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邱云飞

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学技术大学信息科学技术学院合肥微尺度物质科学国家实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇遂道
  • 1篇显微术
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇PLD
  • 1篇SRTIO
  • 1篇SRTIO3

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇王兵
  • 1篇邱云飞
  • 1篇杜文汉

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Sr/Si界面沉积SrTiO_3初始生长阶段的扫描遂道显微术研究
2011年
本文工作利用脉冲激光沉积术(PLD)和超高真空扫描隧道显微术(UHV-STM),研究了在Sr/Si(001)-(2×1)衬底表面上真空室温沉积几个单层SrTiO3薄膜的初始生长过程.经660℃退火处理后,Sr/Si衬底表面上形成了纳米岛状结构.经分析,这些纳米小岛为C49-TiSi2和C54-TiSi2.实验结果表明,在没有氧气的情况下退火,Sr/Si界面无法有效阻止SrTiO3薄膜与Si衬底之间的相互作用.
邱云飞杜文汉王兵
关键词：SRTIO3
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