邓元明
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究
- 2003年
- 由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。
- 章继东陈京好邓元明安龙章昊杨富华李国华郑厚植
- 关键词：半导体微腔
- InAs/GaAs自组织生长量子点的应力效应
- 朱海军封松林江德生邓元明王海龙
- 关键词：量子点
- 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究被引量：5
- 1997年
- 本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾．
- 王志明邓元明封松林吕振东陈宗圭王凤莲徐仲英郑厚植高旻韩培德段晓峰
- 关键词：量子点自组织生长砷化铟
- 量子点、微腔MBE生长和特性研究
- 该文主要研究GaAs衬底上InAs自组织生长量子点的生长和性质,并且初步研究了半导体微腔的生长.该文的研究内容包括如下几个方面:1.应用导致自组织量子点的产生,影响量子点的特性.该文计算了位于下层的InAs量子点在共覆盖...
- 邓元明
- 关键词：GAAS自组织生长半导体微腔
- 杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响被引量：2
- 1999年
- 研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点.该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义.
- 王海龙朱海军李晴宁东汪辉王晓东邓元明封松林
- 关键词：自组织量子点硅均匀性
- GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究被引量：4
- 1996年
- 本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生长，得到的量子点的尺寸和分布相当均匀．我们还研究了不同覆盖度的ＩｎＡｓ层的光致发光（ＰＬ）特性，结果发现在成岛前后，它们的ＰＬ特性有明显差异．
- 杨小平张伟陈宗圭王凤莲田金法邓元明郑厚植高旻段晓峰
- 关键词：砷化镓砷化铟半导体结构
- InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒被引量：2
- 1997年
- 成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ．本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究．
- 陈枫封松林杨锡震杨锡震王志明邓元明
- 关键词：量子点DLTS自组织生长砷化铟
- 非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱
- 2000年
- 低温下 ,测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下 ,观察到上下两支腔极化激元光荧光的衰退时间与失谐无关 ;下支腔极化激元光荧光的上升时间也与失谐无关 ;而上支腔极化激元光荧光的上升时间却与失谐有强烈的依赖关系 ,随着从负失谐到正失谐的增加 ,上升时间逐渐减小。
- 刘宝利徐仲英王炳新邓元明杨富华
- 关键词：时间分辨光谱
- 半导体平面InGaAs/GaAS量子阱微腔的光学性质研究
- 本文报道了半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微腔物理的研究工作.我们自行设计制备出了品质因数为1000以上的半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微腔,观察到了明显的Rabi分裂现象,由角分辨光致发光谱确定出温度为7...
- 赵建华陈京好邓元明谭平恒杨富华郑厚植
- 关键词：光学性质色散关系
- 文献传递
