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邓光平

作品数：13 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 11篇半导体
  • 9篇功率器件
  • 9篇半导体功率器...
  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 8篇功率变换
  • 8篇功率变换器
  • 8篇功率集成
  • 8篇功率集成电路
  • 8篇安全工作区
  • 8篇变换器
  • 6篇主开关
  • 6篇开关
  • 4篇电压钳
  • 4篇横向功率器件
  • 2篇低功耗
  • 2篇氧化物
  • 2篇金属
  • 2篇金属阳极
  • 2篇金属氧化物

机构

  • 13篇电子科技大学

作者

  • 13篇李泽宏
  • 13篇邓光平
  • 11篇张波
  • 10篇钱振华
  • 9篇胡涛
  • 9篇洪辛
  • 2篇姜贯军
  • 2篇任敏
  • 2篇张超
  • 2篇谢加雄
  • 2篇李婷
  • 2篇刘小龙
  • 2篇余士江

传媒

  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇2009四川...

年份

  • 3篇2012
  • 9篇2011
  • 1篇2009
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
负载短路条件下的PT-IGBT短路失效分析
利用器件与电路的混合仿真系统研究了在负载发生短路后穿通型绝缘栅双极晶体管(PT-IGBT)的短路失效过程，分析了PT-IGBT器件内部电流、载流子、复合速牢和器件温度的分布情况。发现在器件短路失效前，两种IGBT结构均出...
邓光平李泽宏
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一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管
一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管具有一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由两个深P体区(5)和之间的...
李泽宏姜贯军余士江邓光平李婷谢加雄张超任敏刘小龙张波
一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构，其中所述SensorFET器...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
文献传递
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
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一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件
一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极(或共用金属阳极)结构，其中所述S...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
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一种Super Junction VDMOS器件
一种Super Junction VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有平面肖特基接触结构的Super Junction VDMOS器件基础上，引入沟槽式肖特基接触结构：即将多晶硅栅电极在N型柱区上方分...
李泽宏胡涛邓光平钱振华洪辛张波
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具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
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一种可实现多种高压器件的新型BCD工艺被引量：1
2011年
在标准CMOS平台上,开发出一种自隔离的新型BCD工艺。利用场氧层的阻挡,通过高能注入直接形成高压器件的表面P型降场层,从而减少了所需掩模板数量。该工艺也采用了深N阱的高能离子注入及多步注入形成的倒置阱,可减少长时间热过程带来的工艺偏差和时间成本。结果表明,该工艺在实现器件性能的同时,降低了成本,提高了可靠性。
钱振华邓光平李泽宏
关键词：RESURFLDMOSBCD工艺
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件
具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件，属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上，二者采用共用阳极结构；其中的Sensor...
李泽宏邓光平钱振华胡涛洪辛张波
一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管
一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管具有一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由两个深P体区(5)和之间的...
李泽宏姜贯军余士江邓光平李婷谢加雄张超任敏刘小龙张波
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