发明公开一种基于FPGA架构手机模块及其与手机的连接方法，手机模块包括FPGA模块，FPGA模块通过I/O接口连接有多种功能模块，FPGA模块通过SPI接口与手机的CPU连接通信，实现了手机外设功能模块的扩张，FGPA...
- 雷晓艺梁晓祯戴扬张云尧闫军锋赵武张志勇
- 文献传递
- 一种MoO<Sub>3</Sub>、制备方法及其应用
- 本发明公开了一种MoO<Sub>3</Sub>、制备方法及其应用，包括以三氯化钼或乙酰丙酮钼为钼源，水为溶剂，在搅拌的条件下滴入过氧化氢，采用水热法制备，即得MoO<Sub>3</Sub>。本发明提供的MoO<Sub>3...
- 王英楠王静茹田琦任倩倩赵武
- 用热丝CVD技术制备场发射冷阴极金刚石薄膜(英文)被引量：7
- 2002年
- 以甲烷和氢气的混合气体为原料 ,用热丝化学汽相淀积法 ,在 ( 1 0 0 )硅衬底上 80 0℃温度时异质生长出适合场发射的金刚石薄膜 .然后用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜和喇曼光谱仪等对其进行了分析 ,结果表明 ,所制备的薄膜是多晶金刚石 ,而且在 ( 1 1 1 )晶相择优生长 .在扫描电子显微镜下 ( 1 1 1 )晶粒的外形几乎都是四面体结构 ,具有很多尖端 ,可以加强一定电压下的电场 。
- 张志勇王雪文赵武戴琨陈治明
- 关键词：金刚石薄膜特性分析
- 一种在ZnO纳米线阵列上生长的纤维状ZnO纳米线及其制备方法
- 本发明公开了一种在ZnO纳米线阵列上生长的纤维状ZnO纳米线及其制备方法：制备衬底备用；以二水合乙酸锌作为前躯体，以乙醇作为溶剂配置混合溶液，逐滴乙醇胺，陈化形成溶胶；在Zn片衬底上，对形成的溶胶使用旋转涂覆工艺镀膜四层...
- 张志勇吕媛媛闫军锋翟春雪赵武贠江妮惠丹丹
- 文献传递
- 一种BiOCl/g-C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>复合光催化剂及其制备方法
- 本发明提出了一种BiOCl/g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>复合光催化剂及其制备方法，属于光催化剂技术领域，包括以下步骤：S1.g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>的制备，S2...
- 张志勇姚雄赵武曹钦哲闫军锋
- 辅助偏压等离子体热丝CVD方法制备金刚石薄膜的研究被引量：2
- 2000年
- 利用热丝CVD工艺制备金刚石薄膜已被广泛证实 ,热丝CVD工艺具有许多优点 ,但也存在诸多不足 ,如成核困难 ,生长速率低 ,原材料浪费大等。为了弥补以上不足 ,我们采用在热丝CVD工艺基础上同时施加含有一定直流偏压成分的射频电场 (DC +rf)来制备金刚石薄膜。所施偏压中的直流成分大大增强了光滑非金刚石衬底表面的金刚石成核效应 ,提高了金刚石的成核密度。我们知道 ,高质量的金刚石薄膜是一个很好的绝缘体 ,因此在金刚石薄膜生长过程中 ,在薄膜表面积累有大量的正电荷 ,这些正电荷的存在它将排斥其它正离子的到来 ,致使薄膜生长率越来越低 ,这正是为什么目前使用的热丝CVD工艺中 ,只在成核阶段施加直流偏压 ,而不能在整个生长过程中施加偏压的原因。在金刚石薄膜生长过程中施加射频偏压后 ,在射频电压的一个周期内有一定的时间是电子轰击样品表面 ,中和了样品表面的正电荷 ,消除了排斥作用 ,达到了提高生长速率之目的。另一方面 ,在金刚石薄膜生长过程中施加直流偏压和射频偏压 ,将不断地有离子轰击样品表面 ,把表面生长的非金刚石相溅射掉 ;同时由于定向电场的作用 ,使离子的结合有一定的倾向性生长 ,使金刚石晶粒生长趋于一致的方向 ,保证了金刚石薄膜的成膜质量。
- 张志勇王雪文赵武陈治明周水仙
- 关键词：金刚石膜生长速率
