郭亨群
- 作品数：70 被引量：138H指数：7
- 供职机构：华侨大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 活性反应蒸发制备氢化非晶硅的稳态光电导和复合过程
- 1989年
- 本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,掺杂改变了定域态分布的形状,因而改变了光电导与光强关系的指数ν.掺杂也改变了费米能(?)的定域态密度,轻度的磷掺杂可以使光电导增大,,当磷掺杂使费米能级与导带扩展态距离小于0.25eV 时光电导反而变小.
- 郭亨群
- 关键词：氢化非晶硅
- 激光热处理的工艺模型与实验研究被引量：7
- 1999年
- 本文根据激光与金属材料的相互作用，从建立一般热传导方程出发；导出了激光热处理过程的温度场方程，讨论了数值模拟激光热处理时的各个参数取值，并用此方程对热处理过程进行了数值模拟。
- 吴旭峰张文珍郭亨群
- 关键词：激光热处理金属材料
- 射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性
- 2006年
- 采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FT- IR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况。掺Al在SiO_2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰。退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响。
- 郭亨群杨琳琳王启明
- 关键词：磁控溅射光致发光
- 利用有源层掺杂提高有机发光器件的电流效率
- 2002年
- 通过对电子传输层和空穴传输层的共同掺杂 ,达到提高有机发光二极管 (OLED)电流效率的目的 .与常规的在电子传输层中掺杂有机染料的掺杂器件相比 ,本实验是在 Alq(电子传输层材料 )与 NPB(空穴传输层材料 )形成的均匀互掺有源层中 ,再掺杂染料 Rubrene.此种结构 ,其有源层能有效地限载流子而增加电子和空穴载流子相遇的几率 ,进而提高复合效率 ,使电流效率明显提高 .同时 ,有源层的连续生长避免了有机层间界面的形成 ,改善了器件的稳定性 .比较此结构器件与常规掺杂器件的特性 ,并对其发射机理进行讨论 .
- 杨特宁郭亨群高文宝
- 关键词：电流效率有源层电致发光掺杂有机发光器件空穴传输层
- 富纳米硅氮化硅薄膜光致发光机制被引量：3
- 2007年
- 对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结论,讨论一些已报道的富纳米硅氮化硅薄膜光致发光实验结果.
- 曾友华郭亨群
- 关键词：纳米硅氮化硅薄膜光致发光发光机制
- 应变Ge_(1-y)C_y合金的带隙
- 2002年
- 采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法 ,研究 Si(0 0 1)和 Ge(0 0 1)衬底上的应变 Ge1-y Cy 合金 ,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况 .结果发现 ,带隙对应变条件非常敏感 .硅衬底上应变 Ge1-y Cy 合金的带隙随碳组分的增加而增加 ,而锗衬底上应变 Ge1-y Cy
- 吴丽清郭亨群黄美纯朱梓忠
- 关键词：带隙硅衬底碳含量半导体材料
- 硒化镉薄膜微区分析
- 1993年
- 本文用电子探针对硒化镉薄膜进行微区分析,对薄膜的成分和厚度进行同时测定,并分析了制备条件对薄膜参数的影响。
- 郭亨群叶天水曾锦川
- 关键词：半导体微区分析硒化镉
- 纳米碳化钨粉体的热稳定性研究被引量：1
- 2009年
- 以工业化生产设备条件制备纳米碳化钨粉末,对样品在不同温度下退火,采用X射线衍射法(XRD)、比表面积法(BET)、冷场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、激光光散射法对退火前后样品的物相、粒度及其分布进行表征。研究结果表明,温度是影响纳米WC颗粒长大的一个重要因素,随着退火温度升高,纳米WC颗粒尺寸随之增大。同时在不同升温速率下测的DSC吸收峰值,计算了纳米WC颗粒的长大激活能。在此基础上,对实验现象产生的原因进行了分析讨论。
- 张春华郭亨群王国立宋志华吴冲浒吴其山
- 关键词：粒度表征
- 用Z扫描法测量a-Si/SiO_2多量子阱材料非线性折射率被引量：5
- 1999年
- 利用Ｚ扫描法和波长为０．５３ μｍ 、脉宽为１０ ｎｓ的调Ｑ－Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器测量了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２ 多量子阱材料的三阶非线性折射率。
- 周赢武郭亨群成步文
- 关键词：Z扫描多量子阱光学非线性
- nc-Ge/SiO2复合薄膜的非线性光学特性
- 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Ge/SiO2复合薄膜。通过紫外-可见分光光度计的测量,计算出样品的光学带隙为1.12eV。采用皮秒激光脉冲单光束Z-扫描技术研究了nc-Ge/SiO2复合薄膜三阶非线性光...
- 张培王加贤王燕飞郭亨群吴志军
- 关键词：Z-扫描被动调Q
- 文献传递
