郑有斗
- 作品数：10 被引量：6H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Si基GaN的微结构表征（英文）
- ＜正＞GaN-based materials have attracted great interest because of its direct and wide band gap,high-saturation e...
- 江若琏陈鹏赵作明沈波郑有斗
- 文献传递
- 一种用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法
- 一种利用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Si/SiGe/Si异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除SiGe层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所...
- 施毅郑有斗刘建林张荣顾书林韩平汪峰陆阳朱顺民胡立群王荣华沈波
- 文献传递
- 新型微电子和光电子材料──SiGe／Si异质结构材料的发展
- 1995年
- 新型微电子和光电子材料──ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构材料的发展夏传钺（国家自然科学基金委员会，信息科学部１０００８３）刘安生，郑有斗（北京有色金属研究总院１０００８８）（南京大学物理系２１０００８）近半个世纪半导体的发展表明，硅材料所制备的器件和以硅大规...
- 夏传钺刘安生郑有斗
- 关键词：锗化硅
- Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器被引量：5
- 2000年
- 本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。
- 江若琏罗志云陈卫民臧岚朱顺明刘夏冰程雪梅陈志忠韩平王荣华郑有斗
- 关键词：光电探测器红外探测器
- Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线被引量：1
- 1995年
- 作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一维微结构材料的能带结构不同于天然硅材料,可望获得高的发光效率,用于发展硅基集成光电子技术.
- 施毅刘建林汪峰张荣韩平朱顺明郑有斗茅保华
- 关键词：硅二氧化硅
- 快速辐射加热超低压化学气相沉积原子级外延方法与技术
- 郑有斗张荣胡立群顾书林韩平江若琏
- 该项目属半导体材料科学技术领域。该项发明成果创新发展了制备半导体异质结构，超晶格量子阱材料的超薄层异质外延方法与技术。获得两项国家发明专利：(1)一种获得半导体异质结构与超晶格材料的方法与设备，专利号：90105603....
- 关键词：
- 关键词：半导体材料超晶格材料化学气相沉积
- Ⅲ族氮化物半导体极化和缺陷研究
- 张荣修向前谢自力陈敦军沈波顾书林刘斌韩平江若琏郑有斗
- 该项成果来源于国家“863”计划、国家自然科学基金重大项目、国家杰出青年基金项目的研究工作。经过十多年的研究实践，结合承担的国际科研任务，对Ⅲ族氮化物半导体的极化和缺陷进行了系统研究，在圆满完成项目任务的基础上，取得一系...
- 关键词：
- 关键词：氮化物半导体自旋电子学
- 应变SiGe合金的喇曼光谱研究
- 1995年
- 本文利用喇曼（Ｒａｍａｎ）光谱研究了使用快速热处理、超低压化学气相淀积方法生长的应变ＳｉＧｅ合金的微结构性质。俄歇电子能谱被用来测量ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组分，实验中发现：高Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子分布较低Ｇｅ组分样品无序和均匀，反应气体的氢气稀释以及完全无应变会使生长的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子的分布较为均匀，生长过程中应变的影响、原子的迁移以及氢原子的覆盖解释了以上实验结果。
- 顾书林张荣韩平王荣华郑有斗
- 关键词：喇曼光谱SIGE合金锗硅
- 快速辐射加热超低压化学气相淀积原子级外延方法与技术
- 郑有斗张荣胡立群顾书林韩平江若琏
- 该项目属半导体材料科学技术领域。该项发明成果创新发展了制备半导体异质结构，超晶格量子阱材料的超薄层异质外延方法与技术，获得两项国家发明专利：(1)一种获得半导体异质结构与超晶格材料的方法与设备，专利号：90105603....
- 关键词：
- 关键词：超晶格材料化学气相淀积
- 硅纳米结构及纳米电子器件研究
- 施毅郑有斗顾书林沈波张荣刘建林韩平江若涟胡立群朱顺明袁晓莉江宁杨红官卜惠明
- 该项目围绕着硅纳电子学的发展方向，对纳米结构及纳米电子器件开展了深入系统研究，在基础研究和有着重大意义。该项目在硅纳米结构、微结构及纳米电子器件研究中取得了许多重要突破和创造性的成果，在国际同类工作中处于领先地位。已发表...
- 关键词：
- 关键词：半导体硅纳米电子器件
