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陆静苹

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇缓冲层
  • 3篇溅射
  • 2篇铜铟镓硒
  • 2篇铜铟镓硒薄膜...
  • 2篇溅射功率
  • 2篇薄膜太阳能电...
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇太阳能
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格结构
  • 1篇溅射法
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇XS
  • 1篇CIGS薄膜
  • 1篇磁控

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇陆静苹
  • 2篇王德苗
  • 2篇李远东
  • 2篇金浩
  • 2篇周剑

传媒

  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第九届华东三...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于CIGS太阳能电池的吸收层和缓冲层的研究与制备
Cu(In，Ga)Se2(CIGS)太阳能电池是一种较有发展前途的薄膜太阳能电池，是目前国际研究的热点之一。但是，这种薄膜电池在制备中，存在吸收层硒化后配比失调、薄膜结晶不良，缓冲层含Cd以及整个制备工艺难以实现全溅射法...
陆静苹
关键词：太阳能电池溅射法CIGS薄膜晶格结构光学性质
文献传递
溅射功率对铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层InxSy的影响
采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备InxSy缓冲层,溅射功率范围从30W到100W.通过能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜SEM和紫外分光光度计检测在不同溅射功率条件下制备的InxSy薄膜表面形貌、元素组成和光...
王德苗陆静苹金浩周剑李远东
关键词：铜铟镓硒薄膜太阳能电池溅射功率缓冲层
文献传递
溅射功率对铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层In_xS_y的影响
2013年
采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备In x S y缓冲层,溅射功率范围从30 W到100 W。通过能量色散X射线光谱仪、扫描电子显微镜和紫外分光光度计分别检测在不同溅射功率条件下制备的In x S y薄膜表面形貌、元素组成和光学特性。结果表明随着功率的增加,In x S y薄膜晶粒尺寸增加,硫元素含量比率增加并趋于平缓,光学禁带宽度先增加后减小。溅射功率为80 W时禁带宽度最大为2.75 eV,适合高效率In x S y/CIGS太阳能电池。
陆静苹王德苗金浩周剑李远东
关键词：射频磁控溅射太阳能电池
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