陈二柱
- 作品数：7 被引量：34H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>
- DMD动态红外景像投影技术被引量：10
- 2004年
- 动态红外景像投影技术是红外硬件闭环仿真(HWIL)和红外成像系统测试和评估的关键技术,随着数字微镜器件(DMD)的研制开发成功,应用DMD产生动态红外景像技术已受到各国研究人员的普遍关注。本文描述了动态红外景像投影技术在仿真和红外成像系统测试中的应用,具体介绍了DMD的工作原理和封装形式及动态红外景像投影系统的工作原理、关键技术和国内外研究现状。
- 陈二柱
- 关键词：数字微镜器件DMD数字光处理开关时间
- 横向多晶硅p+p-n+结非致冷红外焦平面
- 应用标准CMOS工艺,同时结合体硅微机械加工技术,研制成功横向多晶硅p+p-n+微测辐射热计单元;基于研制成功的微测辐射热计,设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面。采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p+p-n...
- 陈二柱唐成伟江美玲梁平治
- 关键词：非致冷红外焦平面CMOS工艺
- 文献传递
- 基于CMOS工艺的横向多晶硅p^+p^-n^+结红外微测辐射热计被引量：3
- 2005年
- 基于多晶硅pn结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p+p-n+结的温度特性,给出了正向压降温度变化率的理论表达式和实验测量值;并描述了微测辐射热计的设计思路和制作工艺.实验结果表明:在室温(284～253K)附近,横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度变化率为1.5mV/K;在3～5μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103V/W,黑体探测率D为1.2×108cm.Hz1/2.W-1.
- 陈二柱梁平治
- 关键词：CMOS工艺
- CMOS工艺制作的横向多晶硅p^+p^-n^+结的温度特性及其应用
- 2005年
- 应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p+p-n+结,对其正向电流电压的温度特性进行了理论分析和实验研究。实验结果表明:横向多晶硅p+p-n+结的理想因子为1.89;在室温附近(T=27℃),恒定的正向偏置电流(1μA)工作条件下,横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度变化率约为-1.5mV/K,与理论计算值相吻合;并且应用横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度特性,研制成功非致冷红外微测辐射热计,其黑体响应率Rbb(1000K,10Hz)=4.3×103V/W。
- 陈二柱梁平治
- 关键词：CMOS工艺微测辐射热计
- 数字微镜器件动态红外景象投影技术被引量：24
- 2003年
- 动态红外景象投影技术是硬件闭环仿真(HWIL)和成像系统测试及评估的关键技术,随着数字微镜器件的研制成功,应用动态红外景象技术已备受关注。描述了动态红外景象投影技术在仿真和红外成像系统测试中的应用,具体介绍了数字微镜器件的工作原理,讨论了动态红外景象投影系统的关键技术和国内外研究现状。
- 陈二柱梁平治
- 关键词：数字微镜器件
- 横向多晶硅p^＋P^-n^＋结非致冷红外焦平面
- 2005年
- 应用标准CMOS工艺，同时结合体硅微机械加工技术，研制成功横向多晶硅p^+P^-n^+微测辐射热计单元；基于研制成功的微测辐射热计，设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面。采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p^+P^-n^+结热敏响应元和读出电路；在CMOS工艺完成后，辅以与CMOS工艺兼容的体硅微机械加工工艺，制备微桥形式的热绝缘结构，从而方便地实现了CMOS读出电路与探测器阵列的单片集成。在3～5μm红外波段，微测辐射热计的电压响应率为5．7×10^3V／W，黑体探测率D^*为1．2×10^8cm·Hz^1/2·W。焦平面采用行读出模式的结构，信号读出采用栅调制积分电路，输出级采用外接负载电阻的源极跟随电路，将探测器单元产生的信号按顺序串行单端输出。
- 陈二柱唐成伟江美玲梁平治
- 关键词：非致冷红外焦平面读出电路CMOS工艺
- 横向多晶硅p+p-n+结非致冷红外焦平面
- 本文应用标准CMOS工艺,同时结合体硅微机械加工技术,研制成功横向多晶硅p+p-n+微测辐射热计单元;基于研制成功的微测辐射热计,设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面.采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p+p...
- 陈二柱唐成伟江美玲梁平治
- 关键词：非致冷红外焦平面CMOS工艺
