您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体结构
  • 2篇硅薄膜
  • 1篇压力传感器
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻效应
  • 1篇力传感器
  • 1篇感器
  • 1篇高温
  • 1篇LPCVD
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 3篇哈尔滨工业大...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇刘晓为
  • 3篇刘振茂
  • 3篇郭青
  • 3篇张国威
  • 1篇崔光浩
  • 1篇范茂军

传媒

  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 1篇传感器技术

年份

  • 1篇1993
  • 2篇1990
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响被引量:1
1993年
本文研究了LPCVD多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响,通过改变淀积温度和膜厚得到晶体结构不同的薄膜,经硼离子注入掺杂,杂质浓度均为10^(25)/m^3用X 射线衍射法分析了薄膜晶体结构,悬梁实验测出薄膜应变系数GF 随淀积温度和膜厚的变化。理论分析表明,GF 不仅随晶粒度单调增加,而且与织构情况密切相关,不同织构压阻效应大小不同,〈100〉结构对薄膜压阻效应影响很大。理论结果较好地解释了薄膜GF 与淀积温度和膜厚的实验曲线.
刘晓为郭青理峰张国威刘振茂
关键词:多晶硅压阻效应晶体结构
多晶硅高温压力传感器被引量:3
1990年
一、前言 现代航空、汽车发动机以及石油化工领域常常需要对200℃以上高温范围的压力进行检测。200℃以上温度工作的高温压力传感器一般可采用SOS或绝缘衬底上多晶硅结构制作,因为多晶硅薄膜压阻元件可淀积在各种低成本衬底上。
刘晓为张国威刘振茂郭青高家昌范茂军段治安崔光浩
关键词:多晶硅高温压力传感器
LPCVD多晶硅薄膜的晶体结构被引量:1
1990年
本文研究了用于制作压阻元件的LPCVD多晶硅薄晶体结构与淀积温度,膜厚及热处理温度的关系。多晶硅薄膜的织构和晶粒度不仅与淀积温度有关,而且与膜厚有着密切的关系,1000℃以上的高温热处理具有增大晶粒度和减小薄膜在淀积过程中形成的晶粒优先取向的作用。
刘晓为郭青张国威刘振茂
关键词:多晶硅晶体结构
共1页<1>
聚类工具0