邢杰
- 作品数：9 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 具有磁电阻特性的异质结材料
- 本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层，在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层，掺杂锰氧化物层再生长辅助层，依次进行叠层；制备两种材料异质结磁电阻材...
- 吕惠宾何萌赵昆黄延红金奎娟刘国珍邢杰陈正豪周岳亮杨国桢
- 文献传递
- 一种具有高灵敏度的光电位置探测器
- 本发明提供一种高灵敏度光电位置探测器，包括：Si衬底、电极和电极；利用制膜的方法，把TiN薄膜外延生长在Si衬底上；利用镀膜或焊接的方法，在Si衬底的两边处制备电极电极和电极。当一个光点照射在探测器的表面时，用电压表测量...
- 邢杰吕惠宾何萌金奎娟刘国珍周岳亮杨国桢
- 文献传递
- 钙钛矿氧化物多功能p-n异质结的制备和特性研究
- 2007年
- 采用激光分子束外延技术,不仅可以制备几个原胞层的超薄膜,而且能原子尺度精确控制的制备超晶格材料和上万原胞层的多层膜。原位的RHEED监控和非原位的XRD、AFM、HRTEM等测量分析表明,制备的钙钛矿氧化物薄膜、异质结和超晶格材料的厚度达到分子层的控制,其表面与界面达到原子尺度的光滑。已成功的制备出钙钛矿氧化物薄膜材料20多种,全氧化物和氧化物与硅的p-n异质结10多种。首次在全氧化物p-n结构上观测到反常的低场高灵敏度正磁电阻效应;首次在钙钛矿氧化物和相关的p-n结上观测到开路的皮秒超快光电效应,所观测光生伏特脉冲的半宽度比相关文献报道p-n结的小7个数量级,比相关文献报道薄膜的小3个数量级。最近又在掺杂镧锰氧和掺杂钛酸锶的多层膜上首次观测到其结电阻在室温和低场条件下的电、磁双调制现象。相关的研究工作还在进行之中。
- 吕惠宾金奎娟赵昆何萌刘国珍邢杰仇杰杨国桢
- 关键词：层间耦合量子效应多场耦合
- 一种利用掺杂锰酸盐异质结材料制作的光位置探测器
- 本发明涉及一种利用掺杂锰酸盐异质结制作的光位置探测器，包括在p型或n型衬底上相应外延生长一层n型或p型光响应薄膜层，所述的光响应薄膜层为R<Sub>1－x</Sub>A<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub...
- 赵昆吕惠宾何萌黄延红金奎娟邢杰刘国珍陈正豪周岳亮杨国桢
- 文献传递
- 钙钛矿氧化物材料的光电特性研究
- 自从高温超导和庞磁电阻现象发现以来，在世界范围内掀起了研究钙钛矿氧化物材料的热潮，本论文工作使用激光分子束外延(laser molecular-beam epitaxy， laserMBE)技术在Si衬底上外延生长了Ti...
- 邢杰
- 关键词：异质结光电特性
- 一种具有高灵敏度的光电位置探测器
- 本发明提供一种高灵敏度光电位置探测器，包括：Si衬底、电极和电极；利用制膜的方法，把TiN薄膜外延生长在Si衬底上；利用镀膜或焊接的方法，在Si衬底的两边处制备电极电极和电极。当一个光点照射在探测器的表面时，用电压表测量...
- 邢杰吕惠宾何萌金奎娟刘国珍周岳亮杨国桢
- 文献传递
- 用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜被引量：9
- 2008年
- 采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示,TiN薄膜材料表面光滑,在10μm×10μm范围内,均方根粗糙度为0·842nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为3·6×10-5Ω·cm,迁移率达到583·0cm2/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底上.进一步在TiN/Si衬底上外延生长SrTiO3薄膜的结果表明,在Si上外延的TiN薄膜不仅具有很好的热稳定性,而且可以作为缓冲层或底电极外延生长其他的薄膜材料及多层结构.
- 何萌刘国珍仇杰邢杰吕惠宾
- 关键词：激光分子束外延
- 具有磁电阻特性的异质结材料
- 本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层，在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层，掺杂锰氧化物层再生长辅助层，依次进行叠层；制备两种材料异质结磁电阻材...
- 吕惠宾何萌赵昆黄延红金奎娟刘国珍邢杰陈正豪周岳亮杨国桢
- 文献传递
- Fe-氧化物薄膜的室温低场正磁电阻和高场负磁电阻被引量：2
- 2007年
- 采用对靶溅射技术制备了多相共存的Fe-氧化物薄膜.X射线衍射和X射线光电子能谱的测试表明薄膜存在有多相:Fe,Fe3O4,γ-Fe2O3,FeO.高分辨透射电子显微镜结果表明薄膜由柱状颗粒结构组成,其中核心是未氧化的Fe,外壳为Fe的氧化物.在室温时,低场正磁阻和高场负磁阻共存于Fe-氧化物薄膜中,利用壳层模型给出了初步解释.非线性电流-电压曲线和光生伏特效应进一步验证了薄膜的隧穿电导特性.
- 赵昆邢杰刘玉资赵见高吕惠宾
- 关键词：磁电阻磁性
