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陈伟伟

作品数：23 被引量：4H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇功率
  • 10篇势垒
  • 10篇功率特性
  • 10篇GAN基HE...
  • 5篇低功耗
  • 5篇电容
  • 5篇电容器
  • 5篇势垒层
  • 5篇频率特性
  • 5篇晶体管
  • 5篇功耗
  • 5篇高速低功耗
  • 5篇半导体
  • 4篇导体
  • 4篇子线
  • 4篇阻抗
  • 4篇量子
  • 4篇量子线
  • 4篇禁带
  • 4篇宽禁带

机构

  • 23篇西安电子科技...

作者

  • 23篇陈伟伟
  • 16篇马晓华
  • 14篇郝跃
  • 10篇汤国平
  • 10篇赵胜雷
  • 4篇侯斌
  • 4篇刘洋
  • 4篇赵强
  • 3篇张会龙
  • 2篇曹梦逸
  • 2篇何亚杰
  • 2篇李卫军
  • 1篇廖雪阳
  • 1篇郭星
  • 1篇马骥刚
  • 1篇李文雯
  • 1篇张凯

传媒

  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 6篇2013
  • 4篇2012
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化镓基高电子迁移率晶体管逆压电可靠性研究
由于 GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高击穿电压、高载流子密度、高载流子饱和速度等优势，目前已在高频大功率器件应用领域取得了广泛的关注。然而，目前可靠性问题仍然是阻碍 GaN基 HEMT器件进一步推广的主要原因...
陈伟伟
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管逆压电效应可靠性瞬态特性
晶体管晶格形变导致性能退化的测试装置及方法
本发明公开一种晶体管晶格形变导致性能退化的测试装置及方法，其晶体管晶格形变导致性能退化的测试装置包括底座、精密位移平台、垫块、载片、压块。其晶体管晶格形变导致性能退化的测试方法步骤包括：(1)减薄芯片；(2)切割芯片；(...
马晓华陈伟伟郝跃祝杰杰侯斌
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基于最大反谐振点的电源分配网络去耦电容器选择方法
本发明公开了一种基于最大反谐振点的电源分配网络去耦电容器选择方法，以解决现有技术在电源分配网络选取去耦电容器时使用的电容器数量多，计算时间长的问题。其实现步骤是:(1)输入电路板参数，并计算电容器的自谐振频率和其品质因数...
刘洋原玉章甄江平赵强陈孔前陈伟伟
选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、钝化层和保护层；缓冲层采用GaN，该缓冲层上设有按...
马晓华郝跃汤国平陈伟伟赵胜雷
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二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
马晓华郝跃汤国平陈伟伟赵胜雷
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电源分配网络中贴片电容器阻抗的仿真方法
本发明公开了一种电源分配网络中贴片电容器阻抗的仿真方法，主要解决电容器阻抗不明影响使用的问题。其实现步骤是：1）制作电容器测量夹具和校准件；2）使用通用校准件及其电气特性文件对矢量网络分析仪校准，测量制作校准件的电气特性...
刘洋陈伟伟何亚杰原玉章甄江平赵强
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横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
郝跃马晓华汤国平陈伟伟赵胜雷
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电容器精确建模及电源分配网络设计
芯片的集成度提高和内部晶体管数量增大造成电源噪声容限越来越低,如果电源分配网络(Power Delivery Network, PDN)设计不当则会引起电源噪声过大造成芯片供电不稳定,从而导致芯片无法正常工作。　　课题详...
陈伟伟
关键词：电容器品质因数
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晶体管晶格形变导致性能退化的测试装置及方法
本发明公开一种晶体管晶格形变导致性能退化的测试装置及方法，其晶体管晶格形变导致性能退化的测试装置包括底座、精密位移平台、垫块、载片、压块。其晶体管晶格形变导致性能退化的测试方法步骤包括：(1)减薄芯片；(2)切割芯片；(...
马晓华陈伟伟郝跃祝杰杰侯斌
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C波段ALGAN/GAN基逆F类功率放大器的设计
功率放大器是无线通讯收发系统中最消耗功率的器件之一,设计一款高效率的功率放大器对于提高无线收发系统的效率具有重要意义.根据本实验室的ALGAN/GAN HEMI器件的测量结果,利用AGILENT LCCAP软件对器件进行...
李卫军曹梦逸张会龙陈伟伟侯斌马晓华
关键词：ALGAN/GAN高功率
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