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迟振华

作品数:5 被引量:5H指数:1
供职机构:燕山大学材料科学与工程学院亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省教育厅高等学校自然科学研究项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 5篇超导
  • 4篇超导薄膜
  • 3篇原位制备
  • 3篇热丝
  • 3篇热丝化学气相...
  • 3篇MGB
  • 2篇气相沉积
  • 2篇SUB
  • 2篇超导材料
  • 1篇导电
  • 1篇原位法
  • 1篇原位反应
  • 1篇硼化镁
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇微观结构
  • 1篇化学气相沉积...
  • 1篇二硼化镁

机构

  • 5篇燕山大学

作者

  • 5篇迟振华
  • 4篇王天生
  • 4篇田永君
  • 3篇漆汉宏
  • 3篇胡前库
  • 3篇罗晓光
  • 2篇于栋利
  • 1篇刘世民
  • 1篇何巨龙
  • 1篇李东春

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理测试

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
热丝化学气相沉积法原位制备的MgB_2超导薄膜
2007年
用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dcSQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响。结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成。基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36K。随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高。
王天生田永君于栋利迟振华胡前库罗晓光
关键词:微观结构超导电性热丝化学气相沉积
MgB<Sub>2</Sub>超导薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法
本发明涉及一种新型超导材料-MgB<Sub>2</Sub>薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法。其要点是:该方法使用含B和Mg的气态化合物作反应气,其在热丝(4)作用下裂解,反应生成MgB<Sub>2</Sub>化合物并在...
田永君王天生迟振华胡前库罗晓光漆汉宏
文献传递
化学气相沉积法制备MgB/_2超导薄膜
采用热丝化学气相沉积/(HFCVD/)和综合物理化学气相沉积/(HPCVD/)两种方法在单晶/(-Al2O3基片上制备了MgB2超导薄膜。实验分原位法和非原位法两种工艺,原位法是在薄膜沉积过程中直接生成了MgB2超导薄膜...
迟振华
关键词:原位法HFCVDHPCVD
文献传递
MgB_2超导薄膜的化学气相沉积被引量:5
2003年
探索了采用化学气相沉积法,在LaAlO3单晶基片上原位制备了MgB2超导薄膜。X射线衍射(XRD) 分析表明薄膜的相纯度不理想,扫描电子显微镜(SEM)观察表明薄膜的表面比较粗糙,用标准四引线法测得 薄膜的起始转变温度(Tc onset)为30K,零电阻温度(Tc0)为18K。
迟振华王天生漆汉宏于栋利何巨龙刘世民田永君李东春
关键词:二硼化镁超导薄膜化学气相沉积原位反应XRDSEM
MgB<Sub>2</Sub>超导薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法
本发明涉及一种新型超导材料——MgB<Sub>2</Sub>薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法。其要点是:该方法使用含B和Mg的气态化合物作反应气,其在热丝(4)作用下裂解,反应生成MgB<Sub>2</Sub>化合物并...
田永君王天生迟振华胡前库罗晓光漆汉宏
文献传递
共1页<1>
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